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汉诺威莱布尼茨大学（Leibniz University Hannover ）的科学家 Lei Zheng 博士等人开发了一种低成本、用户友好的制造技术，称为基于紫外 LED 的显微镜投影光刻技术（MPP），可在几秒钟内快速制造出高分辨率的光学元件。这种方法可在紫外线照射下将光掩模上的结构图案转移到光阻涂层基底上。
全部产品分类
概述
来自Cree LED的C4SME-RJS是正向电压为2.1 V、发光强度CD为1100000000 CD、发光强度MCD为1100 MCD、波长为621 nm的LED.有关C4SME-RJS的更多详细信息，请联系我们。
参数
- 颜色 / Colors : Red
- RoHS / RoHS : Yes
- 正向电压 / Forward Voltage : 2.1 V
- 波长 / Wavelength : 621 nm
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厂家介绍
Cree LED为高功率通用照明、汽车、视频屏幕和专业照明等重点应用提供一流的技术和突破性的解决方案。Cree LED提供业界较广泛的应用优化LED产品组合，在流明密度、强度、功效、光学控制和可靠性方面处于行业领先地位，并以专家设计协助和卓越的销售支持为后盾。
相关产品
图片
名称
分类
制造商
参数
描述
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APD 0200 -17-C InGaAs光电二极管
发光二极管
ANDANTA GmbH
光谱范围: 0.95 – 1.65µm 孔径: Ø 200µm 封装类型: 6CLCC (3.0SQ)
APD0200-17-C是一款高可靠性的平面lnGaAs雪崩光电二极管，具有高响应度和低泄漏电流，适用于多种光电应用。
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APD 0200 -17-D InGaAs光电二极管芯片
发光二极管
ANDANTA GmbH
光谱范围: 0.95 – 1.65µm 孔径: Ø 200µm 长度: 460 ± 15µm
APD0200-17-D是一款高可靠性的平面lnGaAs雪崩光电二极管芯片，具有高响应性和低漏电流，适用于多种光电应用。
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APD 0200 -17 InGaAs光电二极管
发光二极管
ANDANTA GmbH
光谱范围: 0.95-1.65 孔径: Ø200 封装类型: ---
APD0200-17系列lnGaAs雪崩光电二极管，具有高可靠性和高响应性，适用于多个应用领域。
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APD 0200 -17-TO InGaAs光电二极管
发光二极管
ANDANTA GmbH
光谱范围: 0.95 – 1.65 µm 孔径: Ø 200 µm 封装类型: TO-46 / 3P
APD0200-17-TO 是一款高可靠性的平面型 lnGaAs 雪崩光电二极管，具有优异的响应特性和低噪声，适用于多种应用场景。
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APD 0200 -17-T1 InGaAs光电二极管
发光二极管
ANDANTA GmbH
光谱范围: 0.95 – 1.65 µm 孔径: Ø 200 µm 封装类型: TO-46 / 5P
APD0200-17-T1是一个高可靠性的平面设备，采用热电冷却的TO-46封装，具有高响应性和低噪声特性。
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