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KPT081M31 光电晶体管

KPT081M31

分类： 光电晶体管

厂家： Kyosemi Opto America Corp

产地： 日本

型号： KPT081M31

更新时间： 2024-08-30 14:37:08

简介：

800 nm Silicon NPN Phototransistor for Automatic Control Apparatus & Infrared Sensors

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概述

Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管，其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2，产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度，上升/下降时间为5μs，暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600，最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装，尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm，非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

参数

  • 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
  • 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
  • 极性 / Polarity : NPN
  • 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 20 V
  • 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 5 to 200 nA
  • 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
  • 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 400 to 1000 nm

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厂家介绍

光半导体器件的研发、制造和销售，包括光半导体元件、光学和光传感器、光通信用器件以及其他半导体相关产品。

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