来自Laserscom的PDI-80-2G-K是一款光电二极管，波长范围为850至1700 nm，电容为0.95至1.1 PF，暗电流为0.03至0.16 nA，响应度/光敏度为0.96至1.10 A/W.PDI-80-2G-K的更多详情见下文。

来自Laserscom的PDI-8P50-2G-K-R50是一款光电二极管，波长范围为1000至1700 nm，电容为0.95至1.1 PF，暗电流为0.03至0.16 nA，响应度/光敏度为0.85至0.9 A/W.有关PDI-8P50-2G-K-R50的更多详细信息，请联系我们。

来自Laserscom的PDI-8P50-2G-K是一款光电二极管，波长范围为1000至1650 nm，电容为0.65至0.8 PF（芯片），0.95至1.1 PF（总电容），暗电流为0.03至0.16 nA，响应度/光敏度为0。8至0。85 A/W.有关PDI-8P50-2G-K的更多详细信息，请联系我们。

Laserscom的PMI-10G-K是一款光电二极管，波长范围为1260至1620 nm，带宽为9.0 GHz，电容为0.2 PF，暗电流为30 pA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.PMI-10G-K的更多详细信息见下文。

Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。

Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

C30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。

C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。

Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管（APD）设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度，并具有大约5纳秒的上升和下降时间，下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用，提供500nm至1000nm范围内的高响应度。

Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs，提供高量子效率和低噪声的高响应度。

Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长，适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

Teledyne DALSA推出了突破性的CMOS TDI线扫描相机格式，具有前所未有的速度、响应度和极低的噪声。 LG HS™ TDI相机的分辨率范围从4k到32k像素，专为高速应用而设计。适合LCD和OLED显示器检测等高通量应用。

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

Vigo System的PVA系列是InAs/InAsSb红外光伏探测器，工作波长为2至5.5µm.它们具有超过1.3A/W的电流响应度，并且基于外延InAs/InAsSb异质结构。这些探测器在高达300°C的温度下保持稳定，并且机械耐用。这些器件采用TO39封装，尺寸为0.1 X 0.1 mm.

YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化，具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度，非常适合测量低光强度，如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光，用于测距应用。

SPOT-YAG系列是1064纳米的钕：钇铝石榴石优化的四象限光电二极管，非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计，用于收集在活动区域外部产生的电流，以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间，非常适合低光强度测量，因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式（无偏）下运行，适用于需要低噪声的应用，也可以在光导模式（有偏）下操作，适用于高速、瞄准和指向应用。

OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列，具有大感光面积，优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容，适用于1.25Gbps以下的应用，如千兆以太网和光纤通道。