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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500WCER的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75-XX-XX是波长范围为900至1700 nm的光电二极管，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.75至0.90 A/W，上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75Acer是波长范围为900至1700nm的光电二极管，电容为0.65pF，暗电流为0.03至2nA，响应度/光敏度为0.80至0.95A/W，上升时间0.2ns.有关FCI-InGaAs-75ACER的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75C-XX-XX是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03nA、响应度/光敏度为0.75至0.90A/W、上升时间为020ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75C-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75CCER是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03至2nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间0.2ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75CCER的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75LCER是波长范围为900至1700nm的光电二极管，电容为0.65pF，暗电流为0.03至2nA，响应度/光敏度为0.80至0.95A/W，上升时间为020ns.有关FCI-InGaAs-75LCER的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75WCER是一种光电二极管，其波长范围为900至1700 nm，电容为0.65 PF，暗电流为0.03至2 nA，响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W，上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75WCER的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-8M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 pF 暗电流: 0.5 to 15 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q1000是波长范围为900至1700 nm、电容为25 PF、暗电流为0.5至15 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q1000的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 225 pF 暗电流: 2 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q3000是波长范围为900至1700 nm、电容为225 PF、暗电流为2至100 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为24 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q3000的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 15 pF 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/WOSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为15 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.FCI-InGaAs-WCER-LR的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 1800 pFOSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管，工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm，并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装，具有宽带双面AR涂层平面窗口，非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: YesOSI Laser Diode，Inc.的PIN-DSIN-TEC是一款光电二极管，波长范围为1000至1800 nm（InGaAs），电容为450 PF（Si-TOP）、300 PF（InGaAs），响应度/光敏度为0.55 A/W（Si-TOP）、0.6 A/W（InGaAs），上升时间为4µs.有关PIN-DSIN-TEC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: YesOSI Laser Diode，Inc.的PIN-DSIN是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm（Si-TOP）、1000至1800 nm（InGaAs），电容为450 PF（Si-TOP）、300 PF（InGaAs），响应度/光敏度为0.55 A/W（Si-TO-P）、0.6 A/W（InGaAs），上升时间为4µs.有关PIN-DSIN的更多详细信息，请联系我们。
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光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 典型功耗: 150mW 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50Ω (AC-Coupled)Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管（APD）与混合前置放大器，在同一个密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。
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系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 VExcelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收模块集成了APD、热电制冷器（TEC）以及放大电路，所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。
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击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 工作增益: 10-40 正向电流: 5mAExcelitas Technologies的C30733BQC-01 Pigtailed InGaAs APD是一款高速、高增益且低噪声的InGaAs雪崩光电二极管，专为光纤时域反射仪(OTDR)等电信测试设备应用而设计。
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击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 响应度: 9.4A/W 工作增益: 10-20Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs，提供高量子效率和低噪声的高响应度。
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活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/WExcelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长，适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。
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波长范围: 800-1700nm 上升时间: 2ns 输出阻抗: 50ΩExcelitas公司的CIPRM系列是一款基于高性能InGaAs光电二极管和低噪声、高增益的跨阻放大器，专为检测干扰噪声层上方的微小变化而设计的平衡光接收器。该系列产品具有优良的共模抑制比(CMRR)，适用于恶劣环境，且符合RoHS指令。
产品选型就用光电查
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