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HASO LP 图像传感器

HASO LP

分类: 图像传感器

厂家: Axiom Optics

产地: 美国

型号: HASO LP

更新时间: 2025-01-03 15:32:34

激光测试 高精度测量 光学对准 波前传感器

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概述

HASO LP是一款高精度的波前传感器,能够直接表征相对较大的光束,无需中继光学元件,适用于激光束测试、光学对准和优化等多个领域。

参数

  • 孔径尺寸 / Aperture Dimension : 22 x 22 mm²
  • 微透镜数量 / Number Of Microlenses : 128 x 128
  • 最大采集频率 / Maximum Acquisition Frequency : 10 Hz (10GigE)
  • 标定波长范围 / Calibrated Wavelength Range : 400 - 800 nm
  • 最小功率 / Minimum Power : 0.7 nW
  • 外部触发频率 / External Trigger : TTL signal
  • 操作系统 / Operating System : Windows 11 & 10
  • 可重复性 / Repeatability : < λ/200 RMS
  • 绝对波前测量精度 / Absolute Wavefront Measurement Accuracy : λ/100 or 6 nm RMS
  • 空间采样 / Spatial Sampling : ~ 170 µm
  • 倾斜动态范围 / Tilt Dynamic Range : > ± 3°
  • 焦距动态范围 / Focus Dynamic Range : ± 0.02 m to ± ∞
  • 波长范围 / Wavelength Range (Nm) : 不适用
  • 光束孔径(f数) / Beam Aperture (F-Number) : > 5
  • 尺寸 / Dimension (Height X Width X Length) : 100.7 x 104.5 x 121 mm³
  • USB版本重量 / Weight For USB Version : 800 g
  • 工作温度 / Working Temperature : 15 - 30 °C
  • 接口 / Interface : 10GigE
  • 功率 / Power Consumption : 14 W (dep. on operating mode)

应用

1. 激光束测试,精确的激光准直 2. 激光光学对准与优化 3. 光学元件、透镜、保护窗和镜子的特性表征 4. 生产质量控制,检查购买的光学元件规格 5. 光学系统的对准,基于实时的像差信息

特征

1. 22 mm大分析孔径,直接波前特征表征,无需中继光学或光束调节 2. λ/100 RMS的高精度,允许检测小缺陷 3. 动态范围超过1000 λ,能够直接获取收敛和发散光束的波前

详述

HASO LP是一款革命性的波前传感器,专为直接表征较大光束而设计,避免了中继光学带来的额外像差,使得测试过程更加简单和高效。它的22 mm大分析孔径和λ/100 RMS的高精度使其能够精确检测小缺陷,广泛应用于激光束测试、光学对准、光学元件特性表征等多个领域。此外,HASO LP还具备超过1000 λ的动态范围,能够直接获取收敛和发散光束的波前信息,极大地提升了光学测量的准确性和便捷性。配合其专用的软件工具,HASO LP能够满足各种高要求的应用需求,是光电行业中不可或缺的测量设备。

图片集

HASO LP图1
HASO LP图2

规格书

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厂家介绍

Axiom Optics提供较新的先进成像和光学计量产品。我们的团队为研究人员和工程师提供专业知识和支持。

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 3390 MCP/RAE SENSOR HEAD 图像传感器 3390 MCP/RAE传感器头 图像传感器 Quantar Technology Inc

    有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 2

    3300系列是开面、微通道板(MCP)、电阻式阳极编码器(Rae)位置敏感探测器头,用于带电粒子和高能光子探测,包括标准或涂层(如CSI、KBr)MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线,在真空中运行(完全UHV兼容)。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造,以获得较大的UHV兼容性真空压力;在操作中,单个入射事件(粒子或光子)撞击MCP检测器表面并导致电子级联,其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置,MCP在增益饱和模式下工作,以帮助确保事件间相对恒定的增益,从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。

  • EDS SEM Applications FAST SDD And C2 Window 图像传感器 EDS SEM应用FAST SDD和C2窗口 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 25mm

    Amptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器(SDD)系列,用于扫描电子显微镜(SEM)中的能量色散谱(EDS)。使用我们获得专利的C系列氮化硅(Si3N4)X射线窗口,我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍(Be)。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS,也称为能量色散X射线光谱(EDX或XEDS)和能量色散X射线分析(EDXA)或能量色散X射线微量分析(EDXMA)。

  • FAST SDD 25mm Ultra High Performance Silicon Drift Detector 图像传感器 FAST SDD 25毫米超高性能硅漂移检测器 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 25mm 活动区域: 17mm

    我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管(JFET)以及外部前置放大器,与此不同的是,快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体(CMOS)前置放大器,并用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)取代JFET。这显著降低了电容,大大降低了串联噪声,并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器,但带有前置放大器,在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的(较低的)分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线,否则峰值将重叠,从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进;更多的计数提供更好的统计数据。

  • Large Stitched X-Ray CMOS Image Sensor 图像传感器 大型缝合式X射线CMOS图像传感器 图像传感器 Forza Silicon Corp

    图像分辨率: 1024800lp/mm 图像大小: 854Pixels

    大型拼接X射线CMOS图像传感器。

  • Patented C1 Low Energy X-Ray Windows 图像传感器 获得专利的C1低能量X射线窗 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mm

    Amptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅(Si3N4),将我们的硅漂移探测器(SDD)的低能量响应扩展到硼(B)。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”,我们为一般的XRF分析提供了铍(Be)窗口的替代方案,与用于软X射线分析的聚合物窗口相比,我们提供了优越的性能。

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