光电二极管-理想技术应用-优质供应商-光电查

FCI-InGaAs-3000-X

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 1800 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-3000-X是一种波长范围为900至1700 nm、电容为750至1800 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。FCI-InGaAs-3000-X的更多详细信息可参见下文。

FCI-InGaAs-300ACER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300ACER是波长范围为900至1700nm、电容为10pF、暗电流为0.3至5nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间为1.5ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300ACER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-300B1

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1的更多详情见下文。

FCI-InGaAs-300B1x4

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300B1X4是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1X4的更多详细信息见下文。

FCI-InGaAs-300B1x8

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1x8是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1x8的更多详情见下文。

FCI-InGaAs-300CCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300CCER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-300LCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300LCER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-300WCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300WCER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-36C

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.16 to 0.20 pF 暗电流: 0.5 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.85 A/W

OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-36C是一款光电二极管，波长范围为1310至1550 nm，带宽为9 GHz，电容为0.16至0.20 PF，暗电流为0.5至2 nA，响应度/光敏度为0.75至0.85 A/W.FCI-InGaAs-36C的更多详情见下文。

FCI-InGaAs-400

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.40至5、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-400ACER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 暗电流: 0.4 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400ACER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400ACER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-400CCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 暗电流: 0.4 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400CCER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-400LCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 暗电流: 0.4 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400LCER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-400WCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 暗电流: 0.4 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400WCER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-4M

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-4M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

FCI-InGaAs-500

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.50至20、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-500ACER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500ACER是波长范围为900至1700nm、电容为20pF、暗电流为0.5至20nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间为10ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500ACER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-500CCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500CCER的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-500LCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。FCI-InGaAs-500LCER的更多详情见下文。

FCI-InGaAs-500WCER

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500WCER的更多详细信息，请联系我们。