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HASO SWIR LIFT 160 图像传感器

HASO SWIR LIFT 160

分类: 图像传感器

厂家: Axiom Optics

产地: 美国

型号: HASO SWIR LIFT 160

更新时间: 2025-01-03 14:37:51

高分辨率 激光诊断 光学计量 SWIR技术 波前传感器

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概述

HASO SWIR LIFT 160是一款超高分辨率的波前传感器,专为最苛刻的SWIR应用而设计,能够在光学计量显微镜和激光诊断等领域中成功应用。

参数

  • 孔径尺寸 / Aperture Dimension : 9.3 x 7.4 mm²
  • 相位采样 / Phase Sampling : 160 x 128
  • 最大采集频率 / Maximum Acquisition Frequency : 150 Hz (USB 3.0)或49 Hz (GigE)
  • 校准波长范围 / Calibrated Wavelength Range : 1.05 - 1.70 µm
  • 最小功率 / Minimum Power : 1 pW
  • 外部触发频率 / External Trigger : TTL signal
  • 操作系统 / Operating System : Windows 10
  • 可重复性 / Repeatability : λ/200 RMS
  • 绝对波前测量精度 / Absolute Wavefront Measurement Accuracy : λ/100 RMS
  • 空间采样 / Spatial Sampling : 58 µm
  • 倾斜动态范围 / Tilt Dynamic Range : > ± 3°
  • 焦距动态范围 / Focus Dynamic Range : ± 0.040 m to ± ∞
  • 尺寸 / Dimension : 75 x 78 x 63 mm³ (USB 3.0)
  • USB版本重量 / Weight For USB Version : 250 g
  • 工作温度 / Working Temperature : 15 - 30 °C
  • 接口 / Interface : USB 3.0或GigE
  • 电功耗 / Power Consumption : < 5 W
  • 动态范围(λ PtV) / Dynamic Range (λ PtV) : 1000
  • 在λ = 1550 nm时的动态范围 / Dynamic Range At λ = 1550 Nm : 10

应用

1. 光学制造计量 2. 复杂光学特性表征 3. 中频镜面表面特性表征 4. 光学质量控制 5. LIDAR、自由空间通信、汽车、航空航天及国防应用 6. 预测光学系统的聚焦能力或成像质量 7. 驱动波前校正器以纠正系统像差 8. 定量温度和重力对系统性能的影响

特征

1. 直接波前采集高发散和聚焦光束,准确度达到λ/100 RMS 2. 波束准直灵敏度> 1 km曲率半径 3. 复杂光学特性表征,支持单路径或双路径配置 4. 3D MTF测量 5. SpotTrackerTM技术提供绝对波前和倾斜信息 6. 兼容光学工程师模块化系统

详述

HASO SWIR LIFT 160是一款卓越的波前传感器,专为高要求的短波红外(SWIR)应用而设计。它在光学计量、显微镜和激光诊断等领域表现出色,能够满足复杂光学系统的需求。该设备采用先进的SpotTrackerTM技术,提供绝对波前和倾斜信息,无需对齐,便于快速实施。其高达λ/100 RMS的测量精度和优越的动态范围使其成为光学制造和质量控制的理想选择。无论是在汽车、航空航天还是国防领域,HASO SWIR LIFT 160都能有效预测光学系统的聚焦能力和成像质量,帮助工程师实现更高的精度和可靠性。总之,这款产品是光学工程师和研究人员在进行高精度光学测量和校正时的得力助手。

图片集

HASO SWIR LIFT 160图1

规格书

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厂家介绍

Axiom Optics提供较新的先进成像和光学计量产品。我们的团队为研究人员和工程师提供专业知识和支持。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 3390 MCP/RAE SENSOR HEAD 图像传感器 3390 MCP/RAE传感器头 图像传感器 Quantar Technology Inc

    有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 2

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  • EDS SEM Applications FAST SDD And C2 Window 图像传感器 EDS SEM应用FAST SDD和C2窗口 图像传感器 Amptek Inc

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    Amptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器(SDD)系列,用于扫描电子显微镜(SEM)中的能量色散谱(EDS)。使用我们获得专利的C系列氮化硅(Si3N4)X射线窗口,我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍(Be)。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS,也称为能量色散X射线光谱(EDX或XEDS)和能量色散X射线分析(EDXA)或能量色散X射线微量分析(EDXMA)。

  • FAST SDD 25mm Ultra High Performance Silicon Drift Detector 图像传感器 FAST SDD 25毫米超高性能硅漂移检测器 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 25mm 活动区域: 17mm

    我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管(JFET)以及外部前置放大器,与此不同的是,快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体(CMOS)前置放大器,并用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)取代JFET。这显著降低了电容,大大降低了串联噪声,并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器,但带有前置放大器,在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的(较低的)分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线,否则峰值将重叠,从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进;更多的计数提供更好的统计数据。

  • Large Stitched X-Ray CMOS Image Sensor 图像传感器 大型缝合式X射线CMOS图像传感器 图像传感器 Forza Silicon Corp

    图像分辨率: 1024800lp/mm 图像大小: 854Pixels

    大型拼接X射线CMOS图像传感器。

  • Patented C1 Low Energy X-Ray Windows 图像传感器 获得专利的C1低能量X射线窗 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mm

    Amptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅(Si3N4),将我们的硅漂移探测器(SDD)的低能量响应扩展到硼(B)。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”,我们为一般的XRF分析提供了铍(Be)窗口的替代方案,与用于软X射线分析的聚合物窗口相比,我们提供了优越的性能。

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