全部产品分类
首页 光学元件 光电探测器 InGaAs / P-I-N 10Gb die
InGaAs / P-I-N 10Gb die 光电探测器

InGaAs / P-I-N 10Gb die

分类： 光电探测器

厂家： Spectrolab

产地： 美国

型号： InGaAs / P-I-N 10Gb die

更新时间： 2024-08-30 12:56:33

简介：

Spectrolab’s Telcordia qualified InGaAs P-I-N photodetectors are offered in die form for 10Gb/s telecommunication applications.

立即咨询 获取报价 获取报价 下载规格书 下载规格书
收藏 收藏

概述

来自Spectrolab的InGaAs/p-I-n 10Gb芯片是一款光学探测器，波长范围为1310至1550 nm，暗电流为0.1至0.2 nA，电容为0.2至0.30 PF，响应度/光敏度为0.90至1 A/W，有效面积直径为25µm.InGaAs/P-I-N 10Gb裸片的更多详情见下文。

参数

  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
  • 波长范围 / Wavelength Range : 1310 to 1550 nm
  • 暗电流 / Dark Current : 0.1 to 0.2 nA
  • 电容 / Capacitance : 0.2 to 0.30 pF
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.90 to 1 A/W
  • 有效面积直径 / Active Area Diameter : 25 µm

规格书

下载规格书

厂家介绍

Spectrolab是波音公司的全资子公司，是领先的高效多结空间太阳能电池和电池板制造商，目前为数百个卫星和行星际航天器提供电力，并为新兴替代能源市场提供地面聚光太阳能电池。Spectrolab的产品组合包括这些世界一流的半导体产品，以及用于军事、海事和搜救行动的光电探测器和传感器、太阳能模拟器和机载探照灯系统。

智推产品

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 2-Color Ratio Fiber Optic Infrared Temperature Measurement and Control System iR2 光电探测器 双色比的光纤红外测温和控制系统iR2 光电探测器 Newport Electronics Inc

    探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.8 - 1.7 um 尺寸: 62mm

    Newport©IR2™系列是较先进的仪器，适用于困难和苛刻的高温（300°C-3000°C）应用。它非常适合涉及金属、玻璃、半导体等的测量和控制应用。IR2速度极快，精度极高，响应时间为10毫秒，精度为满量程的0.2%。尽管IR2具有非凡的技术先进性和性能，但它也具有令人难以置信的用户友好性和简单的配置。IR2享有5年延长保修。

  • 25 Gbit-s p-i-n Photodiode Chips And Photodiode Array Chips 850 nm 光电探测器 25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米 光电探测器 Connector Optics LLC

    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

    我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管（PD）芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供，非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径（15至50µm），既可作为单独的芯片，也可作为1×N（N=1，2，4，12）线性阵列，允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。

  • 4, 8, 12, or 16 Element Monolithic Linear Array 光电探测器 4、8、12或16个元素的单片线性阵列 光电探测器 GPD Optoelectronics Corp

    二极管类型: Other 工作波长: 1650nm

    线性阵列

  • AP-15G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 AP-15G 用于1-3.1微米的PbS检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺，可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外，该产品线较大限度地降低了维护成本，并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用，包括工业、环境和医疗应用，都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度，满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

  • AP-25G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 用于1-3.1微米的AP-25G铅酸蓄电池检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺，可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外，该产品线较大限度地降低了维护成本，并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用，包括工业、环境和医疗应用，都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度，满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

相关文章

  • 什么是比尔-朗伯特定律（Beer-Lambert's Law）？

    比尔-朗伯特定律是朗伯特定律（1730年）和比尔定律（1850年）的结合，它制约着低浓度的分子对光辐射的吸收。

  • 研究:单像素检测的量子点红外高光谱成像

    近红外(NIR)高光谱成像是一种非常有前途的探测技术，能够捕获详细的3D光谱空间信息，促进基于其光谱特征的材料和目标的识别和表征。

  • 有机红外探测器提供了先进的成像技术

    由于其在3D人脸识别、增强/虚拟现实、机器人和自动驾驶汽车等人工智能驱动技术中的潜在应用，对近红外(NIR)和短波红外(SWIR)光谱中的高像素、低成本焦平面阵列的需求激增。传统的SWIR光电二极管依赖于晶体锗(Ge)或砷化铟镓(InGaAs)，其局限性包括高暗电流和复杂的制造工艺。有机半导体的出现提供了一个很有前途的替代方案，具有更容易制造和可调谐光学特性的潜力。

  • 米氏空隙可带来对空气中光线的控制

    金属和电介质中的共振光学现象在许多领域都有深刻的应用。纳米级的限制允许前所未有地控制表面和界面的光-物质相互作用，操纵和控制光流。

立即咨询

加载中....