• 785LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 785 nm 技术: Butterfly single mode

    785nm蝶形激光二极管。高达150 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。兼容选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和35°C之间时,达到785nm波长(所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 790LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 790 nm 技术: Butterfly single mode 输出功率(脉冲): 400 mW

    790nm蝶形激光二极管。高达250 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。与选项1兼容:PM光纤、选项2(窄发射@792nm,带FBG-TM3+泵浦的理想选择)和选项3(3mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准法布里-珀罗激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和40°C之间时,可达到792 nm TM3+泵浦波长(所有航空二极管可选驱动器都具有高效的激光二极管芯片温度调节)。

  • 830LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Butterfly single mode 输出功率(脉冲): 400 mW 输出功率: 200 mW

    单独的830nm蝶形激光二极管。高达200 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。兼容选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在15至35°C之间的给定温度时,可达到830 nm波长(所有航空二极管驱动器均包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 830LD-2-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Butterfly MULTIMODE with VBG 输出功率(脉冲): 600 mW 输出功率: 600 mW

    单独的830nm蝶形激光二极管。窄线宽发射高达600 MW CW,830±1 nm多模105/125µm光纤输出,具有900µm缓冲涂层和FC/PC光纤连接器。与上述选项-3(3 mm准直器)兼容-见上文。采用特殊的体布拉格光栅(VBG)实现了非常稳定的窄发射线宽。蝶形1型封装。

  • 830LD-3-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Multimode single emitter 输出功率(脉冲): 2000 mW

    105(核心)/125/250/900µm多模激光二极管(NA=0.22)在830 nm处发射高达2 W的高功率激光二极管。FC/PC光纤连接器输出(可按需提供SMA)。与选项6兼容:高功率准直器(见下文)。

  • 830LD-4-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Multimode multiemitter 输出功率(脉冲): 20000 mW

    105(核心)/125/250/900µm多模激光二极管(NA=0.22)在830 nm处发射高达20 W的高功率激光二极管。SMA光纤连接器输出(FC/PC按需提供)。与选项6兼容:高功率准直器(见下文)。

  • BW10-1550-T-P 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1050 nm

    Bandwidth10的1550nm PM可调谐VCSEL尾纤TOSA是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模式1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜,可以实现晶圆级的低成本制造工艺,并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与热电冷却器共同封装,用于温度和波长稳定,采用7针TOSA封装,永久连接光纤。辫子式TOSA有FC/APC和LC/APC连接器可供选择。它提供超过200kHz的快速波长调谐,调谐范围为10nm。

  • BW10-1060-T-P  半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1060 nm

    Bandwidth10的1060nm可调谐VCSEL尾纤TOSA是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模1060nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜,可以实现晶圆级的低成本制造工艺,并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装,用于温度和波长稳定,采用7针TOSA封装,并永久连接光纤。辫子式TOSA可使用FC/APC连接器。它提供了超过200kHz的快速波长调谐,调谐范围高达50nm。

  • FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

  • R56-850TB 光接收模块 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 上升时间(20%到80%): ~6ps 最大功耗: 280mW 波长响应: 800~1550nm

    R56-850TB光接收模块采用PIN光电探测器和限幅跨阻放大器(TIA),组装在高速适配板上,具有差分电信号输出。该模块通过多模光纤耦合,使用FC/PC连接器输入,设计用于使用NRZ调制的超高速数据通信应用,速率高达56Gbit/s。适用于短距离超高速数据通信应用。

  • FCI-H125G-010 硅光电探测器加跨阻放大器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55 - +125°C 工作温度: -40 - +75°C 供电电压: +3 - +5.5V 输入光功率: --- - +5dBm 电源电流: 38 - 50mA

    FCI-H125G-010是一款针对短波长(850nm)高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器,并包括一个高增益跨阻放大器,用于产生差分输出电压,以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器,适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。

  • FCI-InGaAs-QXXX 大活动面积InGaAs四象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55~+125°C 工作温度: -40~+75°C 焊接温度: 最高+260°C 活动区域直径: 1000~3000µm 响应度: 0.85~0.90A/W

    FCI-InGaAs-QXXX系列是大活动面积的InGaAs光电二极管,分割成四个独立的活动区域。这些光电二极管有1mm和3mm的活动区域直径。InGaAs四象限系列具有高响应均匀性和元素间低串扰,非常适合精确的零位或中心定位应用以及光束轮廓分析应用。

  • FCI-InGaAs-36C 光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    感光区直径: 36µm 芯片尺寸: 450 x 250µm x µm 响应度(1310nm): 0.8 - 0.85A/W 响应度(1550nm): 0.75 - 0.8A/W 电容: VR=5V --- 0.16 - 0.2pF

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器,适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面,非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用,能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

  • FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+85°C 工作温度: 0~+70°C 焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500µm X µm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W

    OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计,其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管,专为高速通信领域设计,特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

  • FCI-H125/250G-InGaAs-XX 高速InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: 0~+5.5V 输入光功率: ---~+3dBm 电源电流: 26~65mA

    FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器,如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器,封装在密封的4针TO-46封装中,适用于高速信号放大。

  • FCI-H622M-InGaAs-75 高性能InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: +3~+3.6V 输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mA

    FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器,具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中,为高速信号检测和放大提供了理想条件。

  • FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管,具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸,展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度,使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装,或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率,适用于高速光通信,具有高响应度和宽光谱范围,是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

  • FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分,具有出色的响应性,从1100nm到1620nm,允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用,如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

  • FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 75µm, Pitch:250µm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 电容: Typ. 0.65pF 暗电流: Typ. 0.03nA 最大反向电压: 20V

    FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层,能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度,支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座,适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外,500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

  • FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管,安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控,具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。