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  C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  有效面积直径: 230μm/500μm 峰值灵敏度波长: 800nm/900nm 击穿电压: 120-210V/180-260V 温度系数: 0.5V/°C/1.3V/°C 增益: M@800nm/900nm

  Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用，提供500nm至1000nm范围内的高响应度。

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  C30954EH, C30955EH, C30956EH Series 长波长增强硅雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  形状: Circular 封装: TO-5/TO-8 有用面积: 0.5/1.77/7mm2 有用直径: 0.8/1.5/3mm 名义视场: 110/104/135Degrees

  Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应（即>900nm）得到增强，同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

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  C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 响应度: 9.4A/W 工作增益: 10-20

  Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs，提供高量子效率和低噪声的高响应度。

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  C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/W

  Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长，适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

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  C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%

  C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透”结构，优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区，因此在视线中心没有响应损失。