LDA1024P12.5X-1.7-T1
光电技术 成像设备 量子效率 近红外传感器 线性图像传感器
光电查新品推荐
- 专业选型
- 正规认证
- 品质保障
严格把控产品质量,呈现理想的光电产品,确保每一件产品都能满足您的专业需求。
参数
- 传感技术 / Sensor Technology : Planar InGaAs PIN
- 光谱范围 / Spectral Range : 0.9 - 1.7μm
- 实际像素阵列 / Actual Pixel Array : 1024 x 1
- 像素间距 / Pixel Pitch : 12.5μm
- 像元尺寸 / Pixel Size : S 12.5 x 12.5, M 12.5 x 250μm
- 芯片尺寸 / Chip Size : 15.3 x 9.0mm
- 封装类型 / Package Type : 28-pin Metal DIP Package
- 封装尺寸 / Package Size : 50.0 x 25.4 x 11.67mm
- 重量 / Weight : 25.9g
- 暗电流 / Dark Current : ≤ 600fA
- 量子效率 / Quantum Efficiency : ≥ 70%
- 响应非均匀性 / Response Nonuniformity : ≤ 5%
- 响应非线性 / Response Nonlinearity : ≤ 2%
- 最大像素速率 / Maximum Pixel Rate : 22MHz
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 +70°C
- 储存温度 / Storage Temperature : -40 +70°C
- 功耗 / Power Consumption : ≤ 190mW
应用
1. 短波红外成像 2. 超光谱/多光谱成像 3. 半导体检测/过程监控 4. 分类与回收
特征
1. 1024 x 1 像素 2. 28 针金属 DIP 封装 3. 嵌入式热电冷却器 4. 内置温度传感器 5. 最小像素可操作性 > 99% 6. 量子效率 > 70% 7. 快照 ITR/IWR 8. 具有高达 22 MHz 像素率的 2 个输出
详述
LDA1024P12.5X-1.7-T1 近红外线线性图像传感器是一款高性能的图像传感器,具备1024 x 1的像素阵列,能够有效捕捉0.9至1.7μm的近红外光谱。该传感器的设计专注于短波红外成像,适用于多种应用,如超光谱成像、半导体检测和过程监控等。其内置的热电冷却器和温度传感器确保了在不同工作条件下的稳定性和可靠性。具有高达99%的像素可操作性和超过70%的量子效率,使得该传感器在成像质量上表现优异。此外,LDA1024P12.5X-1.7-T1 还支持SPI协议,方便用户进行命令设置和控制,适合嵌入式系统集成。无论是在科研还是工业应用中,该传感器都能提供出色的性能和灵活的应用场景。
图片集
规格书
厂家介绍
我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询,或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。
相关产品
-
3390 MCP/RAE传感器头
图像传感器
Quantar Technology Inc
有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 2
3300系列是开面、微通道板(MCP)、电阻式阳极编码器(Rae)位置敏感探测器头,用于带电粒子和高能光子探测,包括标准或涂层(如CSI、KBr)MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线,在真空中运行(完全UHV兼容)。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造,以获得较大的UHV兼容性真空压力;在操作中,单个入射事件(粒子或光子)撞击MCP检测器表面并导致电子级联,其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置,MCP在增益饱和模式下工作,以帮助确保事件间相对恒定的增益,从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。
-
EDS SEM应用FAST SDD和C2窗口
图像传感器
Amptek Inc
活动区域: 25mm
Amptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器(SDD)系列,用于扫描电子显微镜(SEM)中的能量色散谱(EDS)。使用我们获得专利的C系列氮化硅(Si3N4)X射线窗口,我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍(Be)。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS,也称为能量色散X射线光谱(EDX或XEDS)和能量色散X射线分析(EDXA)或能量色散X射线微量分析(EDXMA)。
-
FAST SDD 25毫米超高性能硅漂移检测器
图像传感器
Amptek Inc
活动区域: 25mm 活动区域: 17mm
我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管(JFET)以及外部前置放大器,与此不同的是,快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体(CMOS)前置放大器,并用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)取代JFET。这显著降低了电容,大大降低了串联噪声,并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器,但带有前置放大器,在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的(较低的)分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线,否则峰值将重叠,从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进;更多的计数提供更好的统计数据。
-
大型缝合式X射线CMOS图像传感器
图像传感器
Forza Silicon Corp
图像分辨率: 1024800lp/mm 图像大小: 854Pixels
大型拼接X射线CMOS图像传感器。
-
获得专利的C1低能量X射线窗
图像传感器
Amptek Inc
活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mm
Amptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅(Si3N4),将我们的硅漂移探测器(SDD)的低能量响应扩展到硼(B)。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”,我们为一般的XRF分析提供了铍(Be)窗口的替代方案,与用于软X射线分析的聚合物窗口相比,我们提供了优越的性能。
加载中....