C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。

C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。

C30950EH是一款硅雪崩光电二极管前置放大器模块，采用单一改良的12引脚TO-8封装。

Excelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器，封装在同一密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。

Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管（APD）与混合前置放大器，在同一个密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。

C30737CH系列硅雪崩光电二极管采用'侧视'LLC SMD封装，适用于高容量激光测距、区域扫描和手势识别应用。

Excelitas Technologies的C30737LH-300-7XN系列是一款低电容硅雪崩光电二极管，封装在无引脚陶瓷载体SMT封装中，适用于高体积激光测距和测距应用。

Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收模块集成了APD、热电制冷器（TEC）以及放大电路，所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。

Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管（APD）设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度，并具有大约5纳秒的上升和下降时间，下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用，提供500nm至1000nm范围内的高响应度。

Excelitas Technologies的SPCM-AQRH-TR是一款针对时间分辨率优化的单光子计数模块，采用特选的SLiK硅雪崩光电二极管，具有优于250ps的模块时间分辨率，同时在650nm处保持超过75%的峰值光子探测效率，活动区域直径为180µm。

SPCM-AQ4C是一款四通道阵列单光子计数模块，具有独立的硅雪崩光电二极管(SLiK)，能在400nm至1060nm波长范围内检测单个光子。每个通道均独立。该模块具有热电冷却和温度控制功能，确保在环境温度变化时性能稳定。

Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应（即>900nm）得到增强，同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

Excelitas Technologies的C30733BQC-01 Pigtailed InGaAs APD是一款高速、高增益且低噪声的InGaAs雪崩光电二极管，专为光纤时域反射仪(OTDR)等电信测试设备应用而设计。

Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs，提供高量子效率和低噪声的高响应度。

Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长，适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透”结构，优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区，因此在视线中心没有响应损失。

APD Series 8-150硅雪崩光电二极管，波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流，适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。

Redwave Labs的AD200是一款紧凑型且价格实惠的单光子探测器模块，内置计数器。它基于在可见光谱范围内敏感的可靠硅雪崩光电二极管。AD200在近可见区域（约650nm）有很高的探测效率，并具备主动淬灭和全数字温度控制功能。标配有独立电源 ，可用于激光扫描显微镜、粒子物理和分光光度计等。