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QL83D6S-A/B/C 半导体激光器
精品

QL83D6S-A/B/C

分类: 半导体激光器

厂家: QSI(Quantum Semiconductor International)

产地: 韩国

型号: QL83D6S-A/B/C

更新时间: 2024-08-26 20:33:13

激光二极管 传感器 830nm 量子阱结构 AlGaAs 工业光学模块

MOCVD grown 830 nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure

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概述

QL83D6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为822至834 nm,输出功率为5 MW,工作电压为1.85至1.95 V,工作电流为15至28 mA.有关QL83D6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 822 to 834 nm
  • 输出功率 / Output Power : 5 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.85 to 1.95 V
  • 工作电流 / Operating Current : 15 to 28 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 14 to 20 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

应用

1. 传感器 2. 工业光学模块

特征

1. 可见光输出:λp = 830 nm 2. 光输出功率:5mW CW 3. 封装类型:TO-18 (5.6mmφ) 4. 内置光电二极管用于监控激光二极管

详述

QL83D6S-A/B/C 是 Quantum Semiconductor International Co., Ltd. 生产的一款高性能激光二极管,采用 MOCVD 生长技术,具有 830nm 波段的量子阱结构。其典型光输出功率为 5mW,适用于工业光学模块和传感器应用。产品具有内置光电二极管用于监控激光二极管,封装类型为 TO-18 (5.6mmφ)。此款激光二极管在电气和光学特性方面表现优异,适合在多种环境下使用。

规格书

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厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
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  • 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器 Excelitas Technologies

    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

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    10.26μm分布反馈(DFB)QCL.

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  • 1053nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1053纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1053nm 输出功率: 300mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计,在时间、温度(0.007 nm/0C)和振动方面具有出色的波长稳定性,并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm(上述标准波长),采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

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