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QL85G63E 半导体激光器
精品

QL85G63E

分类: 半导体激光器

厂家: QSI(Quantum Semiconductor International)

产地: 韩国

型号: QL85G63E

更新时间: 2024-07-13 12:54:39

激光二极管 传感器 工业光学 GaAs 850nm MOCVD

MOCVD grown 850 nm band GaAs laser diode with quantum well structure

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概述

Quantum Semiconductor International的QL85G63E是一款激光二极管,波长为845至855 nm,输出功率为15 MW,工作电压为2.2至2.4 V,工作电流为45至55 mA.有关QL85G63E的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 845 to 855 nm
  • 输出功率 / Output Power : 15 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 2.4 V
  • 工作电流 / Operating Current : 45 to 55 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 30 to 40 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : GaAs Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

应用

1. 传感器 2.工业光学模块

特征

1.可见光输出:λp=850nm 2.光输出功率:15mW CW 3.封装类型:TO-33(Φ3.3mm) 4.TE模式振荡,单横模

详述

QL85G63E是一款由Quantum Semiconductor International Co., Ltd.生产的850nm波段GaAs激光二极管,采用MOCVD生长技术,具有量子阱结构。该产品具有15mW的典型光输出功率,适用于工业光学模块和传感器应用。其主要特点包括可见光输出、TE模式振荡和单横模操作。该激光二极管在工作温度范围为-10~+60℃,存储温度范围为-40~+85℃。其工作电流为45~55mA,工作电压为2.2~2.4V,斜率效率为0.8~1.2mW/mA。QL85G63E具有较高的调制频率和光学距离,适合在各种工业和传感应用中使用。

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厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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