Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收模块集成了APD、热电制冷器（TEC）以及放大电路，所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。

Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管（APD）设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度，并具有大约5纳秒的上升和下降时间，下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用，提供500nm至1000nm范围内的高响应度。

Excelitas Technologies的SPCM-AQRH-TR是一款针对时间分辨率优化的单光子计数模块，采用特选的SLiK硅雪崩光电二极管，具有优于250ps的模块时间分辨率，同时在650nm处保持超过75%的峰值光子探测效率，活动区域直径为180µm。

SPCM-AQ4C是一款四通道阵列单光子计数模块，具有独立的硅雪崩光电二极管(SLiK)，能在400nm至1060nm波长范围内检测单个光子。每个通道均独立。该模块具有热电冷却和温度控制功能，确保在环境温度变化时性能稳定。

Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应（即>900nm）得到增强，同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

Excelitas Technologies的C30733BQC-01 Pigtailed InGaAs APD是一款高速、高增益且低噪声的InGaAs雪崩光电二极管，专为光纤时域反射仪(OTDR)等电信测试设备应用而设计。

Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs，提供高量子效率和低噪声的高响应度。

Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长，适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透”结构，优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区，因此在视线中心没有响应损失。

Excelitas公司的CIPRM系列是一款基于高性能InGaAs光电二极管和低噪声、高增益的跨阻放大器，专为检测干扰噪声层上方的微小变化而设计的平衡光接收器。该系列产品具有优良的共模抑制比(CMRR)，适用于恶劣环境，且符合RoHS指令。

Skylark 349 NX是一款单频CW C-DPSS紫外激光器，提供高达400 mW的超稳定输出功率和349 nm的波长，适用于多种光电应用。

PWS-TPSR-X 1.1是一款专为光电测量设计的高性能设备，具有广泛的应用场景，如光学实验室、激光系统调试和光通信领域。

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

WinCamD-GCM是一款采用GigE Vision进行长距离传输（支持长达1000m的电缆长度）的CMOS光束轮廓成像相机。它具备高分辨率、全局快门和多种波长选择，适用于各种光电测试和测量应用。

THERMORACK 401提供精确的温度控制至±0.05°C，即使在环境温度附近。这款产品具有超过200,000小时的寿命，为激光和工业应用优化设计，能够在最节能的范围内运行。是一款节能且安静无振动的光电冷却系统。

PCI-2TE系列探测器采用了两级热电制冷的红外光电导探测器，基于精密的HgCdTe异质结构，以获得最佳性能和稳定性，并通过光学浸没以提高设备参数。探测器在GaAs透射率限制下（约0.9µm）的最佳波长λopt下进行了优化。

PCI-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构，采用四级热电制冷技术的红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。这些探测器通过光学浸没技术来提升设备参数。探测器针对λopt进行了优化，起始波长受GaAs透过率(~0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读取模式下运行。由于1/f噪声，低频性能有所降低，1/f噪声拐点频率随着截止波长的增加而提高。3°楔形的氧化锌硒抗反射涂层（wZnSeAR）窗口可防止不必要的干扰效应。

PCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性，采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化，起始波长受GaAs透射率（约0.9μm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。

PC-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构的四级热电制冷红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。这些设备针对λopt进行了优化，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形的氧化锌硒防反射涂层（wZnSeAR）窗口防止了不必要的干涉效应。