Photodigm DBR 激光二极管为短波红外精密激光二极管设定了世界标准。

QL85G63E
分类: 半导体激光器
厂家: QSI(Quantum Semiconductor International)
产地: 韩国
型号: QL85G63E
更新时间: 2024-07-13 12:54:39
激光二极管 传感器 工业光学 GaAs 850nm MOCVD
MOCVD grown 850 nm band GaAs laser diode with quantum well structure



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概述
参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 845 to 855 nm
- 输出功率 / Output Power : 15 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 2.4 V
- 工作电流 / Operating Current : 45 to 55 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 30 to 40 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : GaAs Lasers
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
应用
1. 传感器 2.工业光学模块
特征
1.可见光输出:λp=850nm 2.光输出功率:15mW CW 3.封装类型:TO-33(Φ3.3mm) 4.TE模式振荡,单横模
详述
规格书
厂家介绍
凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。
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