以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
BH3FP
28 Gb/s FP Laser Diode Chip
概述
参数
- 技术 / Technology : Fabry-Perot (FP)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
- 工作电流 / Operating Current : 60 to 80 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 2.6 to 12 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- 阈值电流 / Treshold Current : 95°C 8-12mA, 25°C 2.6mA
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 95°C 0.1-0.14mW, 25°C 0.26mW
- 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : 0°C, 85°C 1.7mW
- 正向电压 / Forward Voltage : Po=5mW 1.6V
- 串联电阻 / Series Resistance : Po=5mW 5-11Ohm
- 前后功率比 / Front/Back Power Ratio : 5-12
- 光谱宽度 / Spectral Width : I=60mA, 95°C 2.5dB
- 波长 / Wavelength : 40°C to 95°C 1260-1345nm
- 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : 0.5nm/°C
- 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : FWHM 30degree
- 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : FWHM 35degree
- 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : Po=5mW -132dB/Hz1/2
- 带宽 / Bandwidth : I=60mA, 85°C 17-18GHz
- 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : I=60mA, 85°C 13.5-14GHz
- 工作电流 / Operating Current : T<70°C 60mA, T=70-85°C 80mA
- 调制摆幅 / Modulation Swing : 30mA
- 反向电压 / Reverse Voltage : 2V
- 芯片宽度 / Chip Width : 230-270µm
- 芯片长度 / Chip Length : 130-170µm
- 芯片厚度 / Chip Thickness : 80-90µm
- 焊盘宽度 / Bond Pad Width : 65µm
- 焊盘长度 / Bond Pad Length : 60µm
应用
1.高速光通信系统 2.数据中心光互连 3.光纤到户(FTTH) 4.高速局域网(LAN)
特征
1.设计用于28 Gb/s 2.工作温度范围-40°C至95°C 3.无隔离器自由操作设计 4.1310纳米波长
规格书
厂家介绍
II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“连贯”这个名字,是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结,明确的目标,以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术,连贯性赋予市场创新者力量。
连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。
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