全部产品分类
HASO BROADBAND 图像传感器

HASO BROADBAND

分类: 图像传感器

厂家: Axiom Optics

产地: 美国

型号: HASO BROADBAND

更新时间: 2025-01-03 15:22:25

工业应用 显微镜 光学测量 光电技术 激光诊断 波前传感器

立即咨询 获取报价 获取报价 下载规格书 下载规格书
收藏 收藏

概述

HASO BROADBAND是一款多功能的波前传感器,适用于从紫外到红外的广泛光谱,能够满足各种实验室和工业应用的需求。

参数

  • 孔径尺寸 / Aperture Dimension : 6.9 x 5.1 mm²
  • 微透镜数量 / Number Of Microlenses : 68 x 50
  • 最大采集频率 / Maximum Acquisition Frequency : 58 Hz (USB 3.0) 或 30 Hz (GigE转换器)
  • 标定波长范围 / Calibrated Wavelength Range : 350 - 1100 nm
  • 最小功率 / Minimum Power : 0.15 nW
  • 外部触发频率 / External Trigger : TTL signal
  • 操作系统 / Operating System : Windows 10 & 11
  • 可重复性 / Repeatability : < λ/200 RMS
  • 绝对波前测量精度 / Absolute Wavefront Measurement Accuracy : · λ在350-600 nm时 ≤ 6 nm RMS, · λ在600-1100 nm时 ~ λ/100 RMS
  • 空间采样 / Spatial Sampling : ~ 100 µm
  • 局部曲率半径动态范围 / Local Radius Of Curvature Dynamic Range : ± 0.008 m to ± ∞
  • 外形尺寸 / Dimensions : 42 x 47 x 60 mm³ (USB 3.0)
  • 重量 / Weight : 200 g
  • 工作温度 / Working Temperature : 15 - 30 °C
  • 接口 / Interface : USB 3.0 或可选GigE转换器
  • 电功耗 / Power Consumption : 3.1 W
  • 动态范围(λ PtV) / Dynamic Range ( λ PtV) : 1000

应用

1. 光学计量 2. 显微镜 3. 激光诊断 4. 工业应用 5. 复杂光学系统的对齐和性能预测

特征

1. 全光谱波前测量,波长范围350 - 1100 nm 2. 直接获取收敛和发散F/5光束的波前 3. 高达λ/100 RMS的精度 4. 具备SpotTrackerTM技术,消除对齐要求 5. 能直接测量光学系统的波长依赖性

详述

HASO BROADBAND波前传感器是Imagine Optic公司推出的一款高性能设备,专为满足各种光学测量需求而设计。它能够在350到1100纳米的波长范围内进行精确的波前测量,适用于光学计量、显微镜、激光诊断等多种应用。该设备具备SpotTrackerTM技术,确保在测量过程中不需要进行繁琐的对齐操作,从而提高了工作效率。其出色的重复性和绝对波前测量精度使得HASO BROADBAND成为实验室和工业环境中理想的选择。此外,它的兼容性使得用户能够轻松结合所需的配件,进一步扩展其功能。无论是在科研还是工业应用,HASO BROADBAND都能提供可靠的性能和精准的测量结果。

图片集

HASO BROADBAND图1

规格书

下载规格书

厂家介绍

Axiom Optics提供较新的先进成像和光学计量产品。我们的团队为研究人员和工程师提供专业知识和支持。

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 3390 MCP/RAE SENSOR HEAD 图像传感器 3390 MCP/RAE传感器头 图像传感器 Quantar Technology Inc

    有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 2

    3300系列是开面、微通道板(MCP)、电阻式阳极编码器(Rae)位置敏感探测器头,用于带电粒子和高能光子探测,包括标准或涂层(如CSI、KBr)MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线,在真空中运行(完全UHV兼容)。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造,以获得较大的UHV兼容性真空压力;在操作中,单个入射事件(粒子或光子)撞击MCP检测器表面并导致电子级联,其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置,MCP在增益饱和模式下工作,以帮助确保事件间相对恒定的增益,从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。

  • EDS SEM Applications FAST SDD And C2 Window 图像传感器 EDS SEM应用FAST SDD和C2窗口 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 25mm

    Amptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器(SDD)系列,用于扫描电子显微镜(SEM)中的能量色散谱(EDS)。使用我们获得专利的C系列氮化硅(Si3N4)X射线窗口,我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍(Be)。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS,也称为能量色散X射线光谱(EDX或XEDS)和能量色散X射线分析(EDXA)或能量色散X射线微量分析(EDXMA)。

  • FAST SDD 25mm Ultra High Performance Silicon Drift Detector 图像传感器 FAST SDD 25毫米超高性能硅漂移检测器 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 25mm 活动区域: 17mm

    我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管(JFET)以及外部前置放大器,与此不同的是,快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体(CMOS)前置放大器,并用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)取代JFET。这显著降低了电容,大大降低了串联噪声,并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器,但带有前置放大器,在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的(较低的)分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线,否则峰值将重叠,从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进;更多的计数提供更好的统计数据。

  • Large Stitched X-Ray CMOS Image Sensor 图像传感器 大型缝合式X射线CMOS图像传感器 图像传感器 Forza Silicon Corp

    图像分辨率: 1024800lp/mm 图像大小: 854Pixels

    大型拼接X射线CMOS图像传感器。

  • Patented C1 Low Energy X-Ray Windows 图像传感器 获得专利的C1低能量X射线窗 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mm

    Amptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅(Si3N4),将我们的硅漂移探测器(SDD)的低能量响应扩展到硼(B)。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”,我们为一般的XRF分析提供了铍(Be)窗口的替代方案,与用于软X射线分析的聚合物窗口相比,我们提供了优越的性能。

立即咨询

加载中....