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QL90F7S-A/B/C 半导体激光器
精品

QL90F7S-A/B/C

分类： 半导体激光器

厂家： QSI(Quantum Semiconductor International)

产地： 韩国

型号： QL90F7S-A/B/C

更新时间： 2024-08-30 08:41:53

标签：

激光二极管 传感器 InGaAs 量子阱结构 工业光学模块

简介：

MOCVD grown 905 nm band InGaAs laser diode with quantum well structure

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概述

QL90F7S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为885至915 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.3 V，工作电流为35至60 mA.有关QL90F7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 885 to 915 nm
  • 输出功率 / Output Power : 10 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.5 to 2.3 V
  • 工作电流 / Operating Current : 35 to 60 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 12 to 25 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAs Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

应用

1. 传感器

特征

1.可见光输出：λp = 905nm 2.光输出功率：10mW CW 3.封装类型：TO-18 (5.6mmφ) 4.内置光电二极管用于监控激光二极管

详述

QL90F7S-A/B/C是一款高性能的905nm波段InGaAs激光二极管，采用量子阱结构，提供典型10mW光输出功率。其主要应用包括传感器、激光器和工业光学模块。该产品具有内置光电二极管用于监控激光二极管，封装类型为TO-18 (5.6mmφ)。其主要技术参数包括阈值电流12~25mA，工作电流35~60mA，工作电压1.5~2.3V，斜率效率0.3~0.7mW/mA等。QL90F7S-A/B/C在-10至+70°C的温度范围内工作，存储温度范围为-40至+85°C。该产品适合多种光电应用场景，是一款可靠的光源选择。

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厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力，QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
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  • 1053nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1053纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1053nm 输出功率: 300mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计，在时间、温度（0.007 nm/0C）和振动方面具有出色的波长稳定性，并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm（上述标准波长），采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

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