Quantum Semiconductor International的QL80T4HD-Y是一款激光二极管，波长为785至830 nm，输出功率为1 W，工作电压为2至2.5 V，工作电流为1.1至1.5 A.有关QL80T4HD-Y的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL82R63A/B是波长为819至829nm的激光二极管，输出功率为200mW，工作电压为1.8至2.6V，工作电流为210至250mA.有关QL82R63A/B的更多详细信息，请联系我们。

QL82R6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为819至829 nm，输出功率为200 MW，工作电压为1.8至2.6 V，工作电流为210至240 mA.有关QL82R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL83D6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为822至834 nm，输出功率为5 MW，工作电压为1.85至1.95 V，工作电流为15至28 mA.有关QL83D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL83F6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为820至840 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.7至2.4 V，工作电流为30至55 mA.有关QL83F6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL83H6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为820至840 nm，输出功率为20 MW，工作电压为1.9至2.5 V，工作电流为45至70 mA.有关QL83H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL83O6S-A/B/C是波长为820至840 nm、输出功率为100 MW、工作电压为1.7至2.5 V、工作电流为120至170 mA的激光二极管。有关QL83O6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL83R6S-A/B/C是波长为815至840 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.5 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL83R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL84S6SL是波长为835至855 nm、输出功率为450 MW、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为530至550 mA的激光二极管。有关QL84S6SL的更多详细信息，请联系我们。

QL85D6S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为5 MW，工作电压为1.8至2.5 V，工作电流为15至30 mA.有关QL85D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

Quantum Semiconductor International的QL85G63E是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为15 MW，工作电压为2.2至2.4 V，工作电流为45至55 mA.有关QL85G63E的更多详细信息，请联系我们。

QL85H6S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为845至865 nm，输出功率为20 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为40至70 mA.有关QL85H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

Quantum Semiconductor International的QL85I6S-A/B/C是一种激光二极管，波长为845至860 nm，输出功率为30 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为50至90 mA.有关QL85I6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL85J6S-A/B/C-L是波长为845至865 nm、输出功率为40 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为70至110 mA的激光二极管。有关QL85J6S-A/B/C-L的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL85R6S-A/B/C是波长为840至860 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.6 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL85R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL90F7S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为885至915 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.3 V，工作电流为35至60 mA.有关QL90F7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置光电二极管，用于监控激光二极管。

来自Quantum Semiconductor International的QL94R6S-A/B/C是波长为930至950 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.4 V、工作电流为270至320 mA的激光二极管。有关QL94R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。