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SES8-808C-01 半导体激光器

SES8-808C-01

分类： 半导体激光器

厂家： II-VI Laser Enterprise GmbH

产地： 美国

型号： SES8-808C-01

更新时间： 2024-06-25 16:20:01

简介：

8W 808nm 190µm High Power Single Emitter Laser Diode on Submount

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概述

II-VI Incorporated的SES8-808C-01是一款激光二极管，波长为808 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为8 A，阈值电流为1.2 A.SES8-808C-01的更多详情见下文。

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 808 nm
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.9 V
  • 工作电流 / Operating Current : 8 A
  • 阈值电流 / Threshold Current : 1.2 A
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 输出功率 / CW Output Power : 8W
  • 中心波长 / Center Wavelength : 808±2.5nm
  • 光谱半高宽（FWHM） / Spectral Width (FWHM) : 2nm
  • 波长随温度变化 / Wavelength Shift With Temperature : 0.3nm/°C
  • 结合发散角（平行） / Beam Divergence (Parallel To Junction) : 6deg
  • 结合发散角（垂直） / Beam Divergence (Perpendicular To Junction) : 32deg
  • 偏振 / Polarization : TE
  • 阈值电流 / Threshold Current : 1.2A
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 1.1W/A
  • 转换效率 / Conversion Efficiency : 50%
  • 串联电阻 / Series Resistance : 0.03Ω
  • 工作电流 / Operating Current : 8A
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.9V
  • 芯片宽度 / Chip Width : 500µm
  • 谐振器长度 / Resonator Length : 3600µm
  • 芯片厚度 / Chip Thickness : 150µm
  • 发射器宽度 / Emitter Width : 190µm

应用

1.固态激光泵浦,2.医疗,3.分析,4.打印

特征

1.3.6mm x 0.5mm激光二极管,2.190μm宽发射器,3.8W工作功率(背面下装),4.高可靠性单量子阱MBE结构,5.RoHS兼容

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厂家介绍

II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“连贯”这个名字，是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结，明确的目标，以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术，连贯性赋予市场创新者力量。

连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg，在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
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    波长: 1053nm 输出功率: 300mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计，在时间、温度（0.007 nm/0C）和振动方面具有出色的波长稳定性，并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm（上述标准波长），采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

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