• FPM-50A 光功率计
    美国
    分类:光功率计
    厂商:Jonard Tools
    应用: Fiber Optic Cables Measurements 电池类型: 3 x AA batteries 光纤类型: Single-Mode, Multi-Mode 探测器类型: InGaAs 测量单位: dBm

    Jonard Tools的FPM-50A是一款基于InGaAs的光纤功率计,工作波长为800至1650 nm.它的功率测量范围为-50至+26 dBm,分辨率为0.01 dB.此功率计适用于测量光纤电缆中的绝对和相对功率损耗。它可以高精度地测量六个预设的校准波长,以确定绝对和相对功率。该功率计可以执行单模/多模测量,并且可以手动校准。它采用了LED背光屏幕、防尘按钮设计,并配有防震保护套。该电表需要三节AA电池,一次充电可工作130小时以上。它采用尺寸为7.00 X 3.25 X 1.50英寸的模块,配有FC/LC/SC连接器和尼龙便携包。

  • FPM-55 光功率计
    美国
    分类:光功率计
    厂商:Jonard Tools
    应用: Fiber Optic Cables Measurements 电池类型: 3 x AA batteries 光纤类型: Single-Mode, Multi-Mode 探测器类型: InGaAs 测量单位: dBm

    Jonard Tools的FPM-55是一款基于InGaAs的光纤功率计,光学范围为800至1650 nm.它可以测量-50至+26 dBm的功率,分辨率为0.01 dB.该功率计可以高精度测量六个预设校准波长,以确定光纤电缆中的绝对和相对功率。该功率计可以执行单模/多模测量,并且可以手动校准。它有一个内置的数据存储单元来记录测量结果。FPM-55采用LED背光屏幕,按键采用防尘设计,并配有防震保护套。它需要三节可充电的AA电池,一次充电可运行130小时以上。功率计采用6.89 X 3.54 X 1.75英寸的模块,配有FC/LC/SC连接器和尼龙便携包。

  • PROLITE-63B 光功率计
    西班牙
    分类:光功率计
    应用: Digital Communication 电池类型: Ni-MH 探测器类型: InGaAs 测量单位: dBm 设备类型: Handheld

    ProMax的ProLite-63B是一款光功率计,可在850/1300/1310/1490/1550/1625 nm的校准波长下工作。它有一个InGaAs探测器,可以测量-70至+10 dBm的光功率,分辨率为0.01 dB,精度为±0.2 dB.该功率计可以识别光纤、测量光衰减、验证连续性和评估光纤链路传输质量。它具有999个数据项的存储容量,具有参考功能和LCD背光显示,便于在黑暗环境中操作。该电表具有自动断电功能,可降低功耗并延长现场操作时间。它需要6 V直流电源(通过AC/DC适配器),可使用4节2500 mAh镍氢电池。该功率计可通过USB接口进行控制。Prolite-63B采用紧凑型封装,尺寸为76 X 160 X 45 mm,并具有可互换的ST、FC和SC连接器。它是局域网,广域网,有线电视,长途光纤网络和实验室应用的理想选择。

  • 7510-1-04 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 1 to 1.7 µm 电源电压: 0.9 V

    模拟模块的7510-1-04是一款InGaAs雪崩光电二极管前置放大器光接收器,工作范围为1.0μm至1.7μm.接收器的探测器有效直径高达220μm.它的动态范围超过30dB,噪声等效功率低于5nW.该光学接收器采用PCB安装密封扁平TO-8封装,非常适合眼睛安全传感器、测距和医疗应用。

  • IAG 350X 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components

    Laser Components的IAG 350X是一款InGaAs雪崩光电二极管,可在1100 nm至1630 nm的光谱范围内进行检测。该探测器在1550nm处的峰值响应度为0.94A/W,在1000~1600nm范围内的量子效率大于70%。它的有源区直径为350微米,带宽高达2.5 GHz.该光电二极管具有大于200kW/cm2的高损伤阈值。芯片密封在改进的TO-46封装中或安装在陶瓷底座上。该探测器是测距应用、自由空间光通信和高分辨率光学相干层析成像的理想选择。

  • P-CUBE Series 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, Silicon, GaP 波长范围: 190 to 2200 nm 上升时间: 20 to 100 ns 暗电流: 0.02 to 1 nA

    来自激光器组件的p-Cube系列是光谱范围从190到2200nm的InGaAs/GaP/Si光电探测器。这些器件的光谱带宽为180 nm,响应度为0.16 A/W.P-Cube系列在紧凑的立方体内集成了一个极低噪声和灵敏的PIN光电二极管,可轻松集成到光具座设置中。这些探测器具有快速上升时间、响应均匀性、出色的灵敏度和长期可靠性,适用于各种应用,如气体分析、拉曼光谱、红外荧光、化学检测、光通信、光功率监控和激光二极管监控。光电探测器有一个可选的FC连接器,该连接器提供了一种使用光纤将探测器连接到样品的便捷方法。它采用小型封装,可轻松组装到光学装置中。

  • InGaAs / P-I-N 10Gb die 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Spectrolab
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 1310 to 1550 nm 暗电流: 0.1 to 0.2 nA 电容: 0.2 to 0.30 pF

    来自Spectrolab的InGaAs/p-I-n 10Gb芯片是一款光学探测器,波长范围为1310至1550 nm,暗电流为0.1至0.2 nA,电容为0.2至0.30 PF,响应度/光敏度为0.90至1 A/W,有效面积直径为25µm.InGaAs/P-I-N 10Gb裸片的更多详情见下文。

  • MTSM1346SMF2-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF

    Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管,工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF,击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装,尺寸为5 X 5 mm,是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装,比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

  • FCI-InGaAs-QXXX series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 to 225 pF

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-Qxxx系列是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,电容为25至225 PF,暗电流为0.5至100 nA,响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W,上升时间为3至24 ns.有关FCI-InGaAs-Qxxx系列的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-XXM series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-xxM系列是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,带宽为2 GHz,电容为0.65 PF,暗电流为0.03 nA,响应度/光敏度为0.95 A/W.有关FCI-InGaAs-xxM系列的更多详细信息,请联系我们。

  • LE/LSE Series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/W

    Sensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm,像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能,可防止电荷从饱和像素流出,并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路(ROIC)集成,可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线,以实现最佳ROIC性能,并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成,用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块,非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。

  • KPDE008LS-A-RA-HQ 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 pF

    Kyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管,工作波长为900至1700 nm(O、E、S、C、L波段)。它可以处理10mW的最大输入光功率,响应度为0.8-0.9A/W,带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm,电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA,反向电压为20V,正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装,尺寸为Ø2.41 mm,非常适合光监控应用。

  • KPDEA13C 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 75 fF

    Kyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管,工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz,响应度为0.5A/W,有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG(地/信号/地)电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA,击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装,非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。

  • KPMC29 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: Yes

    Kyoto Semiconductors的KPMC29是一款Si/InGaAs双色调光电二极管,有效面积为2.2 X 2.2 sq.毫米(Si)和0.86 X 0.86平方毫米(InGaAs)。为了扩展波长范围,在同一轴上堆叠了对短波长敏感的Si光电二极管和对长波长敏感的InGaAs光电二极管。它的终端电容为30 PF(Si)、45 PF(InGaAs),响应度高达0.7 A/W(Si)、0.9 A/W(InGaAs)。该光电二极管在-20至+80℃的温度范围内工作,并且具有从400至1700nm的宽波长范围。该设备非常适合用于分光光度计、辐射温度计、医疗设备、保健设备和光纤测试设备。

  • TIA-525S-FC 光电转换器
    英国
    分类:光电转换器
    光纤模式: Single Mode, Multi-Mode 设备类型: Module 光/输入功率: 1.2 W 带宽: 35 to 125 MHz 探测器类型: Silicon, InGaAs

    来自Laser 2000(UK)Ltd.的TIA-525S-FC是光/输入功率为1.2 W、波长范围为硅:400至1000 nm、InGaAs:850至1700 nm、带宽为35至125 MHz的光电转换器。有关TIA-525S-FC的更多详细信息,请联系我们。

  • TIA-525S-ST 光电转换器
    英国
    分类:光电转换器
    光纤模式: Single Mode, Multi-Mode 设备类型: Module 光/输入功率: 1.2 W 带宽: 35 to 125 MHz 探测器类型: Silicon, InGaAs

    Laser 2000(UK)Ltd.的TIA-525S-ST是一种光电转换器,光/输入功率为1.2 W,波长范围为硅:400至1000 nm,InGaAs:850至1700 nm,带宽为35至125 MHz.有关TIA-525S-ST的更多详细信息,请联系我们。

  • Sol™ 2.2A 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:B&W Tek, Inc.
    波长范围: 900-2200 nm 光谱分辨率: 9 nm

    B&W Tek 的 Sol™ 2.2A 是一款高性能线性 InGaAs 阵列光谱仪,具有 256 个像素,提供宽动态范围和高吞吐量,通过集成的三级冷却器可将 TE 冷却到 -15 °C。 所有光谱仪均内置 16 位数字转换器和 SMA 905 光纤输入,同时兼容 USB 2.0 即插即用。集成的自动归零功能可自动降低暗不均匀度和暗电流,从而提高信噪比。 通过软件控制,用户可以选择四种操作模式--最大灵敏度、最大动态、高灵敏度和高动态。此外,还提供定制的光谱分辨率和应用支持。

  • Sol™ 1.7 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:B&W Tek, Inc.
    波长范围: 900-1700 nm 应用: 近红外光谱仪 材料鉴定 质量控制 在线分析仪 过程监控 光谱分辨率: 0.35 nm

    Sol 1.7 是一款高性能线性 InGaAS 阵列光谱仪,具有 256、512 或 1024 个像素,TE 冷却温度低至 -10°C。它兼容 USB 2.0 即插即用,内置 16 位数字转换器和 SMA 905 光纤输入。可使用光谱采集软件在预配置的光谱范围内选择高动态范围模式或高灵敏度。可提供应用支持和定制光谱分辨率。

  • WP 1064 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    重量: 1.6 kg 工作温度显示: 0-40 Degree C 显示尺寸: 11.7 x 13.0 x 7.0 cm

    250 - 1850 cm-1 光谱仪范围 高 NA、f/1.3 光学设计,提供卓越的灵敏度和信噪比 与其他紧凑型 InGaAs 光谱仪相比,信号和速度更胜一筹 免费操作软件和 SDK 了解我们的 OEM 就绪型 1064 光谱仪

  • 10 GHz高功率光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:APIC Corporation
    波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.5-0.7A/W 射频带宽: 10.5-13GHz 光电二极管偏压: -3-5V 光饱和功率: 19dBm

    这款产品是一个封装好的InGaAs光电二极管,针对高光输入功率和输出电流线性进行了优化。设计用于RF光纤链路和其他需要高动态范围、低噪声指数和高RF增益的应用。APIC Corporation的10 GHz High Power, High Linearity Photodiode适用于高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连,以及恶劣环境下的微波光子学应用。