• pco.dicam C4 LX 高性能sCMOS摄像机 科学和工业相机
    像元尺寸: 6.5μmx6.5μm 分辨率: 2048x2048 最小曝光时间: 51ns 帧率: 120fps@2048x2048pixel 动态范围: 16bit

    pco.dicam C4 LX是一款基于sCMOS技术的16位增强型摄像机,拥有2048x2048像素分辨率和120fps的全分辨率高帧速率。该摄像机配备40G光纤数据接口,最短曝光时间为51ns,并能在204ns内拍摄4张图片,690ns内拍摄8张图片。

  • pco.dicam C4 LT 高速成像光学门控sCMOS相机 科学和工业相机
    分辨率: 1504x1504 active pixel 像素尺寸: 6.5µmx6.5µm 传感器格式/对角线: 9.8mmx9.8mm/13.8mm 最短闸门时间: 51ns 读出噪声: 1.1 med / 1.5 rms e- single image

    pco.dicam C4 LT是一款基于成熟的pco.dicam C4平台技术,提供真正光学门控成像的四通道集成sCMOS相机。具有高端串联透镜系统,能够将单个光学输入的入射光均匀分配到四个独立通道,无任何伪影。每个通道都能以51纳秒的最短曝光时间和高达30 fps的全2.3 MP像素分辨率检测单个光子。

  • pco.dicam C8 高速sCMOS相机 科学和工业相机
    分辨率: 2048 x 2048 active pixel 像素尺寸: 6.5µm x 6.5µm 传感器格式/对角线: 13.3mm x 13.3mm / 18.8mm 快门模式: single image 快门模式: double image

    pco.dicam C8是一款基于sCMOS技术,具有2048 x 2048像素分辨率的增强型16位sCMOS相机。它采用高端光学分束器,能够将输入光线均匀分配到8个图像增强器上,通过80G光纤数据接口,提供高达848 fps的全分辨率传输速率。

  • pco.dicam C8 LX 高速成像-光学门控相机 科学和工业相机
    分辨率: 2048x2048像素 像素尺寸: 6.5µmx6.5µm 传感器格式/对角线: 13.3mmx13.3mm/18.8mm 帧率: 120fps@2048x2048像素 动态范围A/D: 16位

    基于pco.dicam C8平台的技术,pco.dicam C8 LX提供真正的光学门控成像功能。这款8通道sCMOS相机配备了8个25毫米的高品质成像增强器,高端的串联透镜系统能够将来自单一光学输入的光均匀分配到8个独立通道,无任何伪影。每个通道都能以51纳秒的最短曝光时间探测到单光子,全4.2百万像素分辨率下高达15帧每秒。

  • pco.dicam C8 LT 高速门控sCMOS相机 科学和工业相机
    像素: 1504x1504 曝光时间: 51ns-1s 数据接口: 80G光纤 像增强器直径: 18mm 读出噪声: 1.1e-最低

    基于成熟的pco.dicam C8平台技术,pco.dicam C8 LT提供真正的光学门控成像的全面访问。这款集成了8个18mm高品质成像增强器的8通道sCMOS相机,其高端串联透镜系统将来自单一光学输入的入射光等量分配到8个独立通道,完全不产生任何伪影。每个通道能够以51ns最短曝光时间检测到单个光子,并在全2.3 MPixel分辨率下达到每秒15帧。

  • C30902SH Series(系列) 雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有效面积直径: 500μm

    Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD,能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式(Vop > VBD)以检测单光子,或者在Linear模式(Vop < VBD)下工作,增益可达250。

  • C30902EH 和 C30921EH系列的雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有用面积: 0.2mm2

    Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构,提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中,正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米,C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中,可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

  • C30626FH系列雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    形状: Square 有效区域: 25mm2 有用尺寸: 4.7x4.7mm 响应度: 22A/W at 900nm 暗电流: 250nA

    C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器,具有高响应度和低暗电流,适用于高精度光电检测。

  • C30950EH 硅雪崩光电二极管前置放大器模块 科学和工业相机
    系统带宽: DC-50MHz/100MHz/200MHz 噪声等效功率: 0.029pW/√Hz@900nm(50MHz)/0.057pW/√Hz@830nm(100MHz)/0.120pW/√Hz@830nm(200MHz) 光谱响应范围: 400-1000nm 功率: 60mW(typ.) 放大器工作电压范围: 广泛

    C30950EH是一款硅雪崩光电二极管前置放大器模块,采用单一改良的12引脚TO-8封装。

  • LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 V

    Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块集成了APD、热电制冷器(TEC)以及放大电路,所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。

  • C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 封装: TO-18 Hermetic/TO-18 with Filter/TO-18 Plastic 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200V

    Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管(APD)设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度,并具有大约5纳秒的上升和下降时间,下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

  • SPCM-AQRH-TR 时间相关单光子计数和荧光寿命测量优化的单光子计数模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    活动区域直径: 170-180µm 光子探测效率: 75% 光子探测效率: 50% 暗计数: 1500Counts/second 暗计数: 1000Counts/second

    Excelitas Technologies的SPCM-AQRH-TR是一款针对时间分辨率优化的单光子计数模块,采用特选的SLiK硅雪崩光电二极管,具有优于250ps的模块时间分辨率,同时在650nm处保持超过75%的峰值光子探测效率,活动区域直径为180µm。

  • C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 响应度: 9.4A/W 工作增益: 10-20

    Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs,提供高量子效率和低噪声的高响应度。

  • C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/W

    Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长,适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

  • C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%

    C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管,采用双扩散“穿透”结构,优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区,因此在视线中心没有响应损失。

  • SS-4-VCR-2-GR-VS激光打孔流动限制垫片 光圈
    美国
    分类:光圈
    厂商:Lenox Laser
    部件直径: 11.9 mm 厚度: 0.7 mm 材料: Stainless Steel

    激光打孔流动限制垫片可用于临界流动、减压、颗粒分离、注射混合、真空和微衰减。这些经济单位有一个预适合的设计,允许快速变化,以适应您的应用程序的需要。光学测量孔不能保证满足规定的流量。

  • ASE-C-80系列 3通道ASE光源台式设备器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:Optilab
    波长范围: 1527nm-1565nm 通道数量: 3 输出功率: 20mWmin.,30mWtyp.(Per Channel) 输出功率稳定性: ±0.5dB over 8 hours 光谱宽度: 37nm min.,40nm typ.

    Optilab ASE-C-20-MSA-3是一款基于放大自发辐射(ASE)的三通道宽带光源,专为一般实验室应用设计。适用于光纤电流传感、DWDM元件特性测试等多种应用,具有稳定的输出功率和波长。

  • IM-1550-20系列 20GHz强度调制器 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Optilab
    输入光功率: 100 mW max. 工作波长: 1530 nm to 1610 nm 啁啾值: < ±0.2 插入损耗: < 5 dB max. 消光比: > 25 dB min.

    Optilab IM-1550-20强度调制器设计用于TDM和WDM 20 Gb/s传输,支持高达20 GHz的模拟调制,适用于卫星链路、天线远程和光纤射频传输。适用于卫星链路和RF over Fiber等多种应用。

  • IM-1550-20-P系列 20GHz强度调制器 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Optilab
    输入光功率: 100mWmax. 工作波长: 1530nmto1610nm 啁啾值: <±0.2 插入损耗: <5dBmax. 消光比: >25dBmin.

    Optilab IM-1550-20-P是一款1550 nm、20 GHz的强度调制器,适用于TDM和WDM 20Gb/s传输,同时也可用于卫星链路、天线远程和光纤RF的模拟调制。

  • MIOC-1550-22-BC系列 光纤陀螺仪 光学芯片 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Optilab
    光输入功率: 100 mW 驱动电压: -25 +25 V 工作壳温度: -45 75 ℃ 储存温度: -45 85 ℃ 工作波长: 1520 ~ 1570 nm

    Optilab MIOC-1550-22-BC 是用于光纤陀螺仪(FOG)的光学芯片,适用于旋转速率传感和惯性导航系统。具有卓越的性能和可靠性。