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  • ARR191P800 AAAA封装导电冷却激光二极管阵列 半导体激光器
    美国
    中心波长: 780um 输出功率: 800000mW

    AAAA封装是一种紧凑的传导冷却激光二极管阵列。AAAA封装可用于峰值功率高达9.6 kW的脉冲配置或连续功率高达160 W的CW配置。AAAA封装可轻松安装到激光系统或直接二极管应用中。它可用于CEO的任何标准波长(790-820 nm,872-890 nm,930-950 nm),也可用于定制波长。许多配置可用于快轴准直,发散值小于0.2°(FWHM)。

  • ARR23C040 E2封装水冷激光二极管阵列 半导体激光器
    美国
    中心波长: 780um 输出功率: 40000mW

    E2封装是一种紧凑的水冷式激光二极管阵列,可采用CW或QCW配置。对于CW操作,额定输出功率为40W。在QCW配置中,E2封装可提供多达15个激光二极管条,总峰值输出功率为4.5 kW。

  • ARR291P1800 H封装激光二极管阵列 半导体激光器
    美国
    中心波长: 780um 输出功率: 1800000mW

    H PackageLaser DiodeArray专为直接二极管应用(如脱毛和塑料焊接)而设计。该封装采用二维配置,脉冲持续时间为0.5ms至300ms,每巴功率高达150瓦。标准封装提供8巴、10巴和12巴垂直堆叠(可根据要求提供定制选项)。小而紧凑的设计由非去离子标准过滤水冷却,使安装和维护更具成本和时间效率。该封装采用AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以实现更坚固的组装,从而提高可靠性。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    工作模式: QCW 半导体激光器巴条: 12

    H封装激光二极管阵列专为直接二极管应用(例如脱毛和塑料焊接)而设计。该封装采用二维配置,脉冲持续时间为0.5ms至300ms,每巴功率高达150瓦。标准封装提供8巴、10巴和12巴垂直堆叠(可根据要求提供定制选项)。小而紧凑的设计由非去离子标准过滤水冷却,使安装和维护更具成本和时间效率。该封装采用AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以实现更坚固的组装,从而提高可靠性。

  • ARR121C080 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW 半导体激光器巴条: 4

    Derringer封装采用专有的水冷设计,无需去离子水即可实现出色的热量提取。该阵列非常适合于固态激光器(SSL)晶体的侧面泵浦,以及任何需要线性配置中的多个条的直接二极管应用。4长德林格的特点是发射输出长度约为4厘米。可提供高达160W的CW输出功率。对于QCW配置,32巴阵列的最大输出为9.6 kW.

  • ASM232P200 半导体激光器
    美国
    工作模式: QCW 输出功率: 200 W 半导体激光器巴条: 1

    CEO的激光二极管子模块可单独购买,也可用于150多种标准二极管散热器设计。子模块采用CEO的银弹或金弹封装技术。这些器件采用长寿命二极管条,并提供CW和QCW两种工作模式。标准可用波长(nm):790-820、872-890、930-950、970-990(也可定制波长)可用输出功率(CW):100 W/bar可用输出功率(QCW):300 W/bar.