LX27901ID是Microsemi公司生产的一款LED驱动芯片，电源电压为0.3~36V，电源电流为7~10mA，输出电压为-0.3V.至6.5 V，开关频率138至162 kHz.有关LX27901ID的更多详细信息，请联系我们。

LX27902IDW是Microsemi公司生产的一款LED驱动芯片，其工作电压范围为-0.3~36 V，工作电流范围为4.7~6.5 mA，开关频率范围为144~196 kHz.有关LX27902IDW的更多详细信息，请联系我们。

LX27912IDW是Microsemi公司生产的一款LED驱动芯片，其电源电压为-0.3~36 V，电源电流为4.7~6.5 mA，开关频率为144~156 kHz.有关LX27912IDW的更多详细信息，请联系我们。

Laser Components的IAG 350X是一款InGaAs雪崩光电二极管，可在1100 nm至1630 nm的光谱范围内进行检测。该探测器在1550nm处的峰值响应度为0.94A/W，在1000~1600nm范围内的量子效率大于70%。它的有源区直径为350微米，带宽高达2.5 GHz.该光电二极管具有大于200kW/cm2的高损伤阈值。芯片密封在改进的TO-46封装中或安装在陶瓷底座上。该探测器是测距应用、自由空间光通信和高分辨率光学相干层析成像的理想选择。

来自Spectrolab的InGaAs/p-I-n 10Gb芯片是一款光学探测器，波长范围为1310至1550 nm，暗电流为0.1至0.2 nA，电容为0.2至0.30 PF，响应度/光敏度为0.90至1 A/W，有效面积直径为25µm.InGaAs/P-I-N 10Gb裸片的更多详情见下文。

VEMD5080x0是一款高速、高灵敏度的PIN光电二极管，对350至1100 nm的可见光具有增强的灵敏度。它是一种薄型表面贴装器件（SMD），包括具有7.5 mm2敏感区域的芯片，可检测可见光和近红外辐射。光电二极管尺寸为5 X 4 X 0.9 mm，非常适合高速光电探测器应用。

Vishay Intertechnology的VEMD8080是一款硅PIN光电二极管，峰值波长为850 nm.它是一种薄型表面贴装器件（SMD），包括具有4.5 mm2敏感区域的芯片，可检测可见光和近红外辐射。它的正向电压为1.2V，反向暗电流为0.2nA，光谱带宽为350~1100nm.这款光电二极管采用表面贴装封装，尺寸为4.8 X 2.5 X 0.48 mm，非常适合高速光电探测器、可穿戴应用等。

Opto Diode Corporation的AXUV20A是一种圆形光电二极管，有效面积为5.5 mm直径，对电子能级的灵敏度低至100eV.它的分流电阻超过100 mOhm，电容低于10 N，反向击穿电压为10 V，上升时间为2µs.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

Opto Diode Corporation的AXUV20HS1是一款圆形光电二极管，有效面积为20平方。嗯。它的电容小于800pF，反向击穿电压为160V，上升时间为3.5nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该设备是EUV探测的理想选择。它配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

Opto Diode Corporation的AXUV63HS1是一款圆形光电二极管，有效面积为63 sq.对电子能级的灵敏度低至100eV.它的电容小于85pF，反向击穿电压为160V，上升时间为10nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

First Sensor的501559是单元件PIN光电二极管，有效面积为2.8 X 2.8/6.2 mm2。这种背照式PIN光电二极管针对CSI：Tl闪烁体发光检测进行了优化。它采用BGA封装，采用平面倒装芯片设计，是光度测量、阵列组件和X射线检测应用的理想选择。

Kyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管，工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz，响应度为0.5A/W，有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG（地/信号/地）电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA，击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装，非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。

安立公司（Anritsu Corporation）的MS9740B-009是一款光谱分析仪，可测量600至1750 nm的波长。它的光学灵敏度范围为-90至+23 dBm，动态范围为57-70 dB.该频谱分析仪的波长精度为±50至±300 pm，波长稳定性为±5 pm.它具有超过32dB的光回波损耗和0.2至0.65秒的扫描时间。该频谱分析仪支持SM光纤、50μm/125μm GI光纤、62.5μm/125μm GI光纤、PC连接器SM和GI光纤。它可以通过以太网和GPIB接口进行远程控制，并支持连接到外部VGA显示器。MS9740B-009具有支持调制信号的信号电平积分功能，并可以使用噪声拟合函数准确估计噪声位置。它支持光轴对准、波长校准和有效分辨率校准功能。该频谱分析仪具有用于评估器件的光学有源器件（LD模块、DF-LD、FP-LD、LED、PMD、WDM、OPT AMP和WDM滤波器）测量菜单屏幕。它支持关键评估项目的一次性测量，如光学中心波长、电平、OSNR、光谱宽度等，并在一个屏幕上显示这些结果。该频谱分析仪需要100-120 V或200-240 V的交流电源，功耗为75 W.它采用台式模块，尺寸为426 X 177 X 350 mm，具有FC、SC、ST和DIN光纤连接器。该频谱分析仪是光收发器测量、LD模块测试分析、光学芯片/CAN器件评估、EDFA分析、光学放大器应用分析、窄带滤波器分析、透射率评估、插入损耗评估和WDM应用的理想选择。

来自Vixar的V00140，是波长为895nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.3mW，阈值电流为0.61mA，正向电流为1.4mA，线宽≤100MHz，调制带宽≥4.6GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。

II-VI CMDFB1064B下一代波长稳定高功率单频单模激光模块被设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。位于激光腔中的分布式反馈光栅（DFB）可在几次往返行程内实现波长稳定。激光芯片和封装针对亚纳秒级脉冲操作进行了优化。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许高峰值输出功率，这些功率在时间和温度下都非常稳定。

单管芯片(未切割的巴条) ，发射器宽度100μm，910nm；现货库存，请联系客服咨询。推荐用于连续波(cw)-应用，光纤激光泵浦，直接材料加工，医疗应用，打印应用.

来自OSRAM的SPL BF98-40-5-01B，是波长为980nm的半导体激光巴条芯片（裸片）。单片线性激光阵列由5个单管组成，峰值输出功率为40W，光束发散角为6.4°（平行）和40°（垂直）。它的阈值电流为2.7A（最大3.1A），转换效率为65%，正向电流为41A，可应用于激光材料加工。

基于 XLR 平台的循环环技术，700ix 在带宽、波长和能量稳定性方面都有所改进，为先进的芯片制造提供了更高的扫描仪吞吐量和工艺稳定性。 XLR 700ix 为芯片制造商提供了更严格的带宽控制（晶圆平均带宽为 300 +/- 5 fm），从根本上消除了带宽作为晶圆性能工艺变化源的问题。Cymer 的技术在逐个脉冲的基础上应用高速闭环控制，从而实现极其稳定的性能。

氩氦射线干式光刻技术在芯片制造过程中至关重要。ArF 干法光刻光源（如赛默公司的 XLA 105）可对晶片上的大量中间关键层进行图案化，同时延长模块寿命并加强关键尺寸 (CD) 控制。 随着 CD 的不断缩小，以及对最关键层更精细分辨率的需求，ArF 干光刻工具也开始对非关键层进行图案化，而这些非关键层历来是由 KrF 光源进行图案化的。赛默公司的干式光刻光源具有可靠性和成本效益，是大批量生产的理想选择。

4kHz KrF准分子激光器系列的第3代机型G45K，是一款旨在提高最尖端存储芯片的生产效率、功率最高可达50W的高功率机型。该机型通过延长模块的使用寿命和绿色技术，可以同时实现“提高生产率”和“减轻环境负荷”两大目标。