LDA512P25X-1.7-C
光电设备 半导体检测 图像传感器 成像技术 近红外传感器
光电查新品推荐
- 专业选型
- 正规认证
- 品质保障
严格把控产品质量,呈现理想的光电产品,确保每一件产品都能满足您的专业需求。
概述
参数
- 传感技术 / Sensor Technology : Planar InGaAs PIN
- 光谱范围 / Spectral Range : 0.9 - 1.7 μm
- 实际像素阵列 / Actual Pixel Array : 512 x 1
- 像素间距 / Pixel Pitch : 25 μm
- 芯片尺寸 / Chip Size : 15.3 x 4.5 mm
- 封装类型 / Package Type : 28-pin Ceramic DIP (CDIP)
- 封装尺寸 / Package Size : 35.56 x 15.61 x 7.15 mm
- 重量 / Weight : 5.09 g
- 暗电流 / Dark Current : ≤ 1000 fA
- 量子效率 / Quantum Efficiency : ≥ 70%
- 像素可用性百分比 / Pixel Operability : ≥ 99%
- 最大像素速率 / Maximum Pixel Rate : 22 MHz
- 功耗 / Power Consumption : ≤ 95 mW
- 工作温度 / Operating Temperature : -40 - +70 °C
- 储存温度 / Storage Temperature : -40 - +70 °C
应用
1. 短波红外成像 2. 半导体检测 3. 过程监控 4. 分类/回收 5. 近红外光谱测量
特征
1. 512 x 1 像素 2. 内置温度传感器 3. 快照ITR/IWR 4. 高量子效率 5. 最小像素可操作性 > 99%
详述
LDA512P25X-1.7-C是一款高性能的近红外线线性图像传感器,具有512 x 1的像素阵列,适用于多种应用如短波红外成像和半导体检测。该传感器的光谱范围为0.9 - 1.7μm,具有较高的量子效率(超过70%)和极低的暗电流,确保了在不同条件下的卓越表现。其最小像素可操作性超过99%,使其在精密测量和成像中表现出色。此外,该传感器还配备内置温度传感器,能够在-40到70°C的温度范围内稳定工作。LDA512P25X-1.7-C的28引脚陶瓷DIP封装设计使其易于集成到各种光电设备中,是科研、工业检测、环境监测等领域的理想选择。
图片集
规格书
厂家介绍
我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询,或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。
相关产品
-
3390 MCP/RAE传感器头
图像传感器
Quantar Technology Inc
有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 2
3300系列是开面、微通道板(MCP)、电阻式阳极编码器(Rae)位置敏感探测器头,用于带电粒子和高能光子探测,包括标准或涂层(如CSI、KBr)MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线,在真空中运行(完全UHV兼容)。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造,以获得较大的UHV兼容性真空压力;在操作中,单个入射事件(粒子或光子)撞击MCP检测器表面并导致电子级联,其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置,MCP在增益饱和模式下工作,以帮助确保事件间相对恒定的增益,从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。
-
EDS SEM应用FAST SDD和C2窗口
图像传感器
Amptek Inc
活动区域: 25mm
Amptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器(SDD)系列,用于扫描电子显微镜(SEM)中的能量色散谱(EDS)。使用我们获得专利的C系列氮化硅(Si3N4)X射线窗口,我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍(Be)。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS,也称为能量色散X射线光谱(EDX或XEDS)和能量色散X射线分析(EDXA)或能量色散X射线微量分析(EDXMA)。
-
FAST SDD 25毫米超高性能硅漂移检测器
图像传感器
Amptek Inc
活动区域: 25mm 活动区域: 17mm
我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管(JFET)以及外部前置放大器,与此不同的是,快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体(CMOS)前置放大器,并用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)取代JFET。这显著降低了电容,大大降低了串联噪声,并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器,但带有前置放大器,在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的(较低的)分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线,否则峰值将重叠,从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进;更多的计数提供更好的统计数据。
-
大型缝合式X射线CMOS图像传感器
图像传感器
Forza Silicon Corp
图像分辨率: 1024800lp/mm 图像大小: 854Pixels
大型拼接X射线CMOS图像传感器。
-
获得专利的C1低能量X射线窗
图像传感器
Amptek Inc
活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mm
Amptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅(Si3N4),将我们的硅漂移探测器(SDD)的低能量响应扩展到硼(B)。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”,我们为一般的XRF分析提供了铍(Be)窗口的替代方案,与用于软X射线分析的聚合物窗口相比,我们提供了优越的性能。
加载中....