• pco.dicam C1 LT 18mm图像增强器 高速sCMOS相机 科学和工业相机
    分辨率: 1504 x 1504 pixel 帧率: 120 fps @ full resolution 数据接口: 10G fiber optic 曝光时间: 51 ns 增强器直径: 18 mm

    pco.dicam C1 LT是基于18mm图像增强器的高性能强化型16位sCMOS相机,适用于对强化成像技术要求不是绝对技术极限的应用,提供了一个经济友好的选择。该相机具有真正的光学门控成像能力,其S20光阴极适合大多数应用需求。

  • pco.dicam C4 多通道增强型相机 科学和工业相机
    像增强器类型: HighRes micro channel plate (MCP) 通道尺寸: 6 µm 输入窗口材料: synthetic silica 输入窗口材料: borosillicate 光阴极材料: S20, GaAs, GaAsP (others on request)

    pco.dicam C4是首款利用科学CMOS传感器技术性能的多通道增强型相机系统。通过高端光学分束器,能够将输入光线均匀分配到4个图像增强器。这些增强器通过pco.dicam C1验证过的串联透镜与16位4.2 MPixel sCMOS传感器耦合。它可以灵活配置8个独立曝光时间及其相应的缓冲时间,使得相机独一无二。40G光纤数据接口保证了通过光纤在几乎任何距离上无压缩、稳健的16位数据传输。

  • pco.dicam C4 UHS 基于科学CMOS传感器技术的多通道增强相机 科学和工业相机
    分辨率: 1504 x 1504 pixel 像元尺寸: 6.5µm x 6.5µm 传感器格式/对角线: 9.8mm x 9.8mm / 13.8mm 最小读出噪声: 1.1 e- 动态范围: 13,600:1 for P46 phosphor, 27,200:1 for P43 phosphor

    pco.dicam C4 UHS是基于超快18毫米像增强器的多通道增强相机系统,利用科学CMOS传感器技术的全部性能。配备高端光学分束器,可将输入光均匀分配到4个像增强器。通过40G光纤数据接口,可实现572全帧每秒的无压缩、稳健的16位数据传输。

  • pco.dicam C4 LX 高性能sCMOS摄像机 科学和工业相机
    像元尺寸: 6.5μmx6.5μm 分辨率: 2048x2048 最小曝光时间: 51ns 帧率: 120fps@2048x2048pixel 动态范围: 16bit

    pco.dicam C4 LX是一款基于sCMOS技术的16位增强型摄像机,拥有2048x2048像素分辨率和120fps的全分辨率高帧速率。该摄像机配备40G光纤数据接口,最短曝光时间为51ns,并能在204ns内拍摄4张图片,690ns内拍摄8张图片。

  • pco.dicam C8 高速sCMOS相机 科学和工业相机
    分辨率: 2048 x 2048 active pixel 像素尺寸: 6.5µm x 6.5µm 传感器格式/对角线: 13.3mm x 13.3mm / 18.8mm 快门模式: single image 快门模式: double image

    pco.dicam C8是一款基于sCMOS技术,具有2048 x 2048像素分辨率的增强型16位sCMOS相机。它采用高端光学分束器,能够将输入光线均匀分配到8个图像增强器上,通过80G光纤数据接口,提供高达848 fps的全分辨率传输速率。

  • C30626FH系列雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    形状: Square 有效区域: 25mm2 有用尺寸: 4.7x4.7mm 响应度: 22A/W at 900nm 暗电流: 250nA

    C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器,具有高响应度和低暗电流,适用于高精度光电检测。

  • C30659-UV-1 带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管(Si APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 1x1mm² 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°C

    Excelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器,封装在同一密封的TO-8封装中,以实现超低噪声操作。

  • C30659 Series(系列)带混合前置放大器的硅(Si)或InGaAs雪崩光电二极管(APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 典型功耗: 150mW 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50Ω (AC-Coupled)

    Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管(APD)与混合前置放大器,在同一个密封的TO-8封装中,以实现超低噪声操作。

  • LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 V

    Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块集成了APD、热电制冷器(TEC)以及放大电路,所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。

  • SPCM-AQRH-TR 时间相关单光子计数和荧光寿命测量优化的单光子计数模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    活动区域直径: 170-180µm 光子探测效率: 75% 光子探测效率: 50% 暗计数: 1500Counts/second 暗计数: 1000Counts/second

    Excelitas Technologies的SPCM-AQRH-TR是一款针对时间分辨率优化的单光子计数模块,采用特选的SLiK硅雪崩光电二极管,具有优于250ps的模块时间分辨率,同时在650nm处保持超过75%的峰值光子探测效率,活动区域直径为180µm。

  • SPCM-AQRH 单光子计数模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    供电电压: 4.75-5.25V 供电电流: 0.4-1.2A 电源线总电阻: 0.1-0.2Ω 外壳工作温度: 5-70°C 活动区域直径: 170-180µm

    Excelitas Technologies最近改进的SPCM-AQRH单光子计数模块可以在400nm至1060nm的波长范围内检测单个光子,其性能参数优于其他固态或真空管基光子计数器。

  • SPCM-AQ4C 四通道阵列单光子计数模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    供电电流: 1.0-3.0A@+2V, 0.20-1.0A@+5V, 0.01-0.04A@+30V 最大功率消耗: 2-6W@+2V, 1-5W@+5V, 0.3-1.2W@+30V 供电电压: 1.95-2.05V@+2V, 4.75-5.25V@+5V, 29-31V@+30V 外壳工作温度: 5-40ºC 每通道活动区域直径: 170-180µm

    SPCM-AQ4C是一款四通道阵列单光子计数模块,具有独立的硅雪崩光电二极管(SLiK),能在400nm至1060nm波长范围内检测单个光子。每个通道均独立。该模块具有热电冷却和温度控制功能,确保在环境温度变化时性能稳定。

  • C30954EH, C30955EH, C30956EH Series 长波长增强硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    形状: Circular 封装: TO-5/TO-8 有用面积: 0.5/1.77/7mm2 有用直径: 0.8/1.5/3mm 名义视场: 110/104/135Degrees

    Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应(即>900nm)得到增强,同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

  • C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 响应度: 9.4A/W 工作增益: 10-20

    Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs,提供高量子效率和低噪声的高响应度。

  • C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/W

    Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长,适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

  • C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%

    C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管,采用双扩散“穿透”结构,优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区,因此在视线中心没有响应损失。

  • 1060 nm 垂直腔面发射激光器 激光发射器
    美国
    分类:激光发射器
    厂商:Optilab
    波长: 1060 nm 数据速率: 最高2.5 Gbps 驱动电流: 非常低 温度稳定: 内置TEC

    1060 nm 垂直腔面发射激光器(VCSEL)采用紧凑的同轴外壳,配有单模光纤尾纤,专为光纤传感、激光发射器和光通信应用设计。其驱动电流非常低,并可以通过内置TEC进行温度稳定。

  • Skylark 640 NX C-DPSS激光器  激光器模块和系统
    英国
    厂商:Skylark Lasers
    输出功率: 1500 mW 波长: 640 nm 光谱带宽: ≤ 0.5 MHz 空间模式: TEM00 光谱稳定性: ± 0.2 pm (over 8 hour operation)

    Skylark 640 NX是一款单频连续波C-DPSS激光器,具有640 nm波长和高达1500 mW的输出功率,适用于精密应用,提供卓越的光谱纯度和极低的噪声。

  • BladeCam-HR - 基于CMOS的光束分析器 光束分析仪
    美国
    分类:光束分析仪
    厂商:DataRay
    传感器类型: CMOS 可衡量的来源: CW 波长范围: 190 - 1150 nm # 像素(宽度): 1280 # 像素(高度): 1024

    Dataray公司的基于CMOS相机的激光束轮廓仪BladeCam系列仅为46x46x11.5 mm,是市场上较小的光束轮廓仪!这些CMOS相机可以处理从190到1605nm的波长(取决于型号)。

  • BladeCam-XHR - 基于CMOS的光束分析器 光束分析仪
    美国
    分类:光束分析仪
    厂商:DataRay
    传感器类型: CMOS 可衡量的来源: CW 波长范围: 190 - 1150 nm # 像素(宽度): 2048 # 像素(高度): 1536

    Dataray公司的基于CMOS相机的激光束轮廓仪BladeCam系列仅为46x46x11.5 mm,是市场上较小的光束轮廓仪!这些CMOS相机可以处理从190到1605 nm的波长(取决于型号)