全部产品分类
CCD Proximity Electronics 图像传感器

CCD Proximity Electronics

分类: 图像传感器

厂家: ANDANTA GmbH

产地: 德国

型号: CCD Proximity Electronics

更新时间: 2024-12-20 09:50:53

科学应用 光电技术 CCD 测试设备 电子设备

立即咨询 获取报价 获取报价 下载规格书 下载规格书
收藏 收藏

概述

CCD接近电子设备最初是为了运行具有最多16个输出的科学CCD而开发的,支持高达2 MHz的像素速率,适用于传感器外部测试。它可以被相机开发者用来降低自身开发工作的风险。

参数

  • 标准接口 / Standard Interface : Gigabit网络接口,铜或光纤(小型可插拔模块)
  • 主时钟 / Master Clock : 100 MHz频率,10 ns时间分辨率
  • CCD时钟供应 / CCD Clock Supply : 28个数字-模拟转换器,100 MHz,16位
  • 输入输出触发 / Input And Output Trigger : 通过BNC连接器,光隔离
  • CCD读取 / CCD Reading : 通过16个模拟-数字转换器通道,100 MHz,每个通道使用数字相关双重采样
  • CCD电压供应(低功率) / CCD Voltage Supply (DC - Low Power) : 40 x 0… +30 V @ 10 mA,40 x -14… +14 V @ 10 mA
  • CCD电压供应(高功率) / CCD Voltage Supply (DC - High Power) : 10 x 0… +30 V @ 200 mA,10 x -14… +14 V @ 200 mA
  • 帧临时存储 / Frame Temporary Store : 4 GB RAM用于灵活读出
  • 可选择增益设置 / Selectable Gain Settings : 1.33 V或4 V输入范围,由软件选择
  • 动态范围 / Dynamic Range : 115 dB @ 100 kHz,105 dB @ 1 MHz,使用16或32位每样本
  • 同步 / Synchronization : 多个接近电子设备可以通过五类电缆与主时钟同步
  • 工作温度范围 / Operating Temperature Range : -20 °C to +40 °C
  • 功率 / Power Consumption : 30 W,使用100 – 240 VAC
  • 重量 / Weight : 4.5 kg (10 lbs)
  • 机械尺寸 / Mechanical Dimensions : 30.5 x 20.5 x 7.6 cm (12” x 10” x 3”)
  • 示例软件 / Example Software : Windows和Linux的控制和捕获应用

应用

1. 科学CCD运行 2. 相机开发 3. 传感器测试

特征

1. 标准化接口 2. 高精度时钟 3. 多通道读取 4. 可编程增益设置 5. 高动态范围 6. 灵活的存储选项 7. 适应广泛的工作温度

详述

CCD接近电子设备是为科学CCD开发的高性能电子设备,能够实现高达2 MHz的像素速率,支持多达16个输出。它的标准化接口使得与其他设备的连接更加便捷,广泛应用于科学研究和相机开发领域。设备的主时钟频率为100 MHz,具有极高的时间分辨率和灵活的增益设置,用户可以根据需求进行调整。它的动态范围高达115 dB,确保了在不同频率下的卓越性能。此外,设备的工作温度范围从-20 °C到+40 °C,适应性强,适合各种环境。总之,这是一款功能强大且灵活的光电测试设备,能够有效地支持科学研究和技术开发。

规格书

下载规格书

厂家介绍

我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询,或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 3390 MCP/RAE SENSOR HEAD 图像传感器 3390 MCP/RAE传感器头 图像传感器 Quantar Technology Inc

    有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 2

    3300系列是开面、微通道板(MCP)、电阻式阳极编码器(Rae)位置敏感探测器头,用于带电粒子和高能光子探测,包括标准或涂层(如CSI、KBr)MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线,在真空中运行(完全UHV兼容)。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造,以获得较大的UHV兼容性真空压力;在操作中,单个入射事件(粒子或光子)撞击MCP检测器表面并导致电子级联,其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置,MCP在增益饱和模式下工作,以帮助确保事件间相对恒定的增益,从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。

  • EDS SEM Applications FAST SDD And C2 Window 图像传感器 EDS SEM应用FAST SDD和C2窗口 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 25mm

    Amptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器(SDD)系列,用于扫描电子显微镜(SEM)中的能量色散谱(EDS)。使用我们获得专利的C系列氮化硅(Si3N4)X射线窗口,我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍(Be)。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS,也称为能量色散X射线光谱(EDX或XEDS)和能量色散X射线分析(EDXA)或能量色散X射线微量分析(EDXMA)。

  • FAST SDD 25mm Ultra High Performance Silicon Drift Detector 图像传感器 FAST SDD 25毫米超高性能硅漂移检测器 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 25mm 活动区域: 17mm

    我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管(JFET)以及外部前置放大器,与此不同的是,快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体(CMOS)前置放大器,并用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)取代JFET。这显著降低了电容,大大降低了串联噪声,并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器,但带有前置放大器,在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的(较低的)分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线,否则峰值将重叠,从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进;更多的计数提供更好的统计数据。

  • Large Stitched X-Ray CMOS Image Sensor 图像传感器 大型缝合式X射线CMOS图像传感器 图像传感器 Forza Silicon Corp

    图像分辨率: 1024800lp/mm 图像大小: 854Pixels

    大型拼接X射线CMOS图像传感器。

  • Patented C1 Low Energy X-Ray Windows 图像传感器 获得专利的C1低能量X射线窗 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mm

    Amptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅(Si3N4),将我们的硅漂移探测器(SDD)的低能量响应扩展到硼(B)。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”,我们为一般的XRF分析提供了铍(Be)窗口的替代方案,与用于软X射线分析的聚合物窗口相比,我们提供了优越的性能。

立即咨询

加载中....