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光电查为您提供7267个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • SES4-940B-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 工作电压: 1.7 V 工作电流: 5 A

    II-VI Incorporated的SES4-940B-01是波长为940nm、工作电压为1.7V、工作电流为5A、阈值电流为250mA的激光二极管。有关SES4-940B-01的更多详细信息,请联系我们。

  • SES8-808A-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 806 nm 工作电压: 1.9 V 工作电流: 8 A

    II-VI Incorporated的SES8-808A-01是一款激光二极管,波长为806 nm,工作电压为1.9 V,工作电流为8 A,阈值电流为1.2 A.SES8-808A-01的更多详情见下文。

  • SES8-808B-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 803 nm 工作电压: 1.9 V 工作电流: 8 A

    II-VI Incorporated的SES8-808B-01是一款激光二极管,波长为803 nm,工作电压为1.9 V,工作电流为8 A,阈值电流为1.2 A.SES8-808B-01的更多详情见下文。

  • SES8-808C-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 工作电压: 1.9 V 工作电流: 8 A

    II-VI Incorporated的SES8-808C-01是一款激光二极管,波长为808 nm,工作电压为1.9 V,工作电流为8 A,阈值电流为1.2 A.SES8-808C-01的更多详情见下文。

  • SES9-915-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 915 nm 工作电压: 2.2 V 工作电流: 9.5 A

    来自II-VI Incorporated的SES9-915-01是波长为915nm、工作电压为2.2V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SES9-915-01的更多详细信息,请联系我们。

  • SES9-940-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 工作电压: 2.2 V 工作电流: 9.5 A

    来自II-VI Incorporated的SES9-940-01是波长为940nm、工作电压为2.2V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SES9-940-01的更多详细信息,请联系我们。

  • SES9-975-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 975 nm 工作电压: 2.2 V 工作电流: 9.5 A

    来自II-VI Incorporated的SES9-975-01是波长为975nm、工作电压为2.2V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SES9-975-01的更多详细信息,请联系我们。

  • V894-2130-002 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 894.593 nm 输出功率: 0.05 mW 工作电流: 0.5 mA

    II-VI Incorporated的V894-2130-002是波长894.593nm、输出功率0.05mW、工作电流0.5mA、工作电流0.5mA的激光二极管。有关V894-2130-002的更多详细信息,请联系我们。

  • V940-8904-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 7 to 110 W 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL(激光器)阵列,工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流,这降低了电感对上升时间的影响,最大限度地减少了电磁干扰(EMI),并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机(移动、物联网)应用的理想选择。

  • VGP00012v5 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 3.75 W 工作电压: 2.15 V 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的VGP00012V5是一款激光二极管,输出功率为3.75 W,输出功率为3.75 W,工作电压为2.15 V,工作电流为4 A.有关VGP00012V5的更多详细信息,请联系我们。

  • VGP00014v5 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 17 mW 工作电压: 2.25 V 工作电流: 20 mA

    II-VI Incorporated的VGP00014V5是一款激光二极管,输出功率为17 MW,工作电压为2.25 V,工作电流为20 mA,工作电流为20 mA.有关VGP00014V5的更多详细信息,请联系我们。

  • VGP00017v5 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 2.6 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 2.8 A

    II-VI Incorporated的VGP00017V5是一款激光二极管,输出功率2.6 W,输出功率2.6 W,工作电压2.2 V,工作电流2.8 A.VGP00017V5的更多详情见下文。

  • VGP00020v5 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 5.25 W 工作电压: 2.25 V 工作电流: 6 A

    II-VI Incorporated的VGP00020V5是一款激光二极管,输出功率为5.25 W,输出功率为5.25 W,工作电压为2.25 V,工作电流为6 A.VGP00020V5的更多详情见下文。

  • CM96A1060CWG 半导体激光器
    波长: 1060 nm 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: G08型弯曲波导(CWG) 工作模式: CW/脉冲 输出功率(脉冲): 1000 mW

    II-VI CM96A1060CWG 波长稳定的高功率单模激光二极管模块包含G08型弯曲波导(CWG)1060 nm激光二极管。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许非常高的输出功率,并且随时间和温度稳定。泵模块采用保持偏振的光纤尾纤和光纤布拉格光栅设计,以增强波长和功率稳定性性能。器件可实现1W的高无扭结输出功率。

  • CM97-750-76PM 半导体激光器
    波长: 976 nm 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 光纤布拉格光栅(FBG) 光谱半高宽(FWHM): 0.2 nm 阈值电流: 60-80mA

    来自II-VI Incorporated的CM97-750-76PM波长为976±1nm,被设计为掺铒光纤放大器(EDFA)应用的泵浦源。CM97-750-76PM泵浦模块采用光纤布拉格光栅(FBG)设计,以增强波长和功率稳定性。该产品的设计可确保优于驱动电流和外壳温度的波长锁定。可提供750mW的无扭结输出功率,可应用于光纤激光器,传感技术,EDFA。有关CM97-750-76PM的更多详细信息,请联系我们。

  • CMDFB1064B 半导体激光器
    波长: 1063.5 nm 类型: CW/脉冲 技术: 分布式反馈(DFB) 输出功率(脉冲): 800 mW 输出功率: 200 mW

    II-VI CMDFB1064B下一代波长稳定高功率单频单模激光模块被设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。位于激光腔中的分布式反馈光栅(DFB)可在几次往返行程内实现波长稳定。激光芯片和封装针对亚纳秒级脉冲操作进行了优化。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许高峰值输出功率,这些功率在时间和温度下都非常稳定。

  • 980nm泵浦激光模组 半导体激光器
    波长: 973-975 nm 工作电压: 1.7-2 V 正向电流(PD): 50-70 mA 阈值电流: 50-70mA 工作前向电压: 1.7-2.0V

    CM96Z***-7* 系列泵浦模块采用光纤布拉格光栅设计,可增强波长和功率稳定性性能。该产品旨在确保在驱动电流、温度和光反馈变化。

  • 1948RxM 超低功耗14xx/15xx nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    目标波长: 1420-1510nm 中心波长偏差: -0.5nm +0.5nm 操作泵浦功率: 300mW-500mW 最小操作泵浦功率: 50mW 带内功率: 80%

    1948RxM Ultra-Low Power Consumption 14xx/15xx nm泵浦模块,专为拉曼放大设计,采用内部芯片技术,提供卓越的性能、功耗和可靠性。

  • 1064CHP 500 mW 1060 nm冷却种子/泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 500-525 mW 峰值波长: 1050-1070 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.2 W

    1064CHP 1060 nm高功率单模激光模块是为需要在1050-1070 nm波长范围内工作的脉冲和连续波(CW)光纤激光应用而设计的种子源,也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用。

  • 980nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    封装类型: 冷却的14针或10针蝴蝶封装 波长: 980nm 最大操作电流: 请参考各型号的规格数据表 最大TEC电流: 请参考各型号的规格数据表 操作模式: CW (Continuous Wave)

    3SP Technologies提供的980nm泵浦模块,适用于光纤激光器泵浦源等多种应用,具有高性能和长期稳定操作的特点。980nm泵浦模块,采用冷却的14针或10针蝴蝶封装,带有背面监视光电二极管。