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  • Sony Semiconductor Solutions Corporation
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  • SLD1254JFR-V 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 to 645 nm 输出功率: 90 mW 工作电压: 2.5 to 2.9 V 工作电流: 150 to 185 mA

    索尼半导体解决方案公司(Sony Semiconductor Solutions Corporation)的SLD1254JFR-V是一款激光二极管,波长为635至645 nm,输出功率为90 MW,工作电压为2.5至2.9 V,工作电流为150至185 mA.有关SLD1254JFR-V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD177H5 半导体激光器
    应用行业: Communications 技术: Multi-Quantum Well (MQW), Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: GaAs 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 1.4 to 4 mW

    索尼的SLD177H5是一款用于25 Gbps光通信的4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片。该激光器的工作波长为850 nm,光输出功率高达4 MW.它采用2.4 V电源供电,功耗高达1.6 mA.该器件的光束发散度为33度,光束间距为250μm.它基于具有高温稳定性和可靠性的MQW VCSEL热电路模型,并且具有高达25Gbps的数据速率。该激光器以芯片形式提供,是高速数据通信应用的理想选择。

  • SLD259VS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 200 to 250 mW 工作电压: 2.2 to 2.5 V 工作电流: 210 to 270 mA

    Sony的SLD259VS是一款AlGaAs量子结构激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为200 MW,工作电流高达270 mA.激光二极管采用5.6 mm TO56封装,非常适合3D传感、深度传感和手势识别应用。

  • SLD266ZS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 785 to 800 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.6 to 2.3 V 工作电流: 0.02 to 0.035 A

    索尼公司的SLD266ZS是一款红外单片八光束激光二极管,工作波长为785至800 nm.每个光束都可以单独操作,发射器之间的间隔为30微米。它提供10 MW的输出功率,同时消耗高达35 mA的电流。激光二极管采用TO CAN封装,是激光打印机、数码复印机和激光束打印机的理想选择。

  • SLD291VS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 350 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 400 to 470 mA

    索尼半导体解决方案公司(Sony Semiconductor Solutions Corporation)的SLD291VS是一款激光二极管,波长为840至860 nm,输出功率为350 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为400至470 mA.有关SLD291VS的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD301V 半导体激光器
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 770 to 840 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 1.9 to 3 V 工作电流: 0.25 to 0.4 A

    Sony Semiconductor Solutions Corporation的SLD301V是波长为770至840 nm、输出功率为0.1 W、工作电压为1.9至3 V、工作电流为0.25至0.4 A、阈值电流为150至200 mA的激光二极管。有关SLD301V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD302V 半导体激光器
    技术: Double-Hetro Type 工作模式: Pulsed Laser 波长: 770 to 840 nm 输出功率: 0.2 W 工作电压: 1.9 to 3 V

    SLD302V是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为770至840 nm,输出功率为0.2 W,工作电压为1.9至3 V,工作电流为0.35至0.5 A,阈值电流为150至200 mA.有关SLD302V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD322V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 2.1 to 3 V

    SLD322V是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为790至840 nm,输出功率为0.5 W,工作电压为2.1至3 V,工作电流为0.75至1.2 A,阈值电流为180至300 mA.有关SLD322V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD323V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2.1 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD323V是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为1 W,工作电压为2.1至3 V,工作电流为1.4至2 A,阈值电流为300至500 mA.有关SLD323V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD326YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2.4 to 2.8 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD326YT是一款激光二极管,波长为790~840 nm,输出功率为4 W,工作电压为2.4~2.8 V,工作电流为4~8 A,阈值电流为1000~2000 mA.有关SLD326YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD332F 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.8 to 3.0 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD332F是一种激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为1 W,工作电压为1.8至3.0 V,工作电流为1.2至1.5 A,阈值电流为400至500 mA.有关SLD332F的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD333V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD333V是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为1 W,工作电压为2至3 V,工作电流为1.2至1.5 A,阈值电流为200至500 mA.有关SLD333V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD334YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 795 to 840 nm 输出功率: 2 W 工作电压: 2.2 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD334YT是一款激光二极管,波长为795至840 nm,输出功率为2 W,工作电压为2.2至3 V,工作电流为2.2至3.6 A,阈值电流为600至1000 mA.有关SLD334YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD335F 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 5 W 工作电压: 2.2 to 3 V

    SLD335F是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为5 W,工作电压为2.2至3 V,工作电流为5.2至6.5 A,阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335F的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD335YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2.1 to 3 V

    SLD335YT是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为4 W,工作电压为2.1至3 V,工作电流为4.3至5.5 A,阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD336VF 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 0.75 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD336VF是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为0.75 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为0.8至1 A,阈值电流为200至300 mA.有关SLD336VF的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD343YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD343YT是一种激光二极管,其波长为790至840 nm,输出功率为4 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为4.6至6.5 A,阈值电流为1000至2000 mA.有关SLD343YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD344YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 6 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    SLD344YT是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为790至840 nm,输出功率为6 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为7至9 A,阈值电流为1400至3000 mA.有关SLD344YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD431S 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    SLD431S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为805至811 nm,输出功率为20 W,工作电压为1.9至2.5 V,工作电流为25至30 A,阈值电流为6000至15000 mA.有关SLD431S的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD432S 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 40 W 工作电压: 1.9 to 2.8 V

    SLD432S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为40 W,工作电压为1.9至2.8 V,工作电流为50至55 A,阈值电流为14000至18000 mA.有关SLD432S的更多详细信息,请联系我们。