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传感器类型: CMOS 可衡量的来源: CW, Pulsed 波长范围: 355 - 1150 nm # 像素(宽度): 2048 # 像素(高度): 2048
Dataray WinCAMD-LCM CMOS激光束分析仪提供USB 3.0传输速率和高分辨率1英寸。探测器适用于从OEM集成到R&D的各种应用。这款光束轮廓仪可在190至1605 nm范围内使用,在2048×2048有效面积内提供5.5µm像素,更新速率高达60 Hz,并具有光学/TTL(晶体管-晶体管逻辑)触发器。CMOS探测器消除了彗星拖尾,全局快门和触发使能脉冲捕获。USB 3.0接口配有专有的可定制软件。该激光束剖面仪的应用包括CW和脉冲激光剖面仪、激光系统的现场维修、光学组件、仪器校准、光束漂移和记录、质量控制以及使用可用的200 mm平移台进行m²测量。
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截止波长λcut-on(10%): 2.9±1.0µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µm 探测率D*: ≥1.4×1010cm·Hz1/2/W
LabM-I-5 是一款实验室红外探测模块,采用基于碲化镉汞异质结构的光学浸没式光电探测器,并集成了跨阻可编程前置放大器。3° 楔形蓝宝石窗口可防止不必要的干扰效应。要正确操作,需要可编程的 "智能 "VIGO 热电冷却器控制器 PTCC-01(单独出售)和智能管理软件(免费软件)。LabM-I-5 模块配有 PTCC-01 和智能管理器,是各种 MWIR 应用中原型设计和研发阶段的最佳解决方案。这套软件可灵活满足系统设计人员的不同需求。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×109 ≥7.0×109 ≥5.0×109 ≥2.0×109 ≥1.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥6.5×109 ≥5.0×109 ≥3.0×109 ≥1.0×109 ≥5.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5 ≥0.8 ≥1.0 ≥1.0 ≥1.0
PV系列采用基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。设备经过优化,在λopt处具有最大性能。截止波长可以根据要求进行优化。反向偏置可能显著增加响应速度和动态范围,并在高频下提高性能,但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008
PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性,通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率(约0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0-6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥5.0×1010, ≥5.0×1010, ≥3.0×1010, ≥1.5×1010, ≥8.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.0×1010, ≥4.5×1010, ≥2.0×1010, ≥9.0×109, ≥4.0×109 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.0
PVI series特征为非制冷红外光伏探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性,通过光学浸没以改善设备参数。探测器针对λopt的最大性能进行了优化。可以根据要求优化截止波长。反向偏压可以显著提高响应速度和动态范围,也提高高频性能,但偏置设备中的1/f噪声可能会降低低频性能。,非制冷红外光伏探测器,适用于红外成像、光谱测量、环境监测和工业过程控制。