FCI-InGaAs-WCER-LR

分类：光电二极管

厂家： OSI Laser Diode, Inc.

产地：美国

型号： FCI-InGaAs-WCER-LR

更新时间： 2024-08-30 14:42:23

标签：

电信应用光电二极管高响应度低反射率波长监测激光器监测

简介：

Broadband Anti-Reflection Coated InGaAs Photodiodes

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概述

OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为15 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.FCI-InGaAs-WCER-LR的更多详情见下文。

参数

波长范围 / Wavelength Range : 900 to 1700 nm
光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs, InP
电容 / Capacitance : 15 pF
暗电流 / Dark Current : 1 nA
响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.85 to 0.95 A/W

应用

1. 波长锁定/波长监测 2. 激光器背面监测 3. DWDM 4. 仪器仪表

特征

1. 反射率小于0.6% 2. 低噪声 3. 高响应度 4. 高速 5. 光谱范围900nm到1700nm

详述

OSI Optoelectronics的Broadband Anti-Reflection Coated InGaAs Photodiodes是一款专为电信应用设计的光电二极管。其在1520nm到1620nm范围内的典型光反射率小于0.6%，这是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层抗反射涂层实现的。产品具有低噪声、高响应度和高速的特点，适用于波长锁定、激光器背面监测、DWDM和仪器仪表等应用场景。该光电二极管的存储温度范围为-40°C到+85°C，工作温度范围为0°C到+70°C，焊接温度可达+260°C。其响应度在1310nm波长下为0.85~0.90 A/W，在1550nm波长下为0.90~0.95 A/W，电容为15pF，暗电流为1nA，最大反向电压为20V，最大反向电流为2mA，最大正向电流为5mA。

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厂家介绍

OSI激光二极管公司（LDI）成立于1967年，为广泛的应用和行业生产较高质量的先进光电产品。我们较先进的制造、先进的产品开发和质量计划，加上我们持续的流程改进，体现了我们的领导、可靠性和诚信原则。

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