全部产品分类
InGaAs Focal Plane Array FPA 320x256-C-VIS 图像传感器

InGaAs Focal Plane Array FPA 320x256-C-VIS

分类: 图像传感器

厂家: ANDANTA GmbH

产地: 德国

型号: InGaAs Focal Plane Array FPA 320x256-C-VIS

更新时间: 2024-12-20 10:08:54

光电探测器 成像 光谱范围 InGaAs 量子效率 监视

立即咨询 获取报价 获取报价 下载规格书 下载规格书
收藏 收藏

概述

320 x 256 InGaAs Focal Plane Array,适用于可见光至近红外成像。

参数

  • 传感技术 / Sensor Technology : Planar InGaAs PIN
  • 光谱范围 / Spectral Range : 0.6-1.7
  • 实际像素阵列 / Actual Pixel Array : 320 x 256
  • 有效像素阵列 / Effective Pixel Array : 318 x 254
  • 像素间距 / Pixel Pitch : 30
  • 图像尺寸 / Image Size : 9.6 x 7.68
  • 封装类型 / Package Type : 44-pin Ceramic LCC
  • 封装尺寸 / Package Size : 16.51 x 16.51 x 2.46
  • 重量 / Weight : 1.6
  • 暗电流 / Dark Current : ≤ 220
  • 量子效率 / Quantum Efficiency : ≥ 70
  • 响应非均匀性 / Response Nonuniformity : ≤ 10
  • 响应非线性 / Response Nonlinearity : ≤ 2
  • 读出噪声 / Readout Noise : ≤ 122
  • 输出摆幅 / Output Swing : 2.8
  • 最小集成周期 / Minimum Integration Period : 5.5
  • 像素可操作性百分比 / Percentage Of Pixels With Pixel Operability : ≥ 99.5
  • 工作温度 / Operating Temperature : -40+70
  • 储存温度 / Storage Temperature : -40+70
  • 功率 / Power Consumption : 175

应用

1. 可见光至近红外成像 2. 隐蔽监视 3. 半导体/太阳能电池板检测 4. 医学科学与生物学 5. 光纤组件组装与测试 6. 透过雾/烟 7. 冰/雪/湿气映射 8. 工业热成像 9. 天文学与科学 10. 分类与回收

特征

1. 320 x 256阵列格式 2. 0.6 µm -1.7 µm光谱范围 3. 轻量44CLCC封装 4. 典型像素可操作性> 99.5 % 5. 量子效率> 70 % (在SWIR) 6. 常温操作 7. 内置温度传感器 8. 快照ITR/IWR和IMRO读出模式 9. 窗口功能

详述

InGaAs Focal Plane Array FPA 320x256-C-VIS是一款先进的光电成像设备,能够在可见光至近红外(0.6 - 1.7 μm)范围内进行高效成像。该产品具有320 x 256的阵列格式,适合多种应用场景,如隐蔽监视、半导体和太阳能电池板检测等。其轻量的44-pin陶瓷LCC封装设计,确保了设备的便携性和实用性。此外,FPA 320x256-C-VIS的量子效率超过70%,并且典型像素可操作性高达99.5%,确保了在多种环境下的优异性能。内置温度传感器和多种读出模式,使得该产品在工业热成像、医学科学、天文学等领域的应用更加广泛。无论是科研还是工业用途,FPA 320x256-C-VIS都是一个值得信赖的选择。

图片集

InGaAs Focal Plane Array FPA 320x256-C-VIS图1

规格书

下载规格书

厂家介绍

我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询,或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 3390 MCP/RAE SENSOR HEAD 图像传感器 3390 MCP/RAE传感器头 图像传感器 Quantar Technology Inc

    有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 2

    3300系列是开面、微通道板(MCP)、电阻式阳极编码器(Rae)位置敏感探测器头,用于带电粒子和高能光子探测,包括标准或涂层(如CSI、KBr)MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线,在真空中运行(完全UHV兼容)。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造,以获得较大的UHV兼容性真空压力;在操作中,单个入射事件(粒子或光子)撞击MCP检测器表面并导致电子级联,其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置,MCP在增益饱和模式下工作,以帮助确保事件间相对恒定的增益,从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。

  • EDS SEM Applications FAST SDD And C2 Window 图像传感器 EDS SEM应用FAST SDD和C2窗口 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 25mm

    Amptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器(SDD)系列,用于扫描电子显微镜(SEM)中的能量色散谱(EDS)。使用我们获得专利的C系列氮化硅(Si3N4)X射线窗口,我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍(Be)。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS,也称为能量色散X射线光谱(EDX或XEDS)和能量色散X射线分析(EDXA)或能量色散X射线微量分析(EDXMA)。

  • FAST SDD 25mm Ultra High Performance Silicon Drift Detector 图像传感器 FAST SDD 25毫米超高性能硅漂移检测器 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 25mm 活动区域: 17mm

    我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管(JFET)以及外部前置放大器,与此不同的是,快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体(CMOS)前置放大器,并用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)取代JFET。这显著降低了电容,大大降低了串联噪声,并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器,但带有前置放大器,在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的(较低的)分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线,否则峰值将重叠,从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进;更多的计数提供更好的统计数据。

  • Large Stitched X-Ray CMOS Image Sensor 图像传感器 大型缝合式X射线CMOS图像传感器 图像传感器 Forza Silicon Corp

    图像分辨率: 1024800lp/mm 图像大小: 854Pixels

    大型拼接X射线CMOS图像传感器。

  • Patented C1 Low Energy X-Ray Windows 图像传感器 获得专利的C1低能量X射线窗 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mm

    Amptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅(Si3N4),将我们的硅漂移探测器(SDD)的低能量响应扩展到硼(B)。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”,我们为一般的XRF分析提供了铍(Be)窗口的替代方案,与用于软X射线分析的聚合物窗口相比,我们提供了优越的性能。

立即咨询

加载中....