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传感器类型: CMOS 可衡量的来源: CW 波长范围: 355 - 1605 nm # 像素（宽度）: 1280 # 像素（高度）: 1024DATARAY公司的基于CMOS的激光束轮廓仪系统该光束轮廓仪可用于从紫外到红外光谱范围的各种激光器。
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传感器类型: CMOS 可衡量的来源: CW 波长范围: 190 - 1350 nm # 像素（宽度）: 2048 # 像素（高度）: 1536
DATARAY公司的基于CMOS的激光束轮廓仪系统该光束轮廓仪可用于从紫外到红外光谱范围的各种激光器。
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保偏光束采样器（PPBS）采用双光楔设计，对光束功率的一小部分进行采样，用于激光束轮廓分析应用。PPBS对来自两个正交楔形窗口的反射进行采样，以安全地降低高强度光的功率，同时保留输入光束的原始偏振并消除来自每个空气-玻璃界面的多次反射的影响。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAsOSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 2000 to 5500 nm 光电二极管材料: InAs, InAsSbPVigo System的PVA系列是InAs/InAsSb红外光伏探测器，工作波长为2至5.5µm.它们具有超过1.3A/W的电流响应度，并且基于外延InAs/InAsSb异质结构。这些探测器在高达300°C的温度下保持稳定，并且机械耐用。这些器件采用TO39封装，尺寸为0.1 X 0.1 mm.
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0µm-13.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥4.0×1010cm·Hz1/2/W-≥4.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥2.0×1010cm·Hz1/2/W-≥2.3×108cm·Hz1/2/W 电流响应性-光学面积长度乘积Ri(λopt)·LO: ≥3.0A·mm/W-≥0.03A·mm/WPCI-2TE系列探测器采用了两级热电制冷的红外光电导探测器，基于精密的HgCdTe异质结构，以获得最佳性能和稳定性，并通过光学浸没以提高设备参数。探测器在GaAs透射率限制下（约0.9µm）的最佳波长λopt下进行了优化。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/WPCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性，采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化，起始波长受GaAs透射率（约0.9μm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。
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活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器，为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化，适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率（约0.9微米）的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。
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气体填充: Krypton 峰值波长: 116-170NM 全光谱范围: 116.5-7,000NM VUV光强: 4x1016-4x1017Photons/sec/sr 输出角度范围: 30-65DegreesResonance Ltd的KrCM-LHP氪气射频激发灯系统是一种可靠且免维护的深紫外线强光源，发射波长范围从116.5到170纳米。该源可安装到6英寸CF法兰或Acton/Mcpherson法兰，方便连接到超高真空系统。通过输出窗口提供超过100毫瓦的VUV通量，用于真空应用，如光电离、光刻和质谱分析。
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气体填充: Xenon 峰值波长: 147.0NM 全光谱范围: 116.5-7000NM VUV光强: 5x1016-5x1017Photons/sec/sr 输出角度范围: 30-65DegreesXeLM-LHP是一个充满氙气的射频驱动的灯系统，是一个可靠且免维护的深紫外线(VUV)发射的高强度源，特别适用于147.0纳米的发射。这个源可安装在6英寸CF法兰或Acton/Mcpherson法兰上，方便连接到超高真空系统。通过输出窗口为真空应用提供超过100毫瓦的VUV通量，如光电离、光刻和质谱分析等。
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有源元件温度: 195K 截止波长(10%): 2.0µm 峰值波长: 8.0-10.0µm 最佳波长: 10.6µm 截止波长(10%): 12.0µmLabM-I-10.6是基于HgCdTe TE冷却光学浸入光伏多结探测器的可编程红外探测模块。
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检测模块类型: 32EM-5-01, 32EM-5-02 截止波长λcut-on(10%): ≤2.0µm, 3.7±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.25±0.2µm, 4.75±0.2µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.6±0.2µm, 5.8±0.2µm32EM-5 是一系列 32 通道检测模块。热电冷却的 MWIR 32 元件 HgCdTe 光伏探测器集成了 DC 耦合 32 通道跨阻放大器。
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截止波长λcut-on(10%): 2.9±1.0µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µm 探测率D*: ≥1.4×1010cm·Hz1/2/WLabM-I-5 是一款实验室红外探测模块，采用基于碲化镉汞异质结构的光学浸没式光电探测器，并集成了跨阻可编程前置放大器。3° 楔形蓝宝石窗口可防止不必要的干扰效应。要正确操作，需要可编程的 "智能 "VIGO 热电冷却器控制器 PTCC-01（单独出售）和智能管理软件（免费软件）。LabM-I-5 模块配有 PTCC-01 和智能管理器，是各种 MWIR 应用中原型设计和研发阶段的最佳解决方案。这套软件可灵活满足系统设计人员的不同需求。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0, 3.4, 4.0, 5.0, 6.0, 8.0, 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×10^11, ≥6.0×10^11, ≥4.0×10^11, ≥2.0×10^11, ≥7.0×10^10, ≥4.0×10^9, ≥2.0×10^9 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.5×10^11, ≥3.0×10^11, ≥3.0×10^11, ≥9.0×10^10, ≥4.0×10^10, ≥2.0×10^9, ≥1.0×10^9 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.3, ≥1.3, ≥1.5, ≥0.8, ≥0.4PVI-2TE系列是基于复杂HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，经过光学浸没以改进设备参数。探测器在λopt处优化以达到最佳性能，反向偏置可显著提高响应速度和动态范围。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×109 ≥7.0×109 ≥5.0×109 ≥2.0×109 ≥1.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥6.5×109 ≥5.0×109 ≥3.0×109 ≥1.0×109 ≥5.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5 ≥0.8 ≥1.0 ≥1.0 ≥1.0PV系列采用基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器，具有最佳性能和稳定性。设备经过优化，在λopt处具有最大性能。截止波长可以根据要求进行优化。反向偏置可能显著增加响应速度和动态范围，并在高频下提高性能，但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。
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低截止频率: DC, 10, 100, 1k, 10k Hz 高截止频率: 100k, 1M, 10M, 100M, 250M Hz 跨阻抗: 200 kV/A 输出阻抗: 50 Ω 输出电压摆幅: ±1.8 V“一体化”转阻放大器，兼容VIGO TO8封装TE冷却红外探测器，配备集成的TEC控制器和风扇，M4安装孔，频带宽度高达250 MHz，单一电源供电，直流监控，并设计用于有效散热。
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光谱范围: 2.0 to 13.8 µm 光学面积: 1 mm × 1 mm 冷却方式: 3TE 温度传感器: thermistor 探测器封装: TO8PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一款HgCdTe三级TE冷却光学沉浸光导红外探测器，适用于FTIR光谱。具有2.0至13.8 µm的光谱范围和长期稳定性。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性，通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率（约0.9 µm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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探测器类型: Type II superlattice 活性元件材料: epitaxial superlattice heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 1.6±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.3µm 截止波长λcut-off(10%): 6.2±0.2µmPVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90是一种Type II超晶格非制冷红外光伏探测器，具有优异的参数。该探测器不含汞或镉，符合RoHS指令，适用于科研和环境监测。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0-13.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥2.0×1010-≥4.0×107cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥2.3×107cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.5-≥0.002A·mm/WPC-2TE系列为基于复杂HgCdTe异质结构的双级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以实现最大性能，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。低频性能由于1/f噪声而降低，1/f噪声角频率随截止波长增加。该款光电导探测器适用于红外成像、光谱分析、气体检测和热成像。
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