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- Kyosemi Opto America Corp
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APD 类型: InGaAs 工作波长: 1310nm 工作波长范围: 1310 - 1550 nmInGaAs雪崩光电二极管。
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APD 类型: InGaAs 工作波长: 1310nm 工作波长范围: 1310 - 1550 nmInGaAs雪崩光电二极管。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 pFKyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管，工作波长为900至1700 nm（O、E、S、C、L波段）。它可以处理10mW的最大输入光功率，响应度为0.8-0.9A/W，带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm，电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA，反向电压为20V，正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装，尺寸为Ø2.41 mm，非常适合光监控应用。
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光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 75 fFKyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管，工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz，响应度为0.5A/W，有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG（地/信号/地）电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA，击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装，非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: SiliconKyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管，工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率，光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源，消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W，支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成，并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块，带有SMA母头连接器，非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。
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模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: YesKyoto Semiconductors的KPMC29是一款Si/InGaAs双色调光电二极管，有效面积为2.2 X 2.2 sq.毫米（Si）和0.86 X 0.86平方毫米（InGaAs）。为了扩展波长范围，在同一轴上堆叠了对短波长敏感的Si光电二极管和对长波长敏感的InGaAs光电二极管。它的终端电容为30 PF（Si）、45 PF（InGaAs），响应度高达0.7 A/W（Si）、0.9 A/W（InGaAs）。该光电二极管在-20至+80℃的温度范围内工作，并且具有从400至1700nm的宽波长范围。该设备非常适合用于分光光度计、辐射温度计、医疗设备、保健设备和光纤测试设备。
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安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 20 V 集电极暗电流: 5 to 200 nAKyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管，其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2，产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度，上升/下降时间为5μs，暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600，最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装，尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm，非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。