汉诺威莱布尼茨大学（Leibniz University Hannover ）的科学家 Lei Zheng 博士等人开发了一种低成本、用户友好的制造技术，称为基于紫外 LED 的显微镜投影光刻技术（MPP），可在几秒钟内快速制造出高分辨率的光学元件。这种方法可在紫外线照射下将光掩模上的结构图案转移到光阻涂层基底上。
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OD-666
简介：
TO-66 Package 880 nm Emitter
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概述
Opto Diode Corporation的OD-666是一款LED，正向电压为9至10 V，波长为880 nm，功率为300至5000 MW，反向电压为5至30 V.有关OD-666的更多详细信息，请联系我们。
参数
- 芯片技术 / Chip Technology : GaAlAs
- 颜色 / Colors : Infrared
- 无铅 / pb Free : Yes
- RoHS / RoHS : Yes
- 正向电压 / Forward Voltage : 9 to 10 V
- 波长 / Wavelength : 880 nm
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厂家介绍
位于加利福尼亚州卡马里洛的Opto Diode Corporation在提供业界较为领先的传感器、光电二极管、探测器和LED方面有着悠久的历史。光电二极管产品采用标准和定制设计，30多年来一直为光子学行业提供支持，并以高性能、卓越品质和可靠性赢得了良好声誉。随着2011年收购International Radiation Detectors（IRD）和2014年合并Cal Sensors（CSI），Opto Diode现在提供从电磁波谱的极紫外到中红外（Mid-IR）区域的行业领先性能探测器。我们的产品提供一流的高能粒子、电子、X射线和紫外线探测，以及卓越的灵敏度，以区分痕量气体或探测中红外光谱中的热量、火花或火焰。辅以辐射范围为365nm至940nm的高性能LED和覆盖1µm至10µm的红外发射器，我们支持各种细分市场和应用。
相关产品
图片
名称
分类
制造商
参数
描述
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APD 0200 -17-C InGaAs光电二极管
发光二极管
ANDANTA GmbH
光谱范围: 0.95 – 1.65µm 孔径: Ø 200µm 封装类型: 6CLCC (3.0SQ)
APD0200-17-C是一款高可靠性的平面lnGaAs雪崩光电二极管，具有高响应度和低泄漏电流，适用于多种光电应用。
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APD 0200 -17-D InGaAs光电二极管芯片
发光二极管
ANDANTA GmbH
光谱范围: 0.95 – 1.65µm 孔径: Ø 200µm 长度: 460 ± 15µm
APD0200-17-D是一款高可靠性的平面lnGaAs雪崩光电二极管芯片，具有高响应性和低漏电流，适用于多种光电应用。
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APD 0200 -17 InGaAs光电二极管
发光二极管
ANDANTA GmbH
光谱范围: 0.95-1.65 孔径: Ø200 封装类型: ---
APD0200-17系列lnGaAs雪崩光电二极管，具有高可靠性和高响应性，适用于多个应用领域。
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APD 0200 -17-TO InGaAs光电二极管
发光二极管
ANDANTA GmbH
光谱范围: 0.95 – 1.65 µm 孔径: Ø 200 µm 封装类型: TO-46 / 3P
APD0200-17-TO 是一款高可靠性的平面型 lnGaAs 雪崩光电二极管，具有优异的响应特性和低噪声，适用于多种应用场景。
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APD 0200 -17-T1 InGaAs光电二极管
发光二极管
ANDANTA GmbH
光谱范围: 0.95 – 1.65 µm 孔径: Ø 200 µm 封装类型: TO-46 / 5P
APD0200-17-T1是一个高可靠性的平面设备，采用热电冷却的TO-46封装，具有高响应性和低噪声特性。
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