QL85D6S-A/B/C

分类：半导体激光器

厂家： QSI(Quantum Semiconductor International)

产地：韩国

型号： QL85D6S-A/B/C

更新时间： 2024-07-13 12:54:26

标签：

激光二极管传感器工业光学 850nm AlGaAs

简介：

MOCVD grown 850 nm band AIGaAs laser diode with quantum well structure

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概述

QL85D6S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为5 MW，工作电压为1.8至2.5 V，工作电流为15至30 mA.有关QL85D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

参数

技术 / Technology : Quantum Well
工作模式 / Operation Mode : CW Laser
波长 / Wavelength : 845 to 855 nm
输出功率 / Output Power : 5 mW
工作电压 / Operating Voltage : 1.8 to 2.5 V
工作电流 / Operating Current : 15 to 30 mA
阈值电流 / Threshold Current : 5 to 20 mA
激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs Lasers
激光颜色 / Laser Color : Infrared
类型 / Type : Free Space Laser Diode

应用

1. 传感器 2. 工业光学模块

特征

1. 可见光输出：λp=850nm 2. 光学功率输出：5mW CW 3. 封装类型：TO-18 (5.6mmφ) 4. 内置光电二极管用于监控激光二极管

详述

QL85D6S-A/B/C是一款高性能的850nm波段AlGaAs激光二极管，采用量子阱结构，具有典型光输出功率5mW，适用于传感器和工业光学模块应用。其封装类型为TO-18 (5.6mmφ)，内置光电二极管用于监控激光二极管的性能。该产品具有高可靠性和稳定性，能够在-10至60摄氏度的工作温度范围内正常工作，并且具有较长的储存寿命。无论是在工业自动化还是在精密传感领域，QL85D6S-A/B/C都能提供卓越的光源解决方案。

规格书

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厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力，QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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