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光电查为您提供7261个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 760nm VCSEL;TO 5 封装带TEC; 单模; 偏振锁定 半导体激光器
    波长: 0 nm 光功率: 0 W

    单模 VCSEL 采用 TO 封装外壳,方便使用激光二极管,适合在严苛的环境条件下运行。此外还可进行老化测试,集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电(ESD)。 单模 VCSEL 平台设计用于超低的耗电量和大输出功率。偏振锁定功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。 VCSEL 周围的 TO 封装将电子器件密封在外壳内部。即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。 集成有 TEC 的 TO 外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。这里可以精确地调节激光温度。

  • 763nmVCSEL;TO 5 封装带TEC; 单模; 偏振锁定 半导体激光器
    波长: 0 nm 光功率: 0 W

    单模 VCSEL 采用 TO 封装外壳,方便使用激光二极管,适合在严苛的环境条件下运行。此外还可进行老化测试,集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电(ESD)。 单模 VCSEL 平台设计用于超低的耗电量和大输出功率。偏振锁定功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。 VCSEL 周围的 TO 封装将电子器件密封在外壳内部。即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。 集成有 TEC 的 TO 外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。这里可以精确地调节激光温度。

  • 760nm VCSEL;TO 46封装不带TEC;单模;偏振锁定 半导体激光器
    波长: 0 nm 光功率: 0 W

    单模 VCSEL 采用 TO 封装外壳,方便使用激光二极管,适合在严苛的环境条件下运行。此外还可进行老化测试,集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电(ESD)。 单模 VCSEL 平台设计用于超低的耗电量和大输出功率。偏振锁定功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。 VCSEL 周围的 TO 封装将电子器件密封在外壳内部。即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。

  • TTO-007-760-A 半导体激光器
    波长: 760 nm 类型: 自由空间VCSEL 正向电压: 2 V 芯片技术: VCSEL 技术: 单模锁偏窄线宽VCSEL

    来自TRUMPF的TTO-007-760-A,是波长为760nm具有TO5封装的单模锁偏窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.3mW,阈值电流为0.5-1mA,工作电流为1-2mA,线宽为100MHz。该产品集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电(ESD),锁偏功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。TO封装将电子器件密封在外壳内部,即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。该产品集成有TEC的TO外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。该产品非常适用于氧气传感技术。

  • RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A 半导体激光器
    波长: 785nm 线宽: 0.1nm 功率: 500mW 电源稳定性: ±0.005% over 2.5 hours 工作温度: 25°C

    II-VI Incorporated的RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A是一款激光器,波长为784.5 nm、785 nm、785.5 nm,功率为500 MW,工作温度为-20至50摄氏度(外壳),存储温度为-20至70摄氏度。有关RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4301010002 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.4 to 2.2 mW 工作电压: 1.9 to 2.1 V 阈值电流: 0.8 to 1.1 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4301010002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.4至2.2mW,工作电压为1.9至2.1V,阈值电流为0.8至1.1mA.有关APA4301010002的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4301040002 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.4 to 2.2 mW 工作电压: 1.9 to 2.1 V 阈值电流: 0.8 to 1.1 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4301040002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.4至2.2mW,工作电压为1.9至2.1V,阈值电流为0.8至1.1mA.有关APA4301040002的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4301120002 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.4 to 2.2 mW 工作电压: 1.9 to 2.1 V 阈值电流: 0.8 to 1.1 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4301120002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.4至2.2mW,工作电压为1.9至2.1V,阈值电流为0.8至1.1mA.有关APA4301120002的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4401010001 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.3 to 2.2 mW 工作电压: 2.2 V 阈值电流: 0.3 to 1.3 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4401010001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.3至2.2mW,工作电压为2.2V,阈值电流为0.3至1.3mA.有关APA4401010001的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4401040001 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.3 to 2.2 mW 工作电压: 2.2 V 阈值电流: 0.3 to 1.3 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4401040001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.3至2.2mW,工作电压为2.2V,阈值电流为0.3至1.3mA.有关APA4401040001的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4401120001 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.3 to 2.2 mW 工作电压: 2.2 V 阈值电流: 0.3 to 1.3 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4401120001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.3至2.2mW,工作电压为2.2V,阈值电流为0.3至1.3mA.有关APA4401120001的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4501010001 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.5 to 2.2 mW 工作电压: 2.1 to 2.2 V 阈值电流: 0.7 to 1.2 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4501010001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.5至2.2mW,工作电压为2.1至2.2V,阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501010001的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4501010002 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.5 to 2.2 mW 工作电压: 2.1 to 2.2 V 阈值电流: 0.7 to 1.2 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4501010002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.5至2.2mW,工作电压为2.1至2.2V,阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501010002的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4501040001 波长为840nm、850nm、860nm激光二极管 半导体激光器
    波长: 840-860 nm RoHS: Yes 类型: VCSEL芯片 芯片技术: VCSEL 工作模式: CW Laser

    来自II-VI Incorporated的APA4501040001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.5至2.2mW,工作电压为2.1至2.2V,阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501040001的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4501040002 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.5 to 2.2 mW 工作电压: 2.1 to 2.2 V 阈值电流: 0.7 to 1.2 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4501040002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.5至2.2mW,工作电压为2.1至2.2V,阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501040002的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4501120001 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.5 to 2.2 mW 工作电压: 2.1 to 2.2 V 阈值电流: 0.7 to 1.2 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4501120001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.5至2.2mW,工作电压为2.1至2.2V,阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501120001的更多详细信息,请联系我们。

  • APA7501010009 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.7 to 2.7 mW 工作电压: 1.9 V 工作电流: 5 to 6 mA

    来自II-VI Incorporated的APA7501010009是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.7至2.7mW,工作电压为1.9V,工作电流为5至6mA.有关APA7501010009的更多详细信息,请联系我们。

  • APA8501010001 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 工作电压: 2.3 V 工作电流: 2.3 to 6 mA 阈值电流: 1 to 5 mA

    II-VI Incorporated的APA8501010001是一款激光二极管,波长为840 nm、850 nm、860 nm,输出功率为0.9 MW(SM),工作电压为2.3 V,工作电流为2.3至6 mA.有关APA8501010001的更多详细信息,请联系我们。

  • BH3FP 半导体激光器
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 工作电压: 1.6 V 工作电流: 60 to 80 mA 阈值电流: 2.6 to 12 mA

    来自II-VI Incorporated的BH3FP是波长为1260nm、1345nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为2.6至12mA的激光二极管。有关BH3FP的更多详细信息,请联系我们。

  • BMU100/120-976S-02-R 半导体激光器
    波长: 976 nm 输出功率: up to 120 W 工作电压: 30 V 工作电流: 10 A 阈值电流: 500 to 700 mA

    II-VI Incorporated的BMU100/120-976S-02-R是976 nm泵浦激光模块,具有高达120 W的波长稳定输出功率。该模块采用新一代多模激光二极管,具有E2前镜钝化功能,可防止激光二极管端面发生灾难性光学损伤(COD)。激光二极管串联连接,以实现快速电流切换。该模块包括一个反馈保护滤波器,可保护激光二极管免受有害的光纤激光器波长反馈光的影响。精确的波长稳定性减少了激光系统的预热时间和维护,提高了生产率。这种波长稳定的泵浦激光器模块是超快光纤激光器泵浦、超连续谱、医疗、分析和直接应用的理想选择。