半导体激光器-激光解决方案-光电查

850纳米VCSEL V00027 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -40°C to 100°C 储存温度: -40°C to 100°C 正向电流: 7A 脉冲操作电流: 4.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00027；裸片尺寸：0.87毫米X 0.87毫米281孔；建议较大峰值功率连续波，100%直流：2W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：6W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：13W

850nmVCSEL芯片V00124 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850 nm 光功率: 3.3 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~100°C 正向电流: 8A

货号：V00124；裸片尺寸：0.90mm X 1.00mm 550孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：3W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：9W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：35W

850纳米VCSEL V00029 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850 nm 光功率: 4.2 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲): max. 18A

货号：V00029；裸片尺寸：1.26毫米X 1.26毫米770孔；建议较大峰值功率连续波，100%直流：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：12W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：36W

850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850 nm 光功率: 10 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10 A

货号：V00133；裸片尺寸：1.99mm X 1.99mm 1672孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：6W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：20W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：78W

940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 940 nm 光功率: 2.3 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): 6A

货号：V00059；裸片尺寸：0.87mm X 0.87mm 281孔径；建议较大峰值功率CW，100%DC：2W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：6W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：13W

940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -40°C - 110°C 储存温度: -40°C - 110°C 正向电流(脉冲操作): 5 A 正向电流(直流操作): 10 A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00081；裸片尺寸：0.9毫米X 1.00毫米550孔；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：3W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：8W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：35W

940纳米VCSEL V00155 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -20°C~100°C 储存温度: -20°C~110°C 正向电流: 8.5A 正向电流(脉冲操作): 3.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00155；裸片尺寸：0.90mm X 1.00mm 550孔多结（2J）；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：10W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：75W

940纳米VCSEL V00156 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -20°C-100°C 储存温度: -20°C-110°C 正向电流(脉冲操作): 7A 正向电流(直流操作): 3A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00156；裸片尺寸：0.90mm X 1.00mm 550孔多结（3J）；建议较大峰值功率连续波，100%直流：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：12W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：110W

940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 16A 正向电流(直流操作): max. 6A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00063；裸片尺寸：1.26mm X 1.26mm 770孔径；建议较大峰值功率连续波，100%直流：4W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：11W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：36W

940纳米VCSEL芯片V00132 - 高功率

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10A 正向电流(直流操作): max. 20A 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00155；裸片尺寸：1.99mm X 1.99mm 1672孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：6W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：20W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：76W

680纳米VCSEL - PLCC封装 V00013

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 680 nm 操作/焊接温度: -20°C to 50°C 储存温度: -40°C to 125°C 正向电流: 3mA max 反向电压: Not designed for reverse operation

货号：V00013；波长：680；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：1.5mW；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：3mW；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：-

680纳米VCSEL - PLCC封装 V00002

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 680 nm 光功率: 5.5 W 操作/焊接温度: -20°C - 50°C 储存温度: -40°C - 125°C 正向电流: max. 10mA

货号：V00002；波长：680；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：7mW；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：15mW；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：-

850纳米VCSEL - PLCC封装 V00147

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850 nm 储存温度: -40 to 100°C 操作温度(VCSEL): -20°C to 70°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds CW电流(VCSEL): 70mA

850nm多模3孔径VCSEL，专为需要高效光功率源的应用而设计。货号：V00147；波长：850；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：70mW；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：150mW；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：300mW

VCSEL评估模块

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850nm(V00133) / 940nm(V00132) 峰值电流: 130A 传播延迟: 1-2ns 供电电压: 7V-10V 门驱动器电源电压: 5V

VIXAR评估模块用于产生高光功率的短激光脉冲飞行时间（TOF）和VCSEL闪光激光雷达应用。它结合了高功率VCSEL具有超快氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）、栅极驱动器和放电电容器组。该模块可以被驱动用于高速脉冲操作，并且它可以产生高峰值功率的短光脉冲。评估模块安装了850 nm（V00133）和940 Nm（V00132）VCSEL芯片产品目前可从Vixar的标准产品组合中获得。VCSEL被驱动EPC2045 GaN开关FET能够提供高达130 A的电流脉冲。由Texas Instruments LMG1020驱动，这是一种具有传播延迟的高电流栅极驱动器1–2纳秒。有关的更多信息，请参阅相应的组件数据表。 VCSEL芯片、EPC2045 GaN FET和LMG1020栅极驱动器。驱动电路采用PCB技术构建，以改善VCSEL的散热性能。并使激光性能较大化。对于直接热，存在大热结合焊盘，从VCSEL芯片到连接的散热器的散热。驱动器电路和评估板两者都配备有电容器组，以改善到驱动器电路的电荷输送，用于更高的占空比（DC）操作。

850纳米VCSEL - V00160评估模块

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 850 nm 操作/焊接温度: min. -40°C, max. 105°C 储存温度: min. -40°C, max. 120°C 正向电流: max. 130A 供电电压: max. 9V

VIXAR评估模块的开发旨在帮助客户开发用于飞行时间（TOF）应用的VCSEL。该模块可以用峰值功率高达80W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该模块可用于在各种测试条件下评估Vixar的高功率VCSEL产品。该驱动器模块可安装在评估板上，以便快速设置和测量Vixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该模块已显示出在110 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。

940纳米VCSEL - V00159评估模块

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 940 nm 操作/焊接温度: -40°C to 105°C 储存温度: -40°C to 120°C 正向电流: 130A 供电电压: 10V

VIXAR评估模块的开发旨在帮助客户开发用于飞行时间（TOF）应用的VCSEL。该模块可以用峰值功率高达80W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该模块可用于在各种测试条件下评估Vixar的高功率VCSEL产品。该驱动器模块可安装在评估板上，以便快速设置和测量Vixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该模块已显示出在110 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。

795nm VCSEL；TO46封装带TEC；单模；窄线宽；原子钟、磁力计应用

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 795 nm 光功率: 0 W 储存温度: -40 to 125°C 操作温度(VCSEL): 0 to 95°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds

单横模、795nm VCSEL，TO-46封装

V00140 895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 894.6 nm 类型: VCSEL芯片（裸片）正向电压: 1.78 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟，磁力计

来自Vixar的V00140，是波长为895nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.3mW，阈值电流为0.61mA，正向电流为1.4mA，线宽≤100MHz，调制带宽≥4.6GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。

795S-0000-x002

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 795 nm 类型: 自由空间VCSEL 芯片技术: VCSEL 技术: 单模窄线宽VCSEL 应用行业: 位置传感，运动控制，医疗设备，打印，测量和光谱传感（例如原子钟）

来自Vixar的795S-0000-x002，是波长为795nm具有TO-46封装的单模窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.06-0.17mW@85℃，0.1-0.25mW@25℃，0.04-0.16mW@95℃，阈值电流为0.6-0.9mA，线宽≤100MHz，调制带宽≥4GHz，符合行业标准PLCC4 SMT封装或行业标准PLCC2 SMT封装。可应用于位置传感、运动控制、医疗设备、印刷、测量和光谱传感（如原子钟）。该产品是专为低功耗、偏振和光谱稳定性而设计。

V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）

美国

分类：半导体激光器

厂商：Vixar Inc.

波长: 795 nm 类型: VCSEL芯片（裸片）正向电压: 1.8 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟，磁力计

来自Vixar的V00145，是波长为795nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.13mW，线宽≤100MHz，调制带宽≥3.4GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。