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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
暗电流
Dark Current(e/px/s)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range(nm)
确定 取消
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家:Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm
Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф230um)0.04 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。
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APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm
Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф500um)2 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。
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APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm
Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和杂化。封装选项包括密封到金属罐和经济高效的SMD(LCC)类型,并可根据要求进行额外定制。MTAPD-05-003是一款NIR(800nm)增强型500µm直径APD,可输入高速TIA以产生差分输出电压。TIA需要正电源电压。APD所需的正高压电源。