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量子效率: QE最高可达40%(用于3-poly Si像素)或65%(用于虚拟相位像素) 光谱灵敏度范围: 300nm-1000nm(用于3-poly Si像素)或200nm-1000nm(用于虚拟相位像素) 可切换TDI级数: 8,16,32,64,128或12,24,48,92,192行 像素结构: 3-poly Si或虚拟相位 设备架构: 多种设备架构、格式和像素尺寸该产品是一种高性能的CCD图像传感器，具有多种像素结构和设备架构，适用于多种应用场景。
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工作电压: USB供电 图像频率: 340Hz 集成时间范围: 11-4000 电压范围: 0-3.6VFPA64x64-C 测试板用于驱动和读取 FPA64x64-C InGaAs 传感器，适合内部测试和设置。
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检测孔径: Ø 455 µm / Ø 950 µm / Ø 1850 µm 工作温度: 23°CVIS-InGaAs PIN Photodiode，适用于0.6 µm至1.7 µm的光谱范围，提供高可靠性和高响应性。
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像素数量: 4k x 4k 像元尺寸: 24µm x 24µm 输出数量: 16 帧率: 2 fps X射线分辨率: 22µm (PSF at FWHM)CCD3200A是一款高效的直接探测CCD，能够将X射线直接转化为电信号，具有高达80%以上的探测效率，适用于软X射线和硬X射线的探测。
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传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7 μm 实际像素阵列: 2048 x 1 像素间距: 12.5 μm 像元尺寸: 12.5 x 12.5 μm近红外线线性图像传感器（0.9 - 1.7 μm），具有2048 x 1像素，适用于多种成像应用。
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光谱范围: 250 - 1700 nm 光谱分辨率: 1000nm 入射角: 1 - 1 deg纳米薄膜_EP4BAM是EP4成像椭偏平台的一种特殊配置。是一种理想的薄膜成像系统，可升级为成像椭偏仪。这是一个完全无需动手的计算机控制系统，使用专有的电机控制电路。Nanofilm_EP4BAM可直接在显示器上显示样品的实时图像，并具有重要的图像处理功能。物镜扫描仪为整体聚焦图像提供了扩展的景深。高功率绿色激光器和出色的物镜相结合，可实现1微米的横向分辨率，这是目前CCD光学探测器的极限。强大的软件使操作变得简单方便。作为一个完整的解决方案，该系统包括计算机、电子设备和所有必要的软件，用于在您现有的槽上或使用我们的集成槽之一开始测量。水槽是一个单独的项目，不包括在标准中。
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光谱范围: 250 - 1700 nm 光谱分辨率: 300nm 入射角: 1 - 1 deg新一代显微薄膜、表面和材料计量工具采用自动归零椭圆偏振术和显微镜相结合的方法，能够以小至1微米的横向分辨率进行表面表征。这能够分辨比大多数非成像椭偏仪小1000倍的样品区域，即使它们使用微点光谱选项。Nanofilm_EP4使用各种独特的功能，允许实时可视化您的表面。您将在微观尺度上看到样品的结构，并测量厚度、折射率和吸收等参数。可以记录选定区域的3D剖面图。与AFM、QCM-D、反射计、拉曼光谱等其他技术的仪器组合有可能从您的样品中获得更多信息。
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光谱范围: 450 - 900 nm 光谱分辨率: 1000nm 入射角: 1 - 1 degNanofilm_RSE是一种特殊类型的椭偏仪，它将样品与参考进行比较。以这种方式，可以测量样品和参考之间的椭圆偏振差。由于参考的取向，在测量过程中不需要移动或调制任何光学元件，并且可以在单次测量中获得完整的高分辨率光谱。通过这种方式，每秒可获得100个光谱。同步X-Y平台能够在几分钟内采集大视场薄膜厚度图。参考光谱椭偏仪将椭偏仪的高灵敏度和层厚区域（0.1nm-10µm）与市场上可用的较高速度相结合。与激光椭偏仪相比，它包括450和900nm之间的光谱信息。这在处理层的一个以上参数是可变的情况下是重要的，例如厚度和光密度。