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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器，为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化，适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率（约0.9微米）的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。
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光源功率模块: 100-240V 单色仪焦距: 200mm 单色仪光栅线数: 1200l/mm 光栅尺寸: 40x45mm 单色仪光栅F值: 4.2Resonance Ltd.的TRSES200是一种用于将真空紫外(VUV)到紫外(UV)辐射传输到目标样品并测量目标反射率、透射率或荧光的评估系统。该系统包括一个从115nm到400nm发射的氘灯、一个200mm焦距的真空单色仪，配备PC控制的电机驱动，以及一个能够检测从115到320nm的Hamamatsu R8486光电倍增管(PMT)，LabviewTM软件和控制电子设备。适用于科研和工业光谱测量，具备高精度、宽光谱范围和用户友好的操作界面。
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可用灯泡: Krypton or Xenon 氪的峰值波长: 116.5, 123.6, 145 NM 氙的峰值波长: 147, 172 NM 氪的VUV强度: 1x1017 Ph/sec./st. 氙的VUV强度: 2x1017 Ph/sec./st.Resonance Ltd.的RD-18-06是射频驱动的灯系统，是一款可靠且无需维护的高强度深紫外线（VUV）发光源，发射波长在116至200纳米之间。该源头可安装到4.5英寸CF法兰上，便于与高真空系统连接。灯具可重新进入，以实现最佳定位。通过MgF2窗口为真空应用提供超过100毫瓦/球面度的VUV通量，如光电离飞行时间质谱分析。灯泡可互换，便于更换。温控高速风扇无需水冷即可散热。通常情况下，该源头会使用氪或氙灯泡，这些灯泡可互换，也可根据客户需求提供其他灯泡或填充压力。适用于高真空系统和光电离飞行时间质谱分析。
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峰值波长: 116.5nm, 117nm, 123.6nm, 124nm, 145nm, 147nm 窗口: MgF2/CaF2 全角输出: 45Degrees 长度/外径: <3.0/0.6cm, <3.1/0.6cm, <5.0/1.2cm, <5.1/1.2cm 保质期: >5yearsPID 6mm & 12mm PID Bulbs光电离灯是紧凑、坚固、低压气体放电灯，用于光电离探测器（PIDs）中，以测量各种挥发性有机化合物（VOCs）。Resonance生产的RF激发灯广泛用于激发气体的自然共振频率，采用适当的填充气体和窗口材料，选择近单色能量在11.7至4.9 eV范围内。
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气体填充: Deuterium 峰值波长: 160, 260NM 全光谱范围: 110 to 7000NM VUV光强: 2 x 10^16 to 4 x 10^16Photons/sec/sr 输出角度范围: 22 to 34Degrees这是一个115到1000NM RF灯系统，它是一个可靠且免维护的发射源，发射范围从115到7000NM。该源头可以安装到6英寸CF上，方便连接到UHV系统。VUV通量通过镁氟输出窗口传输，用于真空应用，如光电离、光刻和质谱分析。内部D2的热源增强了灯管的使用寿命。该灯的低功率版本用于在HST上对WF/PC II相机进行UV/VUV平场校准。
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气体填充: Krypton 峰值波长: 116-170NM 全光谱范围: 116.5-7,000NM VUV光强: 4x1016-4x1017Photons/sec/sr 输出角度范围: 30-65DegreesResonance Ltd的KrCM-LHP氪气射频激发灯系统是一种可靠且免维护的深紫外线强光源，发射波长范围从116.5到170纳米。该源可安装到6英寸CF法兰或Acton/Mcpherson法兰，方便连接到超高真空系统。通过输出窗口提供超过100毫瓦的VUV通量，用于真空应用，如光电离、光刻和质谱分析。
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外径: 12mm 直流电压: 5V for PID-K12, 24V for PID-KMD-EX 交流电压: 1600V 射频频率: 100MHz for PID-KMD-EX 光子强度: 1x10^14 photons/second/steradian for PID-K12, 1x10^15 photons/second/steradian for PID-KMD-EXResonance Ltd.提供的低功率和中功率PID套件，分别用于不同强度的光子发射应用。PID-K12和PID-KMD-EX套件为低功率和中功率光子发射应用提供稳定的10.6eV能量输出，适用于精确的光电传感任务。
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气体填充: Argon 峰值波长: 116-140NM 全光谱范围: 116.5-7000NM VUV光强: 1x1016-1x1017Photons/sec/sr 输出角度范围: 30-65DegreesResonance Ltd的High Power Argon Vacuum Ultraviolet Continuum Source ArCM-LHP是一款适用于光电离、光刻和质谱分析的高强度深紫外发射源。这是一个可靠且免维护的高强度深紫外（VUV）发射源，适用于真空应用，如光电离、光刻和质谱分析。
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气体填充: Krypton 峰值波长: 116.5,123.6NM 全谱输出: 116.5-7000NM VUV光强: 3x1016-3x1017Photons/sec/sr 输出角度范围: 30-65DegreesKrLM-LHP是一款RF功率驱动的氪灯系统，提供可靠且无需维护的深紫外线（VUV）高强度光源，主要发射波长为116.5和123.6纳米。KrLM-LHP是Resonance Ltd出品的高功率氪真空紫外线线光源，适用于光电离、光刻和质谱等真空应用。
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气体填充: Xenon 峰值波长: 147.0NM 全光谱范围: 116.5-7000NM VUV光强: 5x1016-5x1017Photons/sec/sr 输出角度范围: 30-65DegreesXeLM-LHP是一个充满氙气的射频驱动的灯系统，是一个可靠且免维护的深紫外线(VUV)发射的高强度源，特别适用于147.0纳米的发射。这个源可安装在6英寸CF法兰或Acton/Mcpherson法兰上，方便连接到超高真空系统。通过输出窗口为真空应用提供超过100毫瓦的VUV通量，如光电离、光刻和质谱分析等。
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阳极供电电压: 10-100 VDC 光谱响应: 160-320 nm 窗口材料: Quartz 峰值波长: 240 nm 光阴极电流: 1.2 uAResonance Ltd.的CsTeQ-D-L是一个紫外线CsTe二极管探测器，带有石英窗口，可以通过适配器直接安装到2.75英寸的共平面法兰上。该二极管具有10%的峰值量子效率，适用于真空系统和宽波段光电检测。
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截止波长λcut-on(10%): 2.9±1.0µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µm 探测率D*: ≥1.4×1010cm·Hz1/2/WLabM-I-5 是一款实验室红外探测模块，采用基于碲化镉汞异质结构的光学浸没式光电探测器，并集成了跨阻可编程前置放大器。3° 楔形蓝宝石窗口可防止不必要的干扰效应。要正确操作，需要可编程的 "智能 "VIGO 热电冷却器控制器 PTCC-01（单独出售）和智能管理软件（免费软件）。LabM-I-5 模块配有 PTCC-01 和智能管理器，是各种 MWIR 应用中原型设计和研发阶段的最佳解决方案。这套软件可灵活满足系统设计人员的不同需求。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性，通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率（约0.9 µm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0-13.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥2.0×1010-≥4.0×107cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥2.3×107cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.5-≥0.002A·mm/WPC-2TE系列为基于复杂HgCdTe异质结构的双级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以实现最大性能，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。低频性能由于1/f噪声而降低，1/f噪声角频率随截止波长增加。该款光电导探测器适用于红外成像、光谱分析、气体检测和热成像。
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有源元件温度: 210K 截止波长: 2.0µm 峰值波长: 10.0µm 最佳波长: 12.0µm 截止波长(10%): 13.8µmSM-I-12是一款小尺寸红外检测模块，基于HgCdTe TE冷却光学浸没光电导探测器，适用于FTIR光谱学。
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探测器类型: Type II superlattice, two-stage thermoelectrically cooled, photoconductive detector 活性元件材料: epitaxial superlattice heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 1.6±0.2µm 峰值波长λpeak: 6.2±0.3µm 截止波长λcut-off(10%): 11.0±0.3µmPCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 是一种二类超晶格双级热电冷却红外光电导探测器，具有出色的参数。光电导探测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。带有楔形锌硒化物防反射涂层窗口（wZnSeAR）的3°窗口可防止不需要的干扰效应。对于连续波辐射的检测，建议使用光学切断系统。该探测器不含汞或镉，并符合RoHS指令。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0, 10.6, 12.0, 13.0 探测率: ≥1.5×109, ≥4.5×108, ≥1.8×108, ≥1.2×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×109, ≥2.5×108, ≥9.0×107, ≥6.0×107 电流响应率-活动面积长度积: ≥0.075, ≥0.02, ≥0.01, ≥0.007PC-3TE系列采用三阶热电制冷红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性。设备针对最大性能在λopt进行了优化，需在最佳偏置电压和电流读取模式下运行。低频性能因1/f噪声而降低，1/f噪声拐点频率随截止波长增加而增加。3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0 µm, 6.0 µm, 9.0 µm, 10.6 µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.5×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.9×10^7 cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥2.0×10^7 cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^6 cm·Hz1/2/W 电流响应度-有效面积长度乘积: ≥0.07 A·mm/W, ≥0.02 A·mm/W, ≥0.003 A·mm/W, ≥0.001 A·mm/WPC系列特征为使用复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以达到最大性能，应在最佳偏置电压和电流读取模式下操作。低频性能因1/f噪声而降低，1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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暗电流: < 1 nA/cm2 响应度: > 1 A/W @ 1.55 μm 窗口材料: SapphireVIGO Photonics S.A. 基于InGaAs/InP的未冷却SWIR光电探测器640x512格式的最先进性能。FPA（焦平面阵列）采用Vigo Photonics S.A.的15微米像素技术，从外延衬底到最终封装的探测器外壳。该SWIR FPA探测器是为独特和苛刻的应用而设计的成本效益高的检测模块。小尺寸使其可以轻松地机械和热集成到目标设备中。平面蓝宝石窗口与被检测的具有精确定义光谱范围的红外源兼容。
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工作波长: 840-960 nm 数据速率: 112 Gbit/s per channel PAM-4 响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 暗电流: 4 nAD40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。