1053nm蝶形激光二极管。高达300 MW CW.带FC/APC光纤连接器的HI1060光纤输出。与选项1bis：PM光纤、选项2（带FBG的窄发射）和选项3（3 mm准直器）兼容。注：未选择选项2（FBG）时，激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在10和20°C之间时，达到1053 nm波长（所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器）。

785nm蝶形激光二极管。高达150 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。兼容选项1：PM光纤、选项2（带FBG的窄发射）和选项3（3 mm准直器）。注：未选择选项2（FBG）时，激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和35°C之间时，达到785nm波长（所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器）。

790nm蝶形激光二极管。高达250 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。与选项1兼容：PM光纤、选项2（窄发射@792nm，带FBG-TM3+泵浦的理想选择）和选项3（3mm准直器）。注：未选择选项2（FBG）时，激光二极管表现为标准法布里-珀罗激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和40°C之间时，可达到792 nm TM3+泵浦波长（所有航空二极管可选驱动器都具有高效的激光二极管芯片温度调节）。

单独的830nm蝶形激光二极管。高达200 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。兼容选项1：PM光纤、选项2（带FBG的窄发射）和选项3（3 mm准直器）。注：未选择选项2（FBG）时，激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在15至35°C之间的给定温度时，可达到830 nm波长（所有航空二极管驱动器均包括高效激光二极管芯片温度控制器）。

单独的830nm蝶形激光二极管。窄线宽发射高达600 MW CW，830±1 nm多模105/125µm光纤输出，具有900µm缓冲涂层和FC/PC光纤连接器。与上述选项-3（3 mm准直器）兼容-见上文。采用特殊的体布拉格光栅（VBG）实现了非常稳定的窄发射线宽。蝶形1型封装。

105（核心）/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）在830 nm处发射高达2 W的高功率激光二极管。FC/PC光纤连接器输出（可按需提供SMA）。与选项6兼容：高功率准直器（见下文）。

105（核心）/125/250/900µm多模激光二极管（NA=0.22）在830 nm处发射高达20 W的高功率激光二极管。SMA光纤连接器输出（FC/PC按需提供）。与选项6兼容：高功率准直器（见下文）。

Bandwidth10的1550nm PM可调谐VCSEL尾纤TOSA是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模式1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜，可以实现晶圆级的低成本制造工艺，并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与热电冷却器共同封装，用于温度和波长稳定，采用7针TOSA封装，永久连接光纤。辫子式TOSA有FC/APC和LC/APC连接器可供选择。它提供超过200kHz的快速波长调谐，调谐范围为10nm。

Bandwidth10的1060nm可调谐VCSEL尾纤TOSA是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模1060nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜，可以实现晶圆级的低成本制造工艺，并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装，用于温度和波长稳定，采用7针TOSA封装，并永久连接光纤。辫子式TOSA可使用FC/APC连接器。它提供了超过200kHz的快速波长调谐，调谐范围高达50nm。

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

R56-850TB光接收模块采用PIN光电探测器和限幅跨阻放大器（TIA），组装在高速适配板上，具有差分电信号输出。该模块通过多模光纤耦合，使用FC/PC连接器输入，设计用于使用NRZ调制的超高速数据通信应用，速率高达56Gbit/s。适用于短距离超高速数据通信应用。

FCI-H125G-010是一款针对短波长（850nm）高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器，并包括一个高增益跨阻放大器，用于产生差分输出电压，以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器，适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。

FCI-InGaAs-QXXX系列是大活动面积的InGaAs光电二极管，分割成四个独立的活动区域。这些光电二极管有1mm和3mm的活动区域直径。InGaAs四象限系列具有高响应均匀性和元素间低串扰，非常适合精确的零位或中心定位应用以及光束轮廓分析应用。

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器，适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面，非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用，能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计，其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管，专为高速通信领域设计，特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器，如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器，封装在密封的4针TO-46封装中，适用于高速信号放大。

FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器，具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中，为高速信号检测和放大提供了理想条件。

FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管，具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸，展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度，使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装，或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率，适用于高速光通信，具有高响应度和宽光谱范围，是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分，具有出色的响应性，从1100nm到1620nm，允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用，如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层，能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度，支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座，适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外，500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。