QL82R6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为819至829 nm，输出功率为200 MW，工作电压为1.8至2.6 V，工作电流为210至240 mA.有关QL82R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL83D6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为822至834 nm，输出功率为5 MW，工作电压为1.85至1.95 V，工作电流为15至28 mA.有关QL83D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL83F6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为820至840 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.7至2.4 V，工作电流为30至55 mA.有关QL83F6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL83H6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为820至840 nm，输出功率为20 MW，工作电压为1.9至2.5 V，工作电流为45至70 mA.有关QL83H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL83O6S-A/B/C是波长为820至840 nm、输出功率为100 MW、工作电压为1.7至2.5 V、工作电流为120至170 mA的激光二极管。有关QL83O6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL83R6S-A/B/C是波长为815至840 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.5 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL83R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL84S6SL是波长为835至855 nm、输出功率为450 MW、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为530至550 mA的激光二极管。有关QL84S6SL的更多详细信息，请联系我们。

QL85D6S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为5 MW，工作电压为1.8至2.5 V，工作电流为15至30 mA.有关QL85D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

Quantum Semiconductor International的QL85G63E是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为15 MW，工作电压为2.2至2.4 V，工作电流为45至55 mA.有关QL85G63E的更多详细信息，请联系我们。

QL85H6S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为845至865 nm，输出功率为20 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为40至70 mA.有关QL85H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

Quantum Semiconductor International的QL85I6S-A/B/C是一种激光二极管，波长为845至860 nm，输出功率为30 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为50至90 mA.有关QL85I6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL85J6S-A/B/C-L是波长为845至865 nm、输出功率为40 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为70至110 mA的激光二极管。有关QL85J6S-A/B/C-L的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL85R6S-A/B/C是波长为840至860 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.6 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL85R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL90F7S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为885至915 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.3 V，工作电流为35至60 mA.有关QL90F7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置光电二极管，用于监控激光二极管。

来自Quantum Semiconductor International的QL94R6S-A/B/C是波长为930至950 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.4 V、工作电流为270至320 mA的激光二极管。有关QL94R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

HARPIA-TG是一个瞬时光栅光谱仪，用于测量载流子扩散和寿命。测量是基于激光诱导的瞬态光栅（LITG）技术。这种方法可以通过全光手段同时观察非平衡载流子的重组和扩散。 HARPIA-TG允许对非导电或非荧光的样品进行表征。它适用于半导体材料和衍生物，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、包晶石、有机和无机太阳能电池、量子点，甚至复杂的纳米结构，如量子井。 与CARBIDE或带有集成光学参数放大器（I-OPA）的PHAROS激光器相配合，这个紧凑的系统通过先进的测量和分析软件实现了完全自动化和计算机控制。因此，用户只需要把样品放在支架上并开始测量，就可以在几分钟内获得扩散系数。

Exail的Absolute Quantum Gravimeter是一款基于激冷原子的自由落体绝对重力仪，能够提供一个便携式量子传感器，测量重力达到10-8 m/s2的精度。适用于地球物理、大地测量等领域。