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图像阵列: 4032 x 4096 像元尺寸: 15µm x 15µm 图像面积: 60.48mm x 61.44mm 填充因子: 近100% 读出噪声: 小于5电子@150KHzCCD2900A是一款4032 x 4096像素的固态电荷耦合器件（CCD）传感器，适用于高分辨率科学、太空、工业和商业电光系统。
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图像区域宽度: 30.96mm 像元尺寸: 15μm x 15μm 填充因子: 近100% 读出噪声: 小于3电子 输出电压: 15V-30VCCD3600A是一款2064x2064像素的图像传感器，适用于高分辨率科学、空间、工业和商业光电系统。
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图像阵列: 4096 x 4096 像元尺寸: 15µm x 15µm 图像面积: 61.44mm x 61.44mm 填充因子: 近100% 读出噪声: 2.5-3.5电子(100KHz)CCD4150A是一款4096 x 4096像素的固态电荷耦合器件（CCD）图像传感器，适用于高分辨率科学、基于空间的工业和商业电光系统。
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格式: 4080 x 4080 pixels 像元尺寸: 15µm x 15µm 填充因子: 100% 读出噪声: ≤3e- RMS at 100 kHz 全阱容量: >200ke-CCD 4850是一款4080 x 4080像素的埋沟道电荷耦合器件（CCD）传感器，旨在用于高分辨率的科学、基于空间的、工业和商业电光系统。
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像素尺寸: 10µm 输出数量: 4或16 量子效率: >90% 耗尽深度: 75-150µm 读出速率: 0.5Hz4k x 4k Si-CCD，采用分割全帧架构，具有高量子效率和卓越的图像对比度。
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图像面积: 30.72mm x 30.72mm 像素间距: 16μm x 16μm 填充因子: 100% 读出噪声: <5电子 动态范围: >75dBCCD_FT2K是一款1920 x 1920图像元素的固态电荷耦合器件（CCD）框架传输传感器，专为高分辨率科学、空间、工业和商业电光系统而设计。
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标准接口: Gigabit网络接口，铜或光纤（小型可插拔模块） 主时钟: 100 MHz频率，10 ns时间分辨率 CCD时钟供应: 28个数字-模拟转换器，100 MHz，16位 输入输出触发: 通过BNC连接器，光隔离 CCD读取: 通过16个模拟-数字转换器通道，100 MHz，每个通道使用数字相关双重采样CCD接近电子设备最初是为了运行具有最多16个输出的科学CCD而开发的，支持高达2 MHz的像素速率，适用于传感器外部测试。它可以被相机开发者用来降低自身开发工作的风险。
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传感技术: Planar lnGaAs PIN (0.9 – 1.7 µm) Array 发射器技术: lnGaN Green LED Array 像素间距: 10µm 图像尺寸: 3.2 x 3.2 mm; 12.8 x 9.6 mm 图像对角线长度: 4.5 mm; 16 mmDIVxxxxP10G-17-C lnGaAs Direct SWIR Viewer 是一种高效的短波红外（SWIR）成像设备，能够将SWIR信号转换为可见光，并广泛应用于各类检测和成像应用。
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传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7 µm 实际像素阵列: 1280 x 1024 像素间距: 15 µm 图像尺寸: 19.20 x 15.36 mm近红外（0.9 µm - 1.7 µm）InGaAs焦平面阵列，配备双级热电冷却器。
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传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 1.2 – 2.2 µm 实际像素阵列: 320 x 256 有效像素阵列: 318 x 254 像素间距: 30 µmFPA320x256-2.2-TS2a-50mm 是一款近红外图像传感器，采用 InGaAs 技术，适用于 1.2 µm - 2.2 µm 的光谱范围。
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传感技术: Planar lnGaAs PIN 光谱范围: 0.9 – 1.7 µm 实际像素阵列: 320 x 256 有效像素阵列: 318 x 254 像素间距: 30 µmFPA320x256-C 是一款近红外 (0.9 µm - 1.7 µm) 的 lnGaAs 像素阵列，具有320x256的阵列格式，适用于多种成像应用。
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传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.6-1.7 实际像素阵列: 320 x 256 有效像素阵列: 318 x 254 像素间距: 30320 x 256 InGaAs Focal Plane Array，适用于可见光至近红外成像。
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传感技术: Planar lnGaAs PIN 光谱范围: 1.2 - 2.2 µm 实际像素阵列: 640 x 512 有效像素阵列: 636 x 508 像素间距: 15 µmFPA 640x512_P15-2.2-TE2是一款短波红外（1.2 - 2.2 µm）640x512的InGaAs焦平面阵列，配备双级热电冷却器。
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传感技术: 平面lnGaAs PIN 光谱范围: 0.9-1.7µm 实际像素阵列: 640x512 有效像素阵列: 636x508 像素间距: 15µm近红外（0.9 - 1.7 µm）640x512 lnGaAs焦平面阵列
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传感技术: Planar lnGaAs PIN 光谱范围: 0.6-1.7 实际像素阵列: 640x512 有效像素阵列: 636x508 像素间距: 15近红外（0.6 - 1.7 µm）640x512 lnGaAs焦平面阵列传感器，具有高像素操作性和量子效率，适用于多种成像应用。
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传感技术: Standard InGaAs/InP 光谱范围: 0.9 μm - 1.7 μm 图像格式: 640 (H) x 512 (V) 像元尺寸: 25 μm x 25 μm (> 99 % Fill Factor) 图像尺寸: 16 mm (H) x 12.8 mm (V)近红外（0.9 µm - 1.7 µm）图像传感器，具有高像素率和高量子效率，适用于各种成像应用。
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传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7 μm 实际像素阵列: 512 x 1 像素间距: 25 μm 芯片尺寸: 15.3 x 4.5 mmLDA512P25X-1.7-C是一款近红外线线性图像传感器，具有512 x 1像素，适用于短波红外成像和半导体检测等应用。
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传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7 μm 实际像素阵列: 512 x 1 像素间距: 25 μm 像元尺寸: M 25 x 250 μm2, L 25 x 500 μm2LDA512P25X-1.7-T1 近红外线线性图像传感器，具备512 x 1像素，广泛应用于短波红外成像、半导体检测等领域。
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传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7 μm 实际像素阵列: 1024 x 1 像素间距: 12.5 μm 像元尺寸: S 12.5 x 12.5, M 12.5 x 250 μmLDA1024P12.5X-1.7-C是一款近红外线线性图像传感器，适用于短波红外成像、半导体检测等领域，具有1024 x 1像素和高达22 MHz的像素率。
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传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7μm 实际像素阵列: 1024 x 1 像素间距: 12.5μm 像元尺寸: S 12.5 x 12.5, M 12.5 x 250μmLDA1024P12.5X-1.7-T1 是一款近红外线线性图像传感器，适用于短波红外成像、超光谱成像及半导体检测等应用。