HASO SWIR FAST
高速测量 光学元件 短波红外 波前传感器 自适应光学
概述
参数
- 孔径尺寸 / Aperture Dimension : 1.75 x 1.75 mm²
- 微透镜数量 / Number Of Microlenses : 11 x 11
- 最大采集频率 / Maximum Acquisition Frequency : 4.5 kHz
- 校准波长范围 / Calibrated Wavelength Range : 0.9 - 1.7 µm
- 最小功率 / Minimum Power : 0.1 nW
- 外部触发频率 / External Trigger : TTL signal
- 操作系统 / Operating System : Windows 10 & 11
- 可重复性 / Repeatability : λ/200 RMS
- 绝对波前测量精度 / Absolute Wavefront Measurement Accuracy : 15 nm RMS
- 空间采样 / Spatial Sampling : 150 µm
- 倾斜动态范围 / Tilt Dynamics Range : > ± 3°
- 焦距动态范围 / Focus Dynamics Range : ± 0.008 m to ± ∞
- 外形尺寸 / Dimensions : 56 x 62.6 x 73.4 mm³
- 工作温度 / Working Temperature : 15 - 30 °C
- 接口 / Interface : Dual camera link frame grabber
- 功率 / Power Consumption : 1.5 A / 12 V
应用
1. 自由空间光学 2. 卫星通信 3. 高速测量 4. 自适应光学系统
特征
1. 直接获取收敛和发散F/5光束的波前,精度达到λ/100 RMS 2. 使用外部触发功能,完美掌握测量时间 3. 延迟优化至1 ms以内,包含波前测量 4. 仅需0.2 nW的功率即可以30 nm RMS的精度在4 kHz下获取波前 5. 专利技术实现相位和强度的独立测量:在强闪烁情况下无偏差
详述
HASO SWIR FAST是一款专为短波红外应用设计的高性能Shack-Hartmann波前传感器。它在自由空间光学和卫星通信等领域表现卓越,能够实现高速度和高精度的波前测量。其最大采集频率达到4.5 kHz,能够有效量化大气湍流和激光指向稳定性。该设备的设计考虑了延迟优化,确保测量延迟低于1毫秒,适合各种自适应光学设置。凭借其出色的波前测量精度和独特的专利技术,HASO SWIR FAST为光学测量领域提供了一种先进的解决方案。无论是在科研还是工业应用中,它都能够满足高性能的需求。
图片集
规格书
厂家介绍
相关产品
-
3390 MCP/RAE传感器头
图像传感器
Quantar Technology Inc
有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 2
3300系列是开面、微通道板(MCP)、电阻式阳极编码器(Rae)位置敏感探测器头,用于带电粒子和高能光子探测,包括标准或涂层(如CSI、KBr)MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线,在真空中运行(完全UHV兼容)。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造,以获得较大的UHV兼容性真空压力;在操作中,单个入射事件(粒子或光子)撞击MCP检测器表面并导致电子级联,其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置,MCP在增益饱和模式下工作,以帮助确保事件间相对恒定的增益,从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。
-
EDS SEM应用FAST SDD和C2窗口
图像传感器
Amptek Inc
活动区域: 25mm
Amptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器(SDD)系列,用于扫描电子显微镜(SEM)中的能量色散谱(EDS)。使用我们获得专利的C系列氮化硅(Si3N4)X射线窗口,我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍(Be)。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS,也称为能量色散X射线光谱(EDX或XEDS)和能量色散X射线分析(EDXA)或能量色散X射线微量分析(EDXMA)。
-
FAST SDD 25毫米超高性能硅漂移检测器
图像传感器
Amptek Inc
活动区域: 25mm 活动区域: 17mm
我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管(JFET)以及外部前置放大器,与此不同的是,快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体(CMOS)前置放大器,并用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)取代JFET。这显著降低了电容,大大降低了串联噪声,并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器,但带有前置放大器,在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的(较低的)分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线,否则峰值将重叠,从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进;更多的计数提供更好的统计数据。
-
大型缝合式X射线CMOS图像传感器
图像传感器
Forza Silicon Corp
图像分辨率: 1024800lp/mm 图像大小: 854Pixels
大型拼接X射线CMOS图像传感器。
-
获得专利的C1低能量X射线窗
图像传感器
Amptek Inc
活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mm
Amptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅(Si3N4),将我们的硅漂移探测器(SDD)的低能量响应扩展到硼(B)。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”,我们为一般的XRF分析提供了铍(Be)窗口的替代方案,与用于软X射线分析的聚合物窗口相比,我们提供了优越的性能。
加载中....