光电二极管产品目录_选型采购-光电查

VEMD2520X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

Vishay Intertechnology的VEMD2520x01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2520X01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD2523SLX01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

Vishay Intertechnology的VEMD2523SLX01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2523SLX01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD2523X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

Vishay Intertechnology的VEMD2523X01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2523X01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD5010X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pF

Vishay Intertechnology的VEMD5010X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD5010X01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD5060X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pF

Vishay Intertechnology的VEMD5060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为35至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为30 ns.有关VEMD5060X01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD5080X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 350 to 1110 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pF

VEMD5080x0是一款高速、高灵敏度的PIN光电二极管，对350至1100 nm的可见光具有增强的灵敏度。它是一种薄型表面贴装器件（SMD），包括具有7.5 mm2敏感区域的芯片，可检测可见光和近红外辐射。光电二极管尺寸为5 X 4 X 0.9 mm，非常适合高速光电探测器应用。

VEMD5110X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pF

Vishay Intertechnology的VEMD5110X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD5110X01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD5160X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pF

Vishay Intertechnology的VEMD5160X01是一款光电二极管，波长范围为840 nm，电容为35至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为30 ns.有关VEMD5160X01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD5510C

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pF

Vishay Intertechnology的VEMD5510C是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为30至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为70 ns.有关VEMD5510C的更多详细信息，请联系我们。

VEMD5510CF

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 540 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pF

Vishay Intertechnology的VEMD5510CF是一款光电二极管，波长范围为540 nm，电容为30至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为70 ns.有关VEMD5510CF的更多详细信息，请联系我们。

VEMD6010X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3.6 to 12 pF

Vishay Intertechnology的VEMD6010x01是一款光电二极管，波长范围900 nm，电容3.6至12 PF，暗电流1至3 nA，上升时间100 ns.有关VEMD6010x01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD6060X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.8 to 11 pF

Vishay Intertechnology的VEMD6060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为4.8至11 PF，暗电流为0.03至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD6060x01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD6110X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3.6 to 12 pF

Vishay Intertechnology的VEMD6110X01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为3.6至12 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD6110x01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD6160X01

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.6 to 11 pF

Vishay Intertechnology的VEMD6160X01是一款光电二极管，波长范围为840 nm，电容为4.6至11 PF，暗电流为0.03至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD6160x01的更多详细信息，请联系我们。

VEMD8080

美国

分类：光电二极管

厂商：Vishay Intertechnology

光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 42 pF 暗电流: 0.2 nA

Vishay Intertechnology的VEMD8080是一款硅PIN光电二极管，峰值波长为850 nm.它是一种薄型表面贴装器件（SMD），包括具有4.5 mm2敏感区域的芯片，可检测可见光和近红外辐射。它的正向电压为1.2V，反向暗电流为0.2nA，光谱带宽为350~1100nm.这款光电二极管采用表面贴装封装，尺寸为4.8 X 2.5 X 0.48 mm，非常适合高速光电探测器、可穿戴应用等。

D40-SWDM-Cxx 光电探测器芯片

德国

分类：光电二极管

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 840-960 nm 数据速率: 112 Gbit/s per channel PAM-4 响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 暗电流: 4 nA

D40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

D35-SWDM-Cxx 光电探测器芯片

德国

分类：光电二极管

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 每通道 PAM-4 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

D35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片，数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择，间距为 250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

D30-SWDM-Cxx 光电探测器芯片

德国

分类：光电二极管

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s per channel 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

D30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片，数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。

D25-SWDM-Cxx 高性能光电探测器

德国

分类：光电二极管

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 响应度: 0.5A/W 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

D25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片，适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率，用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式，通道间距为250微米，可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。

13毫米光电倍增管

美国

分类：光电二极管

厂商：ADIT Electron Tubes

PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 380nm 波长范围: 290 - 630 nm 上升时间: 2ns

光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。