OD-663-850

分类：发光二极管

厂家： Opto Diode

产地：美国

型号： OD-663-850

更新时间： 2024-08-23 03:32:56

简介：

TO-66 Package 850 nm Emitter

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概述

来自Opto Diode Corporation的OD-663-850是GaAIAS IR LED，其提供425mW的输出功率，具有850nm的峰值发射波长。该LED在50%处提供40nm的光谱带宽，并且呈现120度的半强度光束角。它要求正向电压为5.4 V，反向电压为30 V，连续正向电流为400 mA，峰值正向电流高达1 A.该LED采用2引脚TO-66电气隔离封装，非常适合夜视照明。

参数

芯片技术 / Chip Technology : GaAlAs
颜色 / Colors : Infrared
无铅 / pb Free : Yes
RoHS / RoHS : Yes
正向电压 / Forward Voltage : 4.8 to 5.4 V
波长 / Wavelength : 850 nm

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厂家介绍

位于加利福尼亚州卡马里洛的Opto Diode Corporation在提供业界较为领先的传感器、光电二极管、探测器和LED方面有着悠久的历史。光电二极管产品采用标准和定制设计，30多年来一直为光子学行业提供支持，并以高性能、卓越品质和可靠性赢得了良好声誉。随着2011年收购International Radiation Detectors（IRD）和2014年合并Cal Sensors（CSI），Opto Diode现在提供从电磁波谱的极紫外到中红外（Mid-IR）区域的行业领先性能探测器。我们的产品提供一流的高能粒子、电子、X射线和紫外线探测，以及卓越的灵敏度，以区分痕量气体或探测中红外光谱中的热量、火花或火焰。辅以辐射范围为365nm至940nm的高性能LED和覆盖1µm至10µm的红外发射器，我们支持各种细分市场和应用。

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