半导体激光器-激光解决方案-光电查

850nmVCSEL芯片V00124 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850 nm 光功率: 3.3 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~100°C 正向电流: 8A

货号：V00124；裸片尺寸：0.90mm X 1.00mm 550孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：3W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：9W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：35W

850纳米VCSEL V00029 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850 nm 光功率: 4.2 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲): max. 18A

货号：V00029；裸片尺寸：1.26毫米X 1.26毫米770孔；建议较大峰值功率连续波，100%直流：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：12W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：36W

850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850 nm 光功率: 10 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10 A

货号：V00133；裸片尺寸：1.99mm X 1.99mm 1672孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：6W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：20W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：78W

940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 940 nm 光功率: 2.3 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): 6A

货号：V00059；裸片尺寸：0.87mm X 0.87mm 281孔径；建议较大峰值功率CW，100%DC：2W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：6W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：13W

940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -40°C - 110°C 储存温度: -40°C - 110°C 正向电流(脉冲操作): 5 A 正向电流(直流操作): 10 A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00081；裸片尺寸：0.9毫米X 1.00毫米550孔；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：3W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：8W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：35W

940纳米VCSEL V00155 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -20°C~100°C 储存温度: -20°C~110°C 正向电流: 8.5A 正向电流(脉冲操作): 3.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00155；裸片尺寸：0.90mm X 1.00mm 550孔多结（2J）；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：10W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：75W

940纳米VCSEL V00156 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -20°C-100°C 储存温度: -20°C-110°C 正向电流(脉冲操作): 7A 正向电流(直流操作): 3A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00156；裸片尺寸：0.90mm X 1.00mm 550孔多结（3J）；建议较大峰值功率连续波，100%直流：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：12W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：110W

940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 16A 正向电流(直流操作): max. 6A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00063；裸片尺寸：1.26mm X 1.26mm 770孔径；建议较大峰值功率连续波，100%直流：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：11W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：36W

940纳米VCSEL芯片V00132 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10A 正向电流(直流操作): max. 20A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00155；裸片尺寸：1.99mm X 1.99mm 1672孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：6W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：20W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：76W

680纳米VCSEL - PLCC封装 V00013

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 680 nm 操作/焊接温度: -20°C to 50°C 储存温度: -40°C to 125°C 正向电流: 3mA max 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00013；波长：680；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：1.5mW；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：3mW；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：-

680纳米VCSEL - PLCC封装 V00002

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 680 nm 光功率: 5.5 W 操作/焊接温度: -20°C - 50°C 储存温度: -40°C - 125°C 正向电流: max. 10mA

货号：V00002；波长：680；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：7mW；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：15mW；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：-

850纳米VCSEL - PLCC封装 V00147

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850 nm 储存温度: -40 to 100°C 操作温度(VCSEL): -20°C to 70°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds CW电流(VCSEL): 70mA

850nm多模3孔径VCSEL，专为需要高效光功率源的应用而设计。货号：V00147；波长：850；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：70mW；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：150mW；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：300mW

VCSEL评估模块

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850nm(V00133) / 940nm(V00132) 峰值电流: 130A 传播延迟: 1-2ns 供电电压: 7V-10V 门驱动器电源电压: 5V

VIXAR评估模块用于产生高光功率的短激光脉冲飞行时间（TOF）和VCSEL闪光激光雷达应用。它结合了高功率VCSEL具有超快氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）、栅极驱动器和放电电容器组。该模块可以被驱动用于高速脉冲操作，并且它可以产生高峰值功率的短光脉冲。评估模块安装了850 nm（V00133）和940 Nm（V00132）VCSEL芯片产品目前可从Vixar的标准产品组合中获得。VCSEL被驱动EPC2045 GaN开关FET能够提供高达130 A的电流脉冲。由Texas Instruments LMG1020驱动，这是一种具有传播延迟的高电流栅极驱动器1–2纳秒。有关的更多信息，请参阅相应的组件数据表。 VCSEL芯片、EPC2045 GaN FET和LMG1020栅极驱动器。驱动电路采用PCB技术构建，以改善VCSEL的散热性能。并使激光性能较大化。对于直接热，存在大热结合焊盘，从VCSEL芯片到连接的散热器的散热。驱动器电路和评估板两者都配备有电容器组，以改善到驱动器电路的电荷输送，用于更高的占空比（DC）操作。

850纳米VCSEL - V00160评估模块

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850 nm 操作/焊接温度: min. -40°C, max. 105°C 储存温度: min. -40°C, max. 120°C 正向电流: max. 130A 供电电压: max. 9V

VIXAR评估模块的开发旨在帮助客户开发用于飞行时间（TOF）应用的VCSEL。该模块可以用峰值功率高达80W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该模块可用于在各种测试条件下评估Vixar的高功率VCSEL产品。该驱动器模块可安装在评估板上，以便快速设置和测量Vixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该模块已显示出在110 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。

940纳米VCSEL - V00159评估模块

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 940 nm 操作/焊接温度: -40°C to 105°C 储存温度: -40°C to 120°C 正向电流: 130A 供电电压: 10V

VIXAR评估模块的开发旨在帮助客户开发用于飞行时间（TOF）应用的VCSEL。该模块可以用峰值功率高达80W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该模块可用于在各种测试条件下评估Vixar的高功率VCSEL产品。该驱动器模块可安装在评估板上，以便快速设置和测量Vixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该模块已显示出在110 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。

795nm VCSEL；TO46封装带TEC；单模；窄线宽；原子钟、磁力计应用

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 795 nm 光功率: 0 W 储存温度: -40 to 125°C 操作温度(VCSEL): 0 to 95°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds

单横模、795nm VCSEL，TO-46封装

V00140 895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 894.6 nm 类型: VCSEL芯片（裸片）正向电压: 1.78 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟，磁力计

来自Vixar的V00140，是波长为895nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.3mW，阈值电流为0.61mA，正向电流为1.4mA，线宽≤100MHz，调制带宽≥4.6GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。

795S-0000-x002

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 795 nm 类型: 自由空间VCSEL 芯片技术: VCSEL 技术: 单模窄线宽VCSEL 应用行业: 位置传感，运动控制，医疗设备，打印，测量和光谱传感（例如原子钟）

来自Vixar的795S-0000-x002，是波长为795nm具有TO-46封装的单模窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.06-0.17mW@85℃，0.1-0.25mW@25℃，0.04-0.16mW@95℃，阈值电流为0.6-0.9mA，线宽≤100MHz，调制带宽≥4GHz，符合行业标准PLCC4 SMT封装或行业标准PLCC2 SMT封装。可应用于位置传感、运动控制、医疗设备、印刷、测量和光谱传感（如原子钟）。该产品是专为低功耗、偏振和光谱稳定性而设计。

V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 795 nm 类型: VCSEL芯片（裸片）正向电压: 1.8 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟，磁力计

来自Vixar的V00145，是波长为795nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.13mW，线宽≤100MHz，调制带宽≥3.4GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。

760nm VCSEL；TO 5 封装带TEC；单模；偏振锁定

德国

分类：半导体激光器

厂商：TRUMPF Photonics Components GmbH

波长: 0 nm 光功率: 0 W

单模 VCSEL 采用 TO 封装外壳，方便使用激光二极管，适合在严苛的环境条件下运行。此外还可进行老化测试，集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电（ESD）。单模 VCSEL 平台设计用于超低的耗电量和大输出功率。偏振锁定功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。 VCSEL 周围的 TO 封装将电子器件密封在外壳内部。即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。集成有 TEC 的 TO 外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。这里可以精确地调节激光温度。