基于二维肖特基结的光电探测器的最新进展,这些探测器具有高灵敏度、自驱动工作和快速响应的特点。与传统的大块肖特基结光电探测器相比,二维肖特基结器件有望具有更低的暗电流。
C30733BQC-01 高速、高增益且低噪声的InGaAs雪崩光电二极管
光通信 低噪声 激光雷达 OTDR 光电探测 APD
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概述
参数
- 击穿电压 / Breakdown Voltage : 45-70V
- 光谱范围 / Spectral Range : 1000-1700nm
- 峰值响应 / Peak Responsivity : 1550nm
- 工作增益 / Recommended Operating Gain : 10-40
- 正向电流 / Forward Current : 5mA
- 反向电流 / Reverse Current : 0.4mA
- 总功率耗散 / Total Power Dissipation : 20mW
- 储存温度 / Storage Temperature : -60-125°C
- 工作温度 / Operating Temperature : -20-70°C
- 上升时间/下降时间 / Rise Time / Fall Time : 0.12ns
- 带宽 / Bandwidth : 3GHz
- 量子效率 / Quantum Efficiency : 75%
- 正向电压温度系数 / Temperature Coefficient Of V : 0.14V/°C
- 电容 / Capacitance : 0.5pF
- 暗电流 / Dark Current : 0.5-10nA
- 暗噪声 / Dark Noise : 0.3-0.50pA/√(Hz)
- 噪声等效功率 / Noise Equivalent Power : 8-13fW/√(Hz)
应用
1.光时域反射仪(OTDR) 2.LiDAR / ToF测量 3.安全激光测距 4.光通信系统 5.低光平探测
特征
1.光谱响应1000 nm – 1700 nm 2.操作增益典型为40 3.小型活性区域30 µm 4.高响应度 5.低暗电流和噪声 6.便于光纤耦合的尾纤设计 7.符合RoHS标准
详述
C30733BQC-01 高速、高增益且低噪声的InGaAs雪崩光电二极管的产品图片
/nExcelitas Technologies的C30733BQC-01 Pigtailed Avalanche Photodiodes是一款高速度、高增益和低噪声的InGaAs APD,专为OTDR等电信测试设备应用设计。该产品具有广泛的光谱响应范围(1000nm到1700nm),典型操作增益为40,小有效面积30µm,高响应度,低暗电流和噪声,尾纤设计便于光纤耦合,并符合RoHS标准。其主要应用包括光时域反射仪(OTDR)、激光雷达/飞行时间测量、眼安全激光测距、光通信系统和低光水平检测。规格书
厂家介绍
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我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管(PD)芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供,非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径(15至50µm),既可作为单独的芯片,也可作为1×N(N=1,2,4,12)线性阵列,允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。
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A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。
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二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
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