FAST SDD 25毫米超高性能硅漂移检测器

有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 2

3300系列是开面、微通道板（MCP）、电阻式阳极编码器（Rae）位置敏感探测器头，用于带电粒子和高能光子探测，包括标准或涂层（如CSI、KBr）MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线，在真空中运行（完全UHV兼容）。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造，以获得较大的UHV兼容性真空压力；在操作中，单个入射事件（粒子或光子）撞击MCP检测器表面并导致电子级联，其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置，MCP在增益饱和模式下工作，以帮助确保事件间相对恒定的增益，从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。

活动区域: 25mm

Amptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器（SDD）系列，用于扫描电子显微镜（SEM）中的能量色散谱（EDS）。使用我们获得专利的C系列氮化硅（Si3N4）X射线窗口，我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍（Be）。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS，也称为能量色散X射线光谱（EDX或XEDS）和能量色散X射线分析（EDXA）或能量色散X射线微量分析（EDXMA）。

图像分辨率: 1024800lp/mm 图像大小: 854Pixels

大型拼接X射线CMOS图像传感器。

活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mm

Amptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅（Si3N4），将我们的硅漂移探测器（SDD）的低能量响应扩展到硼（B）。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”，我们为一般的XRF分析提供了铍（Be）窗口的替代方案，与用于软X射线分析的聚合物窗口相比，我们提供了优越的性能。