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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107
PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器,为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化,适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率(约0.9微米)的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。
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光源功率模块: 100-240V 单色仪焦距: 200mm 单色仪光栅线数: 1200l/mm 光栅尺寸: 40x45mm 单色仪光栅F值: 4.2
Resonance Ltd.的TRSES200是一种用于将真空紫外(VUV)到紫外(UV)辐射传输到目标样品并测量目标反射率、透射率或荧光的评估系统。该系统包括一个从115nm到400nm发射的氘灯、一个200mm焦距的真空单色仪,配备PC控制的电机驱动,以及一个能够检测从115到320nm的Hamamatsu R8486光电倍增管(PMT),LabviewTM软件和控制电子设备。适用于科研和工业光谱测量,具备高精度、宽光谱范围和用户友好的操作界面。
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可用灯泡: Krypton or Xenon 氪的峰值波长: 116.5, 123.6, 145 NM 氙的峰值波长: 147, 172 NM 氪的VUV强度: 1x1017 Ph/sec./st. 氙的VUV强度: 2x1017 Ph/sec./st.
Resonance Ltd.的RD-18-06是射频驱动的灯系统,是一款可靠且无需维护的高强度深紫外线(VUV)发光源,发射波长在116至200纳米之间。该源头可安装到4.5英寸CF法兰上,便于与高真空系统连接。灯具可重新进入,以实现最佳定位。通过MgF2窗口为真空应用提供超过100毫瓦/球面度的VUV通量,如光电离飞行时间质谱分析。灯泡可互换,便于更换。温控高速风扇无需水冷即可散热。通常情况下,该源头会使用氪或氙灯泡,这些灯泡可互换,也可根据客户需求提供其他灯泡或填充压力。适用于高真空系统和光电离飞行时间质谱分析。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×109 ≥7.0×109 ≥5.0×109 ≥2.0×109 ≥1.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥6.5×109 ≥5.0×109 ≥3.0×109 ≥1.0×109 ≥5.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5 ≥0.8 ≥1.0 ≥1.0 ≥1.0
PV系列采用基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。设备经过优化,在λopt处具有最大性能。截止波长可以根据要求进行优化。反向偏置可能显著增加响应速度和动态范围,并在高频下提高性能,但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008
PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性,通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率(约0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0-13.0µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥2.0×1010-≥4.0×107cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥1.0×1010-≥2.3×107cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.5-≥0.002A·mm/W
PC-2TE系列为基于复杂HgCdTe异质结构的双级热电冷却红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以实现最大性能,应在最佳偏压和电流读取模式下操作。低频性能由于1/f噪声而降低,1/f噪声角频率随截止波长增加。该款光电导探测器适用于红外成像、光谱分析、气体检测和热成像。