V00140激光芯片,由Vixar Inc.制造,以其GaAs VCSEL技术和894.6 nm激光波长,为高精度应用提供稳定精确的激光输出。它在极端温度下保持性能稳定,典型输出功率0.3mW,斜率效率0.37W/A,确保高效低耗。
SES9-915-01
9W 9xxnm 90µm High Power Single Emitter Laser Diode on Submount
概述
参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 915 nm
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 V
- 工作电流 / Operating Current : 9.5 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 500 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
- 输出功率 / CW Output Power : 9W
- 中心波长 / Center Wavelength : 915±10nm/940±10nm/975±10nm
- 光谱半高宽(FWHM) / Spectral Width (FWHM) : 4nm
- 波长随温度变化 / Wavelength Shift With Temperature : 0.3nm/°C
- 结合发散角 / Beam Divergence (Parallel To Junction) : θ// 8deg
- 垂直发散角 / Beam Divergence (Perpendicular To Junction) : θ⊥ 23deg
- 偏振 / Polarization : TE
- 阈值电流 / Threshold Current : 500mA
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 1.0W/A
- 转换效率 / Conversion Efficiency : >50%
- 串联电阻 / Series Resistance : 0.03Ω
- 工作电流 / Operating Current : 9.5A
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.2V
- 芯片宽度 / Chip Width : 400µm
- 谐振器长度 / Resonator Length : 3600µm
- 芯片厚度 / Chip Thickness : 150µm
- 发射器宽度 / Emitter Width : 90µm
应用
1.光纤激光器泵浦 2.材料加工 3.打印 4.医疗
特征
1.3.6mm x 0.4mm激光二极管 2.90μm宽发射器 3.9W工作功率(p-side down mounted) 4.高可靠性的单量子阱MBE结构 5.标准波长915nm、940nm和975nm(其他波长可根据要求提供) 6.RoHS兼容
规格书
厂家介绍
II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“连贯”这个名字,是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结,明确的目标,以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术,连贯性赋予市场创新者力量。
连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。
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